一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元制造技术

本发明专利技术公开了一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元，包括读字线RWL、写字线WWL、写位线WBL、反相写位线WBLB、读位线RBL、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管组成了读写分离的SRAM结构；第九MOS管、第十MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器组成了分压式忆阻器结构，用于存储数据以及数据恢复；优点是在读方面稳定性较高，且恢复成功率高，抗干扰能力强。抗干扰能力强。抗干扰能力强。

【技术实现步骤摘要】
一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元


[0001]本专利技术涉及一种SRAM存储单元，尤其是涉及一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元。

技术介绍

[0002]SRAM(Static Random Access Memory)是一种数据存储结构，但是这种结构在系统断电之后便无法继续存储数据，再次开启电源后无法快速恢复到之前工作状态，要恢复到之前的状态会耗费大量功耗。因此，将忆阻器与传统SRAM相结合构成的非易失性存储单元，具有掉电存储功能，是一种很有前途的功耗解决方案，它不仅可以解决忆阻器单独使用读写速度慢的问题，还可以解决传统SRAM上电恢复功耗高的问题。
[0003]当前，文献1(W Wei,K Namba,and J Han et al.IEEE T.NANO,p.905
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916(2014).中W Wei等提出了采用7个晶体管和1个忆阻器设计的非易失性存储单元的设计方案，该方案采用由6个晶体管构成的SRAM结构以及由1个晶体管和1个忆阻器构成的忆阻器结构组成，1个晶体管和1个忆阻器构成的忆阻器结构用于SRAM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元，其特征在于包括读字线RWL、写字线WWL、写位线WBL、反相写位线WBLB、读位线RBL、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器；所述的第一MOS管、所述的第四MOS管、所述的第五MOS管、所述的第六MOS管、所述的第七MOS管、所述的第八MOS管、所述的第九MOS管和所述的第十MOS管均为NMOS管，所述的第二MOS管和所述的第三MOS管均为PMOS管；所述的第一MOS管的漏极、所述的第二MOS管的漏极、所述的第三MOS管的栅极、所述的第四MOS管的栅极、所述的第五MOS管的漏极和所述的第一忆阻器的top端连接，所述的第一MOS管的源极、所述的四MOS管的源极、所述的第八MOS管的源极和所述的第十MOS管的源极接地，所述的第一MOS管的栅极、所述的第二MOS管的栅极、所述的第三MOS管的漏极、所述的第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜世民，殷金曙，戴晟，
申请(专利权)人：宁波大学科学技术学院，
类型：发明
国别省市：