存储器单元、电容存储器结构及其方法技术

根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的存储器层，其中存储器层包括具有第一氧空位浓度的第一存储器部分和具有不同于第一氧空位浓度的第二氧空位浓度的第二存储器部分。位浓度的第二存储器部分。位浓度的第二存储器部分。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元、电容存储器结构及其方法


[0001]各个方面涉及一种存储器单元及其方法，例如一种用于处理存储器单元的方法。

技术介绍

[0002]总体上，在半导体行业中已经开发了各种计算机存储器技术。计算机存储器的基本构建块可被称为存储器单元。存储器单元可以是被配置为(例如，按位)存储至少一条信息的电子电路。作为示例，存储器单元可具有表示例如逻辑“1”和逻辑“0”的至少两个存储器状态。通常，信息可保持(存储)在存储器单元中，直至例如以受控方式修改存储器单元的存储器状态为止。可通过确定存储器单元处于哪个存储器状态来获得存储器单元中存储的信息。目前，可使用各种类型的存储器单元来存储数据。例如，存储器单元的类型可包括铁电材料薄膜，其极化状态可以以受控方式改变，从而例如以非易失性方式将数据存储在存储器单元中。存储器单元可与一个或多个逻辑电路一起集成在例如晶圆或芯片上。
附图说明
[0003]在附图中，相同的附图标记在不同视图中通常表示相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是将重点通常放在示出本专利技术的原理上。在以下描述中，参考以下附图描述本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器单元，包括：第一电极；第二电极；和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的存储器层，其中所述存储器层包括具有第一氧空位浓度的第一存储器部分和具有不同于所述第一氧空位浓度的第二氧空位浓度的第二存储器部分。2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二氧空位浓度比所述第一氧空位浓度大至少10倍。3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一氧空位浓度或所述第二氧空位浓度中的至少一者大于10
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空位/cm3。4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一存储器部分包括或由具有第一氧含量的第一材料组成，并且所述第二存储器部分包括或由具有小于所述第一氧含量的第二氧含量的第二材料组成。5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中所述第一材料包括彼此处于第一化学计量关系的氧和金属，并且其中所述第二材料包括彼此处于第二化学计量关系的氧和金属，所述第一化学计量关系不同于所述第二化学计量关系。6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一存储器部分的宽度大于5nm，并且其中所述第一存储器部分的厚度在大约0.1nm至大约5nm的范围内，并且其中所述第二存储器部分的宽度大于5nm，所述第二存储器部分的厚度在大约0.1nm至大约5nm的范围内。7.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括具有第三氧空位浓度的第三存储器部分，其中所述第三氧空位浓度等于所述第一氧空位浓度或所述第二氧空位浓度中的一者。8.根据权利要求7所述的存储器单元，还包括具有第四氧空位浓度的第四存储器部分，其中所述第四氧空位浓度等于所述第一氧空位浓度或所述第二氧空位浓度中的另一者。9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一存储器部分包括具有第一晶体结构的材料，并且所述第二存储器部分包括具有第二晶体结构的材料，其中所述第一晶体结构在晶格中氧空位的数量方面不同于所述第二晶体结构。10.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述存储器层是剩余极化的或自发极化的。11.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一存储器部分和/或所述第二存储器部分的材料包括以下材料中的至少一者作为主要组分：氧化铪，氧化锆，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：铁电存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：