本发明公开了一种功率器件栅驱动所需要的输出电阻可编程MOSFET半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、死区时间产生电路、延时补偿电路、高抗干扰电平移位电路、低侧和高侧的输出电阻可编程输出驱动电路。本发明的高抗干扰电平移位电路中，通过使用高性...

本发明公开了一种IGBT保护装置，涉及电子装备领域，解决了现有IGBT模块内部容易升温炸裂问题，包括IGBT模块本体和用于对电气元件进行散热的散热风机，IGBT模块本体的两侧端均连通有通气管，且两个通气管的外侧分别螺纹套接有螺母一和螺母...

本发明公开了一种功率半导体器件内部温度分布测量系统及其方法，涉及半导体器件技术领域，为了解决器件内部的温度测量问题。本功率半导体器件内部温度分布测量系统及其方法，热电阻测温单元和热电偶测温单元与热辐射测温单元和红外测温单元可以对功率半导...

本发明涉及一种半导体芯片封装装置，旨在解决当前芯片主体以及适配的芯片插座多通过两个机器装置进行加工封装，芯片及芯片插座鉴生产成本较高的技术问题，包括操作机台、滑轨、工件夹臂、泵供机、二级驱动机构、上模具机构、驱动块、下模具机构、翻转机构...

本发明涉及一种高鲁棒性中压沟槽MOSFET结构及制备方法。包括以下步骤：提供重掺杂衬底，在重掺杂衬底上形成轻掺杂外延层；在轻掺杂外延层上设置垫氧化层，通过光刻、注入和退火形成终端场环；在垫氧化层上设置硬掩模层，通过光刻、刻蚀形成第一沟槽...

本发明公开了一种屏蔽栅功率晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路制造技术领域，一种屏蔽栅功率晶体管包括衬底，设置在所述衬底上的外衬层，设置在所述外衬层的第一沟槽，覆盖在所述第一沟槽的内表面和底部的屏蔽介质层，设置在所述屏蔽介质层的第二沟...

本发明公开了一种浅槽MOSFET的器件结构及其制造方法，属于半导体集成电路制造技术领域，包括N型衬底；位于衬底上方的N型外延层，形成于N型外延层中并填充多晶硅的沟槽；位于沟槽两侧外延层中的Source区；位于Source区上方到外延层表...

本发明公开了一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构及其制造方法，属于半导体集成电路制造技术领域，一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构包括终端区域，所述终端区域设置在所述ESD区域的外围，所述ESD区域设置在所述元胞区域的外围。通过将E...

本发明是一种高频MOSFET半桥智能功率模块，包括模块总封装体，模块总封装体内封装有第一封装基板、第二封装基板、第三封装基板、焊接在第一封装基板上的高频半桥栅驱动电路、焊接在第二封装基板上的X个低侧功率MOSFET晶体管和焊接在第三封装...

本实用新型涉及屏蔽栅MOSFET器件终端结构，包括衬底，在衬底上开设若干有源区栅极沟槽、至少一条终端分压环沟槽及至少一条终端截止环沟槽，终端分压环沟槽具有部分或全部弯曲部分，终端分压环沟槽上开设终端分压环沟槽源极接触孔，相邻有源区栅极沟...

本发明涉及一种功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺，该结构包括MOSFET芯片、第一互连层、底覆铜陶瓷基板、第二互连层、顶覆铜陶瓷基板、引线框架、灌封胶和管壳。本发明将标准TO封装中的铜基板替换为三层结构的底覆铜陶瓷基板，将键合...

本发明是一种用于功率器件栅驱动所需要的高速MOSFET半桥栅驱动电路，电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、振荡器电路、高效率电荷泵电路、低延时高压电平移位电路和高侧输出驱动电路。本发明采用高效率电荷泵...

本实用新型涉及一种低损耗和漏电的沟槽MOS功率器件，包括多个沟槽MOS器件单胞重复排列并联构成；每个单胞结构包括：衬底；设置于衬底表面的外延层；设置于外延层内的沟槽；在沟槽的底部且位于外延层内的部分形成N型杂质的一次注入掺杂；设置于沟槽...

本发明涉及一种具备静电保护能力的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及制造方法；方法包括：提供衬底，于衬底上表面形成外延层；在外延层上刻蚀得到第一沟槽和第二沟槽；于第一沟槽和第二沟槽之内形成第一介质层和第一多晶硅层；在第二沟槽之内形成屏蔽栅；沉积...

本发明涉及一种低损耗和漏电的沟槽MOS功率器件和制备方法，包括多个沟槽MOS器件单胞重复排列并联构成；每个单胞结构包括：衬底；设置于衬底表面的外延层；设置于外延层内的沟槽；在沟槽的底部且位于外延层内的部分形成N型杂质的一次注入掺杂；设置...