用于存储器的压印管理制造技术

本发明专利技术描述用于存储器系统的压印恢复管理的方法、系统及装置。在一些情况中，存储器单元可被压印，其可指代其中单元变成倾向于存储一种逻辑状态而非另一逻辑状态、抗拒被写入到不同逻辑状态、或两者的条件。压印存储器单元可使用可根据各种条件、检测或推断启动的恢复或修复过程来恢复。在一些实例中，系统可经配置以执行根据特性化的压印严重性、操作模式、环境条件、及其它因素按比例缩放或选择的压印恢复操作。压印管理技术可增加存储器系统或其组件可在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下以其操作的稳健性、准确性或效率。准确性或效率。准确性或效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器的压印管理
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主张由班加罗尔
·
拉克什曼(Bangalore Lakshman)等人在2019年9月24日申请的标题为“用于存储器的压印管理(IMPRINT MANAGEMENT FOR MEMORY)”的第16/580,935号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且以引用方式明确并入本文中。

技术介绍

[0003]下文大体上涉及包含至少一个存储器装置的系统，且更明确来说，涉及用于存储器系统的压印管理。
[0004]存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，所述电子装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0标示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；使用第一参考电压读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；使用第二参考电压读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于所述第一组逻辑状态的第三组逻辑状态；确定与所述第二组逻辑状态相关联的错误的第一数量及与所述第三组逻辑状态相关联的错误的第二数量；及至少部分基于错误的所述第一数量与错误的所述第二数量之间的差异对所述存储器阵列执行恢复操作。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分基于错误的所述第一数量及错误的所述第二数量计算梯度；及比较所述计算得到的梯度与预期梯度，其中执行所述恢复操作是至少部分基于比较所述计算得到的梯度与所述预期梯度。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述预期梯度是至少部分基于来自以所述第一参考电压读取存储器单元的所述子集的错误的第一预期数量及来自以所述第二参考电压读取存储器单元的所述子集的错误的第二预期数量。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：识别用于读取所述存储器阵列的其它存储器单元的参考电压，其中：所述第一参考电压及所述第二参考电压小于所述参考电压；写入所述第一组逻辑状态包括将相同逻辑状态写到所述子集的每一存储器单元；且执行所述恢复操作是至少部分基于错误的所述第一数量大于用于以所述第一参考电压读取的错误的第一预期数量、错误的所述第二数量小于用于以所述第二参考电压读取的错误的第二预期数量、或两者。5.根据权利要求4所述的方法，其中：所述第二参考电压小于所述第一参考电压；及使用所述第一参考电压读取在使用所述第二参考电压读取之前发生。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：识别用于读取所述存储器阵列的其它存储器单元的参考电压，其中：所述第一参考电压及所述第二参考电压大于所述参考电压；写入所述第一组逻辑状态包括将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元；且执行所述恢复操作是至少部分基于错误的所述第一数量大于用于以所述第一参考电压读取的错误的第一预期数量、错误的所述第二数量小于用于以所述第二参考电压读取的错误的第二预期数量、或两者。7.根据权利要求6所述的方法，其中：所述第二参考电压大于所述第一参考电压；及使用所述第一参考电压读取在使用所述第二参考电压读取之前发生。8.根据权利要求1所述的方法，其中：写入所述第一组逻辑状态包括将第一逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第一
部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第二部分。9.一种方法，其包括：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；使用参考电压读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；至少部分基于以所述参考电压的所述读取确定所述第二组逻辑状态与所述第一组逻辑状态之间的差异的数量；及至少部分基于比较差异的所述数量与和以所述参考电压的读取相关联的差异的预期数量对所述存储器阵列执行恢复操作。10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：将第三组逻辑状态写入到所述存储器阵列的存储器单元的第二子集；使用第二参考电压读取存储器单元的所述第二子集以获得至少部分基于写入所述第三组逻辑状态的第四组逻辑状态；至少部分基于使用所述第二参考电压读取来确定所述第四组逻辑状态与所述第三组逻辑状态之间的差异的第二数量；及至少部分基于比较差异的所述第二数量与和以所述第二参考电压的读取相关联的差异的第二预期数量来执行所述恢复操作。11.根据权利要求10所述的方法，其中：所述参考电压低于用于读取所述存储器阵列的存储器单元的默认参考电压；且所述第二参考电压高于所述默认参考电压。12.根据权利要求9所述的方法，其中：写入所述第一组逻辑状态包括将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元。...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：