【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在存储器装置中基于计数器的读取
技术介绍
[0001]以下内容大体上涉及存储器装置，且更确切地说涉及具有基于计数器的读取能力的存储器装置及其方法。
[0002]存储器装置广泛地用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中存储信息。信息是通过编程存储器装置的不同状态而进行存储。例如，二进制装置具有两种状态，常常表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。
[0003]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它存储器。存储器装置可为易失性的或非易失性的。即使在不存在外部电源的情况下，例如FeRAM的非易失性存储器还可维持其所存储逻辑状态历时扩展的时间周期。易...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：存取存储器装置的多个存储器单元；基于所述存取产生所述多个存储器单元中的每个相应单元的相应电压；产生参考电压；基于所述相应电压及所述参考电压确定每个相应单元的逻辑状态；修改所述参考电压，直到确定为处于所述逻辑状态的相应单元的计数满足准则为止。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：基于根据最后经修改参考电压对所述逻辑状态的所述确定来提供输出。3.根据权利要求1所述的方法，其中产生每个相应单元的所述相应电压包括保持所述相应电压，且其中产生所述参考电压包括使所述参考电压斜变。4.根据权利要求3所述的方法，其中斜变包括至少部分地基于与所述多个存储器单元相关联的位翻转位的内容逐步地增大所述参考电压或逐步地降低所述参考电压。5.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述参考电压包括以二分法划分参考电压范围。6.根据权利要求1所述的方法，其中确定每个相应单元的所述逻辑状态包括：在所述相应电压低于所述参考电压时，确定所述每个相应单元处于第一逻辑状态；及在所述相应电压高于所述参考电压时，确定每个相应单元处于第二逻辑状态。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将错误校正算法(ECC)应用于每个相应单元的所确定逻辑状态。8.根据权利要求7所述的方法，其中将所述ECC算法多次应用于每个相应单元相对于经修改参考电压的所述所确定逻辑状态。9.根据权利要求7所述的方法，其中修改所述参考电压包括修改所述参考电压，直到确定为处于所述逻辑状态的单元的所述计数与存储于计数器中的值相差不超过所述错误校正算法(ECC)的错误检测能力为止。10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：在所述错误校正算法(ECC)能够错误校正所述相应单元的所述所确定逻辑状态的情况下，基于所述错误校正算法(ECC)的所述应用来提供输出。11.根据权利要求7所述的方法，其中所述ECC为具有第一校正能力的第一错误校正算法(ECC1)，所述方法进一步包括：如果所述第一错误校正算法(ECC1)检测到ECC1无法校正的错误，那么将第二错误校正算法(ECC2)应用于每个相应单元的所述所确定逻辑状态，所述第二错误校正算法(ECC2)具有高于所述第一错误校正算法(ECC1)的所述第一校正能力的第二校正能力；及基于所述第二错误校正算法(ECC2)的所述应用来提供输出。12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：读取与所述多个存储器单元相关联的计数器及/或位翻转位，其中读取所述计数器及/或所述位转换并非在修改所述参考电压之后进行。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述计数器包括非易失性存储器单元、呈差分布置的一对存储器单元、呈多数表决布置的多个存储器单元、用于错误校正的一或多个存储器单元或其组合中的一者。
14.根据权利要求12所述的方法，其中产生相应电压包括产生每个相应单元的信号，且所述方法进一步包括：在信号产生期间掩模读取所述计数器及/或所述位转换。15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：编程所述多个存储器单元；及在计数器中存储对应于所述多个存储器单元中处于所述逻辑状态的存储器单元的数目的值。16.根据权利要求15所述的方法，其中编程所述多个存储器单元包括在所述多个存储器单元的每个存储器单元中存储经编码值，其中呈所述逻辑状态的经编码值...
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