本文公开了用于多级存储器单元的器件、方法和系统，其中，存储器单元包括能写入至少到三个不同的剩余极化状态的存储器元件。感测电路在读取操作中，基于对由施加的读取电压引起的存储器元件的剩余极化的感测变化，从至少三个不同的剩余极化状态中确定存储...

存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法。该存储器单元布置包括：存取器件集，每个存取器件配置为经由与其关联的第一和第二控制线集可单独寻址；多个存储器单元，其中的存储器单元配置为经由与其关联的第三和第四控制线集可单独寻址，存取器件集配置为...

各个方面涉及一种存储器单元布置，其包括：包括场效应晶体管结构和自发极化存储器层的存储器单元；和配置为通过写入操作引起存储器单元的写入的控制电路，写入操作包括：执行写入序列，该写入序列包括：向存储器单元供应写入信号集合以提供写入电压降，从...

各个方面涉及一种存储器单元布置，其包括：多个自发极化存储器单元；和控制电路，控制电路配置为通过写入操作引起一个或多个第一存储器单元的写入，其中写入操作包括：向多个自发极化存储器单元供应写入信号集合，以在一个或多个第一存储器单元中的每一者...

一种铁电存储器电路(100)包括：存储器单元(102)，其中存储器单元(102)的存储器状态(102s)可在第一存储器状态与第二存储器状态之间切换，存储器单元(102)还配置成响应于接收读出电压(103)而输出电流(101)；和感测电路...

一种存储器单元布置可包括：第一存储器单元，包括第一场效应晶体管结构，耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容存储器结构，以及耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容杠杆结构，并且其中，多个存储器单元中的第二存储器单元包括：第二场效应...

根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的存储器层，其中存储器层包括具有第一氧空位浓度的第一存储器部分和具有不同于第一氧空位浓度的第二氧空位浓度的第二存储器部分。位浓度的...

根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构，该电容存储器结构包括第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的存储器结构；以及场效应晶体管结构，该场效应晶体管结构包括耦合到电容存储器结构的栅极结构，其中电容...

提供了一种存储器单元布置，可包括：一个或多个存储器单元，一个或多个存储器单元中的每个存储器单元包括：电极柱，具有底面和顶面；存储器材料部，包围电极柱的侧面部；电极层，包围存储器材料部和电极柱的侧面部，其中电极柱、存储器材料部和电极层形成...

根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的存储器结构，第一电极、第二电极和存储器结构形成存储器电容器，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括：包括具有第一微结构的第一材...

提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：一个或多个存储器单元，一个或多个存储器单元中的每个存储器单元包括：场效应晶体管结构；多个第一控制节点；多个第一电容器结构；第二控制节点；以及第二电容器结构，包括连接至第二控制节点的第一电...

根据各个方面，提供一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构，包括第一电极；场效应晶体管结构，包括栅极电极；一个或多个绝缘体层；一个或多个源极/漏极接触结构，嵌入在一个或多个绝缘体层中以电接触场效应晶体管结构；以及连接结构，嵌入在...

根据各个方面，一种形成一个或多个剩余极化电容结构的方法，该方法包括：形成一个或多个电容结构，一个或多个电容结构中的每个包括：一个或多个电极；一个或多个前体结构，与一个或多个电极相邻地设置，其中，一个或多个前体结构中的每个具有介于约1nm...

根据各个方面，提供一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构；以及场效应晶体管结构，包括栅极隔离；其中电容存储器结构与场效应晶体管结构彼此耦合以形成电容分压器，其中，栅极隔离包括至少一个栅极隔离层，至少一个栅极隔离层包括具有大于4...

本发明提供了一种存储器单元布置及其方法，所述存储器单元布置可以包括：多个电极层，其中，多个电极层中的每个电极层包括多个通孔，多个通孔中的每个通孔从相应电极层的第一表面延伸到第二表面；多个电极柱，其中，多个电极柱中的每个电极柱包括多个电极...

本发明提供一种存储器单元布置。根据各个方面，所述存储器单元布置包含：第一控制线和第二控制线；多个存储器结构，其设置在该第一控制线与该第二控制线之间，其中，所述多个存储器结构中的每个存储器结构包括第三控制线、第一存储器单元和第二存储器单元...

提供了一种存储器单元，该存储器单元可以包括：场效应晶体管结构，该场效应晶体管结构包括沟道和邻近于该沟道设置的栅极结构，该栅极结构包括：一个或多个剩余可极化层、栅电极，其中，该一个或多个剩余可极化层设置在该栅电极与该沟道之间，以及一个或多...

提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：多条第一控制线；多条第二控制线；多条第三控制线；多个存储器单元集中的每个存储器单元集包括存储器单元并且分配给多条第一控制线中的对应的一条第一控制线，并且包括可经由对应的第一控制线、多个第...

提供了一种存储单元电路(200)，其可以包括：存储单元(202)，该存储单元(202)包括铁电结构(204)；连接到该存储单元(202)的第一控制端子(206

可以基于根据数字控制方案倾斜的两个或更多个供应电压来操作电子电路，该数字控制方案可以包括将经由第一数字控制电压转换器生成的第一输出电压(V