存储器单元布置及其方法技术

一种存储器单元布置可包括：第一存储器单元，包括第一场效应晶体管结构，耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容存储器结构，以及耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容杠杆结构，并且其中，多个存储器单元中的第二存储器单元包括：第二场效应晶体管结构，耦合至第二场效应晶体管结构的栅极的第二电容存储器结构，以及耦合至第二场效应晶体管结构的栅极的第二电容杠杆结构；其中，第一电容存储器结构和/或第二电容存储器结构中的至少一个设置在第一电容杠杆结构和第二电容杠杆结构之间的存储器结构区域中。杆结构之间的存储器结构区域中。杆结构之间的存储器结构区域中。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元布置及其方法


[0001]各个方面涉及存储器单元布置及其方法，例如用于操作存储器单元布置的方法。

技术介绍

[0002]总体上，半导体行业中已经开发了各种计算机存储器技术。计算机存储器的基本构建块可被称为存储器单元。存储器单元可以是被配置为存储至少一个信息(例如，按位的方式)的电子电路。作为实例，存储器单元可具有表示例如逻辑“1”和逻辑“0”的至少两种存储器状态。通常，信息可保持(存储)在存储器单元中，直至例如以受控方式修改存储器单元的存储器状态为止。可通过确定存储器单元驻留在哪种存储器状态中来获得存储器单元中存储的信息。目前，可使用各种类型的存储器单元来存储数据。通常，可将大量存储器单元实现为存储器单元阵列，其中，可对每个存储器单元或预定义的存储器单元组单独寻址。在这种情况下，可通过对存储器单元进行相应寻址来读出信息。此外，在半导体工业中已开发出各种驱动器电路来控制存储器件的一个或多个存储器单元的操作。可以如下方式来实现存储器单元，即，使得每个单个存储器单元或至少各个存储器单元组明确可寻址，例如用于对相应存储器单元或存储器单元组进行写入(例如，编程和/或擦除)和/或读取。
附图说明
[0003]在附图中，相同的参考数字在不同视图中通常表示相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是重点通常放在示出本专利技术的原理上。在以下描述中，参考以下附图描述本专利技术的各个方面，在附图中：
[0004]图1示意地示出根据各个方面的存储器单元；
[0005]图2示意地示出根据各个方面的存储器单元布置；
[0006]图3A示意地示出根据各个方面的在对存储器单元布置的存储器单元进行写入期间的具有NOR架构的存储器单元布置；
[0007]图3B示意地示出根据各个方面的在对存储器单元布置的存储器单元进行读取期间的具有NOR架构的存储器单元布置；
[0008]图3C示意地示出根据各个方面的具有NOR架构的存储器单元布置；
[0009]图4A示意地示出根据各个方面的在对存储器单元布置的存储器单元进行写入期间的具有NAND架构的存储器单元布置；
[0010]图4B示意地示出根据各个方面的在对存储器单元布置的存储器单元进行读取期间的具有NAND架构的存储器单元布置；
[0011]图4C示意地示出根据各个方面的具有NAND架构的存储器单元布置；
[0012]图5示意地示出根据各个方面的具有AND架构的存储器单元布置；
[0013]图6A至图6F示意地示出根据各个方面的存储器单元布置及其布局；
[0014]图7A至图7F示意地示出根据各个方面的存储器单元布置及其布局；以及
[0015]图8示出根据各个方面的用于处理存储器单元布置的方法的流程图。
具体实施方式
[0016]下面的详细描述参考附图，这些附图通过说明的方式示出可实施本专利技术的具体细节和方面。这些方面被足够详细地描述以使本领域技术人员能够实践本专利技术。在不脱离本专利技术的范围的情况下，可利用其他方面并可进行结构、逻辑和电气改变。各个方面不一定是相互排斥的，因为一些方面可与一个或多个其他方面结合以形成新的方面。结合方法描述了各个方面，并且结合器件(例如布置)描述了各个方面。然而，可理解，结合方法描述的方面可类似地应用于器件，反之亦然。
[0017]术语“至少一个”和“，一个或多个”可理解为包括大于或等于一的任何整数，即一、二、三、四......等。术语“多个”可理解为包括大于或等于二的任何整数，即二、三、四、五......等。
