【技术实现步骤摘要】
存储器单元布置及其方法
[0001]各个方面涉及存储器单元布置及其方法，例如用于操作存储器单元布置的方法。
技术介绍
[0002]总体上，半导体行业中已经开发了各种计算机存储器技术。计算机存储器的基本构建块可被称为存储器单元。存储器单元可以是被配置为存储至少一个信息(例如，按位的方式)的电子电路。作为实例，存储器单元可具有表示例如逻辑“1”和逻辑“0”的至少两种存储器状态。通常，信息可保持(存储)在存储器单元中，直至例如以受控方式修改存储器单元的存储器状态为止。可通过确定存储器单元驻留在哪种存储器状态中来获得存储器单元中存储的信息。目前，可使用各种类型的存储器单元来存储数据。通常，可将大量存储器单元实现为存储器单元阵列，其中，可对每个存储器单元或预定义的存储器单元组单独寻址。在这种情况下，可通过对存储器单元进行相应寻址来读出信息。此外，在半导体工业中已开发出各种驱动器电路来控制存储器件的一个或多个存储器单元的操作。可以如下方式来实现存储器单元，即，使得每个单个存储器单元或至少各个存储器单元组明确可寻址，例如用于对相应存储器单元或存储器单元组进行写入(例如，编程和/或擦除)和/或读取。
附图说明
[0003]在附图中，相同的附图标记在不同视图中通常表示相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是重点通常放在示出本专利技术的原理上。在以下描述中，参考以下附图描述本专利技术的各个方面，在附图中：
[0004]图1A、图1B、图2A、图3A、图3C和图3D各自示意地示出根据各个方面的存储器单元布置；>[0005]图1C、图2B和图3B各自示出根据各个方面的存储器单元布置的立体图；
[0006]图4A示意地示出根据各个方面的存储器单元；
[0007]图4B示意地示出根据各个方面的存储器单元布置；
[0008]图4C至图4H示意地示出根据各个方面的各种架构和寻址方案的存储器单元布置；
[0009]图4I至图4L各自示意地示出根据各个方面的示例存储器单元布置；
[0010]图5A和图5B各自示意地示出根据各个方面的包括四个存储器单元的示例存储器单元布置；
[0011]图5C示出根据各个方面的包括四个存储器单元的存储器单元布置的示例配置；
[0012]图5D示出根据各个方面的由一个或多个控制电路驱动的存储器单元布置的立体图；
[0013]图5E示出根据各个方面的包括四个多位存储器单元的存储器单元布置的示例配置；
[0014]图5F示意地示出根据各个方面的具有NAND架构的存储器单元布置的截面；
[0015]图6A和图6B各自示意地示出根据各个方面的具有NOR架构并包括多位存储器单元
的存储器单元布置；
[0016]图6C和图6D各自示意地示出根据各个方面的具有NAND架构并包括多位存储器单元的存储器单元布置；
[0017]图6E示意地示出根据各个方面的具有AND架构并包括多位存储器单元的存储器单元布置；
[0018]图7A至图7E各自示意地示出根据各个方面的包括多位存储器单元的示例存储器单元布置；
[0019]图8示出根据各个方面的用于制造存储器单元布置的方法的示意流程图；
[0020]图9示出根据各个方面的用于操作存储器单元布置的方法的示意流程图。
具体实施方式
[0021]下面的详细描述参考附图，这些附图通过说明的方式示出可实施本专利技术的具体细节和方面。这些方面被足够详细地描述以使本领域技术人员能够实践本专利技术。在不脱离本专利技术的范围的情况下，可利用其他方面并可进行结构、逻辑和电气改变。各个方面不一定是相互排斥的，因为一些方面可与一个或多个其他方面结合以形成新的方面。结合方法描述了各个方面，并且结合器件(例如布置)描述了各个方面。然而，可理解，结合方法描述的方面可类似地应用于器件，反之亦然。
[0022]术语“至少一个”和“，一个或多个”可理解为包括大于或等于一的任何整数，即一、二、三、四
……
等。术语“多个”可理解为包括大于或等于二的任何整数，即二、三、四、五
……
等。
[0023]关于一组元件的短语“至少一个”在本文中可用于表示来自由这些元件组成的组中的至少一个元件。例如，关于一组元件的短语“中的至少一个”在本文中可用于表示以下选择：所列元件中的一个、所列元件中的多个、多个单独的所列元件、或多个多重个所列出的元件。
[0024]元件或一组元件“包括”另外的元件或另一组元件这一短语在本文中可用于表示该另外的元件或另一组元件可以是该元件或该组元件的一部分或该元件或该组元件可被配置或形成为另外的元件或另一元件组(例如，该元件可以是另一元件)。
[0025]短语“明确分配”在本文中可用于表示一对一分配(例如，分派，如对应)或双射分配。例如，第一元件被明确分配给第二元件可包括第二元件被明确分配给第一元件。作为另一示例，第一组元件被明确分配给第二组元件可包括第一组元件的每个元件被明确分配给第二组元件的对应元件，并且第二组元件的对应元件被明确分配给第一组元件的该元件。
[0026]术语“连接”在本文中可针对节点、集成电路元件等来用于表示电连接，电连接可包括直接连接或间接连接，其中，间接连接可仅包括电流路径中不影响所描述的电路或器件的基本功能的附加结构。本文中用于描述一个或多个端子、节点、区域、触点等之间的电气连接的术语“导电连接”可理解为具有例如欧姆特性的导电连接，例如电流路径中不存在p
‑
n结的情况下由金属或简并半导体提供。术语“导电连接”也可称为“电连接”。
