铁电存储器电路及其读取方法技术

一种铁电存储器电路(100)包括：存储器单元(102)，其中存储器单元(102)的存储器状态(102s)可在第一存储器状态与第二存储器状态之间切换，存储器单元(102)还配置成响应于接收读出电压(103)而输出电流(101)；和感测电路(104)，其配置成基于对由存储器单元(102)输出的电流(101)积分的结果来输出输出电压(105)，其中输出电压(105)表示存储器状态(102s)是第一存储器状态还是第二存储器状态。一存储器状态还是第二存储器状态。一存储器状态还是第二存储器状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铁电存储器电路及其读取方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年1月10日提交的第10 2020 100474.5号德国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]各方面涉及一种存储器单元电路及其方法，例如，一种用于操作(例如，读出)存储器单元的方法。

技术介绍

[0004]总的来说，在半导体工业中开发了各种计算机存储器技术。计算机存储器的基本构造块可以称为存储器单元。存储器单元可以为配置成(例如，逐位)存储至少一个信息的电子电路。例如，存储器单元可以具有例如表示逻辑“1”和逻辑“0”的至少两种存储器状态。通常，信息可以保持(存储)在存储器单元中，直到存储器单元的存储器状态改变，例如以受控的方式改变。存储在存储器单元中的信息可以通过确定存储器单元处于哪种存储器状态来获得。目前，各种类型的存储器单元可以用于存储数据。典型地，可以在存储器单元阵列中实现大量的存储器单元，其中存储器单元或预定义组的存储器单元中的每一者可以是单独可寻址的。在这种情况下，可以通过相应地寻址存储器单元来读出信息。此外，在半导体行业中已经开发了各种驱动器电路来控制存储器器件的一个或多个存储器单元的操作。存储器单元可以以这样的方式实现，即每个单个存储器单元或至少各种组的存储器单元是明确地可寻址的，例如用于写入(例如编程和/或擦除)和/或读取相应的存储器单元或各组的存储器单元。因此，可以使用各种驱动器方案来实现多个存储器单元的期望的寻址方案。
附图说明
[0005]在附图中，不同视图中相同的附图标记通常指相同的零件。附图不一定按比例绘制，相反，重点通常放在说明本专利技术的原理上。在以下描述中，参考以下附图描述了本专利技术的各个方面，其中：
[0006]图1至图5分别示意性地示出了根据各个方面的存储器单元电路的示例性配置；
[0007]图6示意性地示出了根据各个方面的感测电路的示例性配置；
[0008]图7和图8分别示意性地示出了根据各个方面的用于操作存储器单元电路的示例性方法；
[0009]图9示意性地示出了根据各个方面的存储器单元电路的示例性配置；
[0010]图10示意性地示出了根据各个方面的放大器的示例性配置；
[0011]图11示意性地示出了根据各个方面的用于操作存储器单元电路的示例性方法；
[0012]图12示意性地示出了根据各个方面的感测电路的示例性配置；
[0013]图13示意性地示出了根据各个方面的用于操作存储器单元电路的示例性方法；
[0014]图14和图15分别示意性地示出了根据各个方面的感测电路的示例性配置；
[0015]图16示意性地示出了根据各个方面的用于操作存储器单元电路的示例性方法；和
[0016]图17示意性地示出了根据各个方面的用于读出存储器单元的示例性方法。
具体实施方式
[0017]以下详细描述参考了以图解方式示出了可以实践本专利技术的具体细节和方面的附图。足够详细地描述了这些方面，以使本领域技术人员能够实践本专利技术。在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以利用其他方面，并且可以进行结构、逻辑和电气上的改变。各个方面不一定是相互排斥的，因为一些方面可以与一个或多个其他方面组合而形成新的方面。结合方法描述了各个方面，并且结合设备(例如，布置)描述了各个方面。然而，可以理解，结合方法描述的方面可以类似地应用于设备，反之亦然。
[0018]术语“至少一个”和“一个或多个”可以理解为包括大于或等于一的任何整数，即一、二、三、四、[
……
]等。术语“多个”可以理解为包括大于或等于二的任何整数，即二、三、四、五、[
……
]等。
[0019]关于一组元件的短语
“……
中的至少一者”在本文中可以用来表示由这些元件组成的组中的至少一个元件。例如，关于一组元件的短语
“……
中的至少一者”在本文中可以用来表示以下选择：所列元件中的一者、多个所列元件中的一者、多个单独的所列元件、或复数个多个所列元件。
[0020]如本文所用，术语“信号”可以指依赖于时间的物理量，例如电量(比如电流或电压)。例如，术语“信号”可以指(例如，依赖于时间的)电流和/或(例如，依赖于时间的)电压。作为电信号的电压可以是时间相关的(也称为电压信号)。作为电信号的电流可以是时间相关的(也称为电流信号)。取决于实际配置，可以通过感测电流和/或电压或其结果(残余效应)，比如电场或磁场，来处理(例如，转换)信号。
[0021]术语“耦合”可以用于表示(物理地和/或通信地，例如电气地)连接，其可以包括直接耦合或间接耦合。术语“耦合”或“连接”在本文中可以相对于节点、端子、电路部件等使用，以表示(例如，通信地，例如，电气地)连接，其可以包括直接连接或间接连接，其中间接连接可以仅包括信号(例如，电流)路径中不影响所描述的电路或设备的实质功能的附加结构。例如，术语“耦合”或“连接”可以相对于节点、端子、电路部件等是指表示导电连接。