[0018]关于一组元件的短语“至少一个”在本文中可用于表示来自由这些元件组成的组中的至少一个元件。例如，关于一组元件的短语“中的至少一个”在本文中可用于表示以下选择：所列元件中的一个、所列元件中的多个、多个单独的所列元件、或多个多重个所列出的元件。
[0019]元件或一组元件“包括”另外的元件或另一组元件这一短语在本文中可用于表示该另外的元件或另一组元件可以是该元件或该组元件的一部分或该元件或该组元件可被配置或形成为另外的元件或另一元件组(例如，该元件可以是另一元件)。
[0020]短语“明确分配”在本文中可用于表示一对一分配(例如，分派，如对应)或双射分配。例如，第一元件被明确分配给第二元件可包括第二元件被明确分配给第一元件。作为另一示例，第一组元件被明确分配给第二组元件可包括第一组元件的每个元件被明确分配给第二组元件的对应元件，并且第二组元件的对应元件被明确分配给第一组元件的该元件。
[0021]术语“连接”在本文中可针对节点、集成电路元件等来用于表示电连接，电连接可包括直接连接或间接连接，其中，间接连接可仅包括电流路径中不影响所描述的电路或器件的基本功能的附加结构。本文中用于描述一个或多个端子、节点、区域、触点等之间的电气连接的术语“导电连接”可理解为具有例如欧姆特性的导电连接，例如电流路径中不存在p
‑
n结的情况下由金属或简并半导体提供。术语“导电连接”也可称为“电连接”。
[0022]术语“电压”在本文中可关于“一个或多个位线电压”、“一个或多个字线电压”、“一个或多个杠杆线电压”、“一个或多个源极线电压”、“一个或多个控制线电压”、“一个或多个基极电压”等使用。作为示例，术语“基极电压”在本文中可用于表示电路的参考电压和/或参考电位。对于电路，基极电压也可被称为地电压、地电位、虚拟地电压或零伏特(0V)。电路的基极电压可由用于操作电子电路的电源限定。作为另一示例，术语“控制线电压”在本文中可用于表示被提供给例如存储器单元布置的控制线的电压(例如，“字线电压”可被提供给“字线”，“杠杆线电压”可被提供给“字线”，“位线电压”可被提供给位线，并且“源极线电压”可被提供给源极线)。电压差(例如，电压降)的符号可定义为存储器单元内部(例如，第一电极部分处)的电位减去存储器单元的第二电极部分处的电位。
[0023]说明性地，根据对包括节点或端子的电路的预期操作，被提供给节点或端子的电压可采用任何合适的值。例如，位线电压(被称为V
BL
或VBL)可根据对存储器单元布置的预期操作而变化。类似地，字线电压(被称为V
WL
或VWL)、板线电压(被称为V
PL
或VPL)和/或源极线电压(被称为V
SL
或VSL)可根据对存储器单元布置的预期操作而变化。被提供给节点或端子
的电压可由施加至该节点或端子的相对于电路的基极电压(被称为V
B
)的相应电位来限定。此外，与电路的两个不同节点或端子相关联的电压降可由施加在两个节点或端子处的相应电压/电位限定。作为示例，与存储器单元布置的存储器单元(例如，存储器单元的电极)相关联的位线电压降可由施加在对应存储器单元(例如，存储器单元的电极)处的相应电压/电位限定。例如，基于n型或p型场效应晶体管(FET)的存储器单元可具有第一阈值电压和第二阈值电压，第一阈值电压也被称为低阈值电压(V<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器单元布置，包括：多个存储器单元；其中，所述多个存储器单元中的第一存储器单元包括：第一场效应晶体管结构、耦合至所述第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容存储器结构以及耦合至所述第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容杠杆结构，并且其中，所述多个存储器单元中的第二存储器单元包括：第二场效应晶体管结构、耦合至所述第二场效应晶体管结构的栅极的第二电容存储器结构以及耦合至所述第二场效应晶体管结构的栅极的第二电容杠杆结构；其中，所述第一电容杠杆结构设置在形成在所述第一场效应晶体管结构的栅极上方的第一凹槽中，其中，所述第二电容杠杆结构设置在形成在所述第二场效应晶体管结构的栅极上方的第二凹槽中，并且其中，所述第一电容存储器结构和所述第二电容存储器结构设置在所述第一电容杠杆结构和所述第二电容杠杆结构之间的存储器结构区域中。