[0027]术语“电压”在本文中可关于“一个或多个位线电压”、“一个或多个字线电压”、“一个或多个杠杆线电压”、“一个或多个源极线电压”、“一个或多个控制线电压”、“一个或多个基极电压”等使用。作为示例，术语“基极电压”在本文中可用于表示电路的参考电压和/或
参考电位。对于电路，基极电压也可被称为地电压、地电位、虚拟地电压或零伏特(0V)。电路的基极电压可由用于操作电子电路的电源限定。作为另一示例，术语“控制线电压”在本文中可用于表示被提供给例如存储器单元布置的控制线的电压(例如，“字线电压”可被提供给“字线”，“杠杆线电压”可被提供给“字线”，“位线电压”可被提供给位线，并且“源极线电压”可被提供给源极线)。电压差(例如，电压降)的符号可定义为存储器单元内部(例如，第一电极部分处)的电位减去存储器单元的第二电极部分处的电位。
[0028]说明性地，根据对包括节点或端子的电路的预期操作，被提供给节点或端子的电压可采用任何合适的值。例如，位线电压(被称为V
BL
或VBL)可根据对存储器单元布置的预期操作而变化。类似地，字线电压(被称为V
WL
或VWL)、板线电压(被称为V
PL
或VPL)和/或源极线电压(被称为V
SL
或VSL)可根据对存储器单元布置的预期操作而变化。被本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器单元布置，包括：一个或多个存储器单元，所述一个或多个存储器单元中的每个存储器单元包括：场效应晶体管结构；多个第一控制节点；多个第一电容器结构，所述多个第一电容器结构中的每个第一电容器结构包括连接至所述多个第一控制节点中的对应第一控制节点的第一电极、连接至所述场效应晶体管结构的栅极区的第二电极以及设置在所述第一电容器结构的所述第一电极与所述第二电极之间的自发极化区；第二控制节点；以及第二电容器结构，包括连接至所述第二控制节点的第一电极和连接至所述场效应晶体管的所述栅极区的第二电极。2.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述多个第一电容器结构中的每个第一电容器结构配置为处于至少两种存储器状态中的一种存储器状态中。3.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述多个第一电容器结构中的每个第一电容器结构具有相应第一电容，并且其中，所述第二电容器结构具有不同于所述第一电容中的一个或多个第一电容的第二电容。4.根据权利要求1所述的存储器单元布置，所述一个或多个存储器单元中的每个存储器单元还包括：第三控制节点，耦合至所述场效应晶体管结构的第一区和/或第二区。5.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述一个或多个存储器单元是多个存储器单元，所述存储器单元布置还包括：多个第一控制线，包括一个或多个第一控制线第一子集，所述一个或多个第一控制线第一子集中的第一控制线第一子集中的每个第一控制线连接至所述多个存储器单元中的存储器单元第一子集的对应第一控制节点；一个或多个第二控制线，连接至所述多个存储器单元中的存储器单元第二子集中的每个存储器单元的第二控制节点。6.根据权利要求5所述的存储器单元布置，还包括：一个或多个第三控制线，连接至所述一个或多个存储器单元第一子集中的对应存储器单元第一子集中的每个存储器单元的第三控制节点，其中，所述第三控制节点耦合至相应场效应晶体管结构的第一区和/或第二区。7.根据权利要求1所述的存储器单元布置，还包括：控制电路，配置为对所述多个存储器单元中的选定存储器单元的选定第一电容器结构进行写入；其中，对所述选定第一电容器结构进行写入包括：将写入电压提供给连接至所述选定存储器单元的所述选定第一电容器结构的第一控制节点的第一控制线；以及将第一杠杆电压提供给连接至所述选定存储器单元的第二控制节点的第二控制线。8.根据权利要求7所述的存储器单元布置，所述一个或多个存储器单元中的每个存储器单元还包括：
第三控制节点，耦合至所述场效应晶体管结构的第一区和/或第二区；其中，对所述选定存储器单元的所述选定第一电容器结构进行写入还包括：将第一控制电压提供给连接至所述选定存储器单元的第三控制节点的第三控制线。9.根据权利要求7所述的存储器单元布置，其中，所述控制电路进一步配置为在对所述选定存储器单元的所述选定第一电容器结构进行写入期间防止对所述选定存储器单元的非选定第一电容器结构进行写入，其中，防止对所述非选定第一电容器结构进行写入包括：将第一禁止电压提供给连接至所述选定存储器单元的所述非选定第一电容器结构的第一控制节点的第一控制线中的每个第一控制线。10.根据权利要求7所述的存储器单元布置，其中，所述控制电路进一步配置为在对所述选定存储器单元的所述选定第一电容器结构进行写入期间防止对所述多个存储器单元中的一个或多个非选定存储器单元的第一电容器结构进行写入，其中，防止对一个或多个非选定存储器单元进行写入包括：在将所述写入电压提供给连接至所述非选定存储器单元的第一控制节点的第一控制线的情况下，向连接至所述非选定存储器单元的第二控制节点的第二控制线提供第二杠杆电压，其中，所述第二杠杆电压的电压值不同于所述第一杠杆电压的电压值。11.根据权利要求7所述的存储器单元布置，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：铁电存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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