一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备，涉及微电子技术领域。所述方法包括：向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，可以实现降低功耗的同时也可以保证铁电存储器的读写性能，使得铁电存储器的应用场景得到进一步的拓展，不仅能满足节能型芯片的低功耗要求，同时也可以在需要快速写入时提高写入速度，提高了铁电存储器的使用寿命。铁电存储器的使用寿命。铁电存储器的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及微电子
，尤其涉及一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备。

技术介绍

[0002]铁电存储器是在半导体技术发展的基础上发展起来的一种新型存储器。铁电存储器架起了随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Random Only Memory，ROM)这两种存储器之间的桥梁，可以兼容RAM的功能，又是一种类似ROM的非挥发性记忆体。与动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)结构相同的1T1C(一个晶体管一个铁电电容)铁电存储器，作为一种新型存储器，1T1C铁电存储器具有读写速度快、功耗低、使用寿命长和抗辐照特性好等优点。因其上述优点1T1C铁电存储器在可穿戴设备和物联网设备等低功耗设备上具有广阔的应用前景。
[0003]为了让铁电存储器适用于更多的应用场景中，在保证存储逻辑状态的正确性和足够大的读出窗口值的同时，需要通过器件工艺和电路设计的协同优化使铁电存储器的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法，其特征在于，应用于包括铁电存储器的电子设备，所述方法包括：向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入。2.根据权利要求1所述的自适应工作频率的铁电存储器写入方法，其特征在于，两个不同的所述写入电压包括一个高写入电压和一个低写入电压；铁电存储器包括三个不同的使能信号，所述三个不同的使能信号包括第一使能信号，第二使能信号和第三使能信号；所述基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，包括：在对所述铁电存储器进行数据写入时，所述第一使能信号翻转为高电平状态，第二使能信号翻转为高电平状态，基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，确定所述位线上的所述低写入电压所占的时间，控制在所述低写入电压所占的时间内通过所述低写入电压下完成数据的写入；在所述第二使能信号翻转为低电平状态，所述第三使能信号翻转为高电平状态，基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，确定所述位线上的所述高写入电压所占的时间，控制在所述高写入电压所占的时间内通过所述高写入电压下完成数据的写入。3.根据权利要求2所述的自适应工作频率的铁电存储器写入方法，其特征在于，所述基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，包括：在低功耗写入状态下，基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的所述低写入电压所占的时间大于所述高写入电压所占的时间，完成数据的写入。4.根据权利要求3所述的自适应工作频率的铁电存储器写入方法，其特征在于，所述基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，包括：在高性能写入状态下，基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的所述高写入电压所占的时间大于所述低写入电压所占的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建国，罗庆，韩忠泽，张栋林，韩永康，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：