[0022]在本文中用于描述一个或多个端子、节点、区域、触点等之间的电连接的术语“导电连接”可以理解为在电流路径中没有p
‑
n结的情况下由金属或退化半导体提供的具有例如欧姆行为的导电连接。术语“导电连接”也可以称为“电流地连接”。
[0023]在下文中，提及了对处理一个或多个信号并相互交换一个或多个信号的各种电路部件。为了交换一个或多个信号，电路部件可以例如经由导电连接和/或经由电路部件的一个或多个端子彼此通信地耦合。例如，一个或多个信号可以经由导电连接在电路部件内传送和/或从电路部件传送到电路部件，例如从端子传送到端子。例如，电路部件可以各自包括彼此耦合的相应端子。一个或多个信号可以经由电路部件的输出侧处的端子(也称为输出端子)输出，并且经由另一个电路部件的输入侧处的端子(也称为输入端子)接收。
[0024]其中在以下附图中，可以通过连接两个或多个电路部件的线来表示耦合(如有)，例如导电连接。例如，端子(如果存在的话)可以由线的起点和终点来表示，例如由节点(点)来强调，或者以其他方式来指示。可以理解，如果合适的话，可以使用其他类型的耦合。例
如，如果合适的话，部件也可以彼此电容性和/或电感性耦合，以交换一个或多个信号。在下文中，提及了通过端子和导电连接来交换一个或多个信号。可以理解，所做的提及可以类似地应用于交换一个或多个信号的其他类型的耦合。
[0025]术语“电压”在本文中可以用于“读出电压”、“基极电压”、“参照电压”、“输入电压”、“输出电压”、“电源电压”、“字线电压”、“位线电压”等。例如，术语“基极电压”在本文中可以用来表示电路的参照电压和/或参考电位。就电路而言，基极电压也可称为接地电压、接地电位、虚拟接地电压或零伏(0V)。电路的基极电压可以由用于操作电子电路的电源来定义。作为另一个示例，术语“源极/漏极电压”在本文中可以用来表示提供给晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器单元电路(100)，包括：存储器单元(102)，其中所述存储器单元(102)的存储器状态(102s)能在第一存储器状态与第二存储器状态之间切换，所述存储器单元(102)还配置成响应于接收读出电压(103)而输出电流(101)；感测电路(104)，配置成基于由所述存储器单元(102)输出的所述电流(101)来输出输出电压(105)，其中所述输出电压(105)表示所述存储器状态(102s)是所述第一存储器状态还是所述第二存储器状态。2.根据权利要求1所述的存储器单元电路(100)，还包括：供电电路(202)，其配置成向所述存储器单元(102)施加所述读出电压(103)。3.根据权利要求1或2所述的存储器单元电路(100)，其中所述感测电路(104)配置成对所述电流(101)进行积分，并基于对所述电流(101)积分的结果来提供所述输出电压(105)。4.根据权利要求1至3之一所述的存储器单元电路(100)，其中所述感测电路(104)包括至少一个电路元件(602)，所述至少一个电路元件(602)包括电容，其中所述感测电路(104)配置成通过所述电流(101)对所述电容充电或放电，其中所述输出电压(105)基于对所述电容充电或放电的结果，其中优选地，对所述电容充电或放电的所述结果包括电压。5.根据权利要求4所述的存储器单元电路(100)，其中所述感测电路(104)包括转换器，优选地为电压
‑
电压转换器，其配置成将对所述电容充电或放电的所述结果转换为所述输出电压(105)。6.根据权利要求5所述的存储器单元电路(100)，其中所述转换器包括运算放大器，优选地为运算跨导放大器，其中所述运算放大器的输入侧耦合到所述至少一个电路元件。7.根据权利要求5至6之一所述的存储器单元电路(100)，其中所述转换器包括逆变器(1202)，优选地为CMOS逆变器，其中所述逆变器(1202)的输入侧耦合到所述至少一个电路元件。8.根据权利要求7所述的存储器单元电路(100)，其中所述逆变器包括两个共源共栅晶体管(M3、M4)，所述逆变器(1202)的输出侧耦合在所述两个共源共栅晶体管(M3、M4)之间。9.根据权利要求8所述的存储器单元电路(100)，其中所述逆变器包括两个另外的晶体管(M2、M1)，所述两个共源共栅晶体管(M3、M4)耦合在所述两个另外的晶体管之间，其中优选地，每个另外的晶体管的栅极耦合到所述逆变器(1202)的所述输入侧。10.根据权利要求8或9所述的存储器单元电路(100)，其中所述感测电路(104)还包括：耦合到所述两个共源共栅晶体管(M3、M4)中的一者的第一控制端，以及耦合到所述两个共源共栅晶体管(M3、M4)中的另一者的第二控制端，优选地，所述第一控制端和所述第二控制端彼此分离。11.根据权利要求4至10之一所述的存储器单元电路(100)，其中所述感测电路(104)包括至少一个开关(RST)，所述至少一个开关(RST)并联耦合到所述至少一个电路元件(602)以重置所述电容。12.根据权利要求1至11之一所述的存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：铁电存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：