双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器技术

本发明专利技术公开了一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本发明专利技术采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。应用在三维集成技术中。应用在三维集成技术中。

【技术实现步骤摘要】
双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器


[0001]本专利技术涉及存储
，尤其涉及的是一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器。

技术介绍

[0002]铁电材料是指具有铁电效应的材料，它具备铁电性和压电性，即可以在一定的温度范围内发生自发极化，并且若在某一方向上给材料施加压力，它的内部会发生极化，在表面产生电荷。铁电存储器则是利用铁电材料的一种存储结构，可以达到非易失性存储的目的。它被广泛的应用于低压、低功耗的应用中，可以作为独立的存储器，也可以嵌入微控制器和微处理器中发挥作用。它优良的特性使其成为带电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read
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Only Memory，EEPROM)、闪存(FLASH)、静态随机存取存储器(Static Random
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Access Memory，SRAM)的潜在替代品。
[0003]铁电存储器一般由电容和场效应晶体管构成。前期的铁电存储器每个存储单元是“双管双容”结构，现在主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双栅晶体管存储单元，其特征在于，包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。2.根据权利要求1所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，所述第一介电层还包括：绝缘层，所述绝缘层设置在所述铁电层与所述第一栅极之间，或者，所述绝缘层设置在所述铁电层远离所述第一栅极的一侧。3.根据权利要求2所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，所述第一介电层的厚度为5
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100纳米。4.根据权利要求1所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，还包括：字线、位线与地线；所述字线与所述第一栅极连接；所述位线与所述源极连接；所述地线与所述漏极连接。5.根据权利要求1所述的双栅晶体管存储单元，其特征在于，还包括读取线，所述读取线与所述第二栅极连接。6.一种存储器，其特征在于，包括基板，以及权利要求1
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5任一项所述的双栅晶体管存储单元，所述双栅晶体管存储单元阵列设置在所述基板上。7.一种如权利要求1
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：李毅达，周冰，程振，林龙扬，张国飙，沈美，朱泉舟，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：