通快激光系统半导体制造有限公司专利技术

通快激光系统半导体制造有限公司共有17项专利

  • 本发明涉及一种用于产生叠加的激光脉冲(30a,b)的方法(12),所述叠加的激光脉冲分别至少由第一激光脉冲(16a,b)和第二激光脉冲(18a,b)组成。第一激光脉冲和第二激光脉冲(16a,b,18a,b)以不同特性被放大。放大后,第一...
  • 本发明涉及一种用于改变工作激光射束(12)的偏振的方法。工作激光(12)从工作激光源(22)照射到法拉第旋转器(14)上。法拉第旋转器(14)具有维尔德介质(20)和磁铁(16),该磁铁的磁场穿透维尔德介质(20)。该方法的特征在于,改...
  • 本发明涉及一种聚焦装置(10),所述聚焦装置尤其用于产生EUV辐射。所述聚焦装置(10)构造为用于,对在靶平面(14)上的靶材料(12)进行照明。所述聚焦装置(10)具有至少一个射束成形元件(26,28),该射束成形元件的光学轴线(30...
  • 本发明涉及一种CO2射束源(1),该射束源包括:至少一个放电管(3),在该至少一个放电管中,激光气体用作激光介质;鼓风机(7),该鼓风机用于在闭合的激光气体回路中藉由至少一个输入元件(8,9,9')将激光气体输入至少一个放电管(3)中以...
  • 本发明涉及一种
  • 本发明涉及一种
  • 本发明涉及一种设备(10)和方法,该设备和方法用于以简单的方式将多个光学元件(18a
  • 本发明涉及一种可校准的光学组件(10),包括光学支架(12),保持在所述光学支架(12)上的光学元件(14),保持结构(16),其中,所述光学支架(12)保持在所述保持结构(16)上的球关节(18)中,其中,设置第一校准装置(20),用...
  • 本发明涉及一种用于过滤激光辐射的光学装置(20)。所述装置(20)具有波长选择元件(28)、第一法布里
  • 描述了一种用于EUV辐射源的激光聚焦系统(330),所述激光聚焦系统包括:
  • 本发明涉及一种用于调整激光射束(1)的方法,包括:借助探测器装置(6)的至少一个优选地点分辨的探测器(6a)来测量在穿过射束成形装置(4)之后激光射束(1)的射束轮廓(15,16);基于所测量的射束轮廓(15,16),求取所述激光射束(...
  • 本发明涉及一种尤其用于偏振激光射束(30)的光学组件(23),其包括具有射束入射面(5a、6a、...)和射束出射面(5b、6b、...)的多个板状光学元件(5、6、...)和用于共同固定板状光学元件(5、6、...)的保持件(1)。在...
  • 本发明涉及一种用于将激光束(3)聚焦在目标区域(5)中的聚焦装置(15),其尤其用于产生EUV辐射(7),其包括:用于扩宽所述激光束(3)的抛物面镜(16),以及用于将经扩宽的激光束(3)聚焦在所述目标区域(5)以内的焦点位置(P2)上...
  • 本发明涉及一种反射光学元件(16),其包括:内部的第一表面区域(18a),用于对照射到反射光学元件(16)上的光束(3)的第一内辐射分量(20a)进行反射以形成第一反射光束(21a);以及至少一个外部的第二表面区域(18b),用于对照射...
  • 本发明涉及一种偏振器装置(1),该偏振器装置用于使激光射束(2)偏振,该偏振器装置包括:布置在激光射束(2)的射束路径中的多个板状光学元件(5,16),所述多个板状光学元件分别具有用于激光射束(2)的射束入射面(5a,6a,...)以及...
  • 射束阱、射束引导装置、EUV辐射产生设备和用于吸收射束的方法
    本发明涉及一种射束阱(20),其包括:用于反射入射到所述反射器(21)的表面上的射束、尤其激光射束(5)的反射器(21),以及用于吸收在所述反射器(21)的表面(21a)处经反射的射束的吸收器装置(22)。所述反射器(21)的表面是分段...
  • EUV辐射产生设备及其运行方法
    本发明涉及一种EUV辐射产生设备(1),其包括:真空室(4)以及用于将来自驱动激光装置(2)的激光射束(5)朝目标位置(Z)方向引导的射束引导室(3),在所述真空室中为了产生EUV辐射(14)可以将靶材料(13)设置在所述目标位置(Z)...
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