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一种存储器单元布置可包括：第一存储器单元，包括第一场效应晶体管结构，耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容存储器结构，以及耦合至第一场效应晶体管结构的栅极的第一电容杠杆结构，并且其中，多个存储器单元中的第二存储器单元包括：第二场效应晶体...
该专利属于铁电存储器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铁电存储器股份有限公司授权不得商用。

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