2.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一存储器单元中的场效应晶体管结构和所述第二存储器单元中的场效应晶体管结构各自包括：源极区域；漏极区域；从所述源极区域延伸到所述漏极区域的沟道区域，其中，相应栅极邻近所述沟道区域设置，以控制其一个或多个电气特性。3.根据权利要求2所述的存储器单元布置，其中，所述第一场效应晶体管结构的源极区域和所述第二场效应晶体管结构的源极区域彼此导电连接。4.根据权利要求3所述的存储器单元布置，还包括：在半导体衬底上方和/或在半导体衬底中的至少一种方式的源极扩散，其中，所述第一场效应晶体管结构的源极区域和所述第二场效应晶体管结构的源极区域以在所述半导体衬底上方和/或在所述半导体衬底中的至少一种方式形成，并且其中，所述源极扩散将所述第一场效应晶体管结构的源极区域和所述第二场效应晶体管结构的源极区域彼此导电连接。5.根据权利要求4所述的存储器单元布置，其中，所述存储器结构区域设置在所述源极扩散上方。6.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一电容存储器结构包括底部电极，并且其中，所述第一电容杠杆结构包括底部电极，其中所述第一电容存储器结构的底部电极和所述第一电容杠杆结构的底部电极由第一单电极层形成，和/或其中，所述第一电容存储器结构的底部电极和所述第一电容杠杆结构的底部电极彼此导电连接。7.根据权利要求6所述的存储器单元布置，其中，第二电容存储器结构包括底部电极，其中，所述第二电容杠杆结构包括底部电极，并且其中，所述第二电容存储器结构的底部电极和所述第二电容杠杆结构的底部电极由第二单电极层形成，和/或其中，所述第二电容存储器结构的底部电极和所述第二电容杠杆结
构的底部电极彼此导电连接。8.根据权利要求7所述的存储器单元布置，其中，所述第一单电极层从所述存储器结构区域延伸进入对应于所述第一电容杠杆结构的凹槽中；其中，所述第二单电极层从所述存储器结构区域延伸进入对应于所述第二电容杠杆结构的凹槽中；并且其中，所述第一单电极层与所述第二单电极层电气分离，以允许对所述第一存储器单元和所述第二存储器单元分别单独寻址。9.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一电容存储器结构包括顶部电极，其中，所述第一电容杠杆结构包括顶部电极，并且其中，所述第一电容存储器结构的顶部电极和所述第一电容杠杆结构的顶部电极彼此电气分离，以允许对所述第一电容杠杆结构和所述第一电容存储器结构分别单独寻址。10.根据权利要求9所述的存储器单元布置，其中，所述第二电容存储器结构包括顶部电极，其中，所述第二电容杠杆结构包括顶部电极，并且其中，所述第二电容存储器结构的顶部电极和所述第二电容杠杆结构的顶部电极彼此电气分离，以允许对所述第二电容杠杆结构和所述第二电容存储器结构分别单独寻址。11.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一电容存储器结构包括剩余极化层；并且其中，所述第二电容存储器结构包括剩余极化层。12.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一电容杠杆结构包括剩余极化层；并且其中，所述第二电容杠杆结构包括剩余极化层。13.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一电容杠杆结构包括非剩余极化的介电层；并且其中，所述第二电容杠杆结构包括非剩余极化的介电层。14.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一电容杠杆结构包括第一功能层部分；其中，所述第一电容存储器结构包括第二功能层部分；其中，所述第二电容杠杆结构包括第三功能层部分；其中，所述第二电容存储器结构包括第四功能层部分；其中，所述第一功能层...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：铁电存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：