存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法技术

提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：多条第一控制线；多条第二控制线；多条第三控制线；多个存储器单元集中的每个存储器单元集包括存储器单元并且分配给多条第一控制线中的对应的一条第一控制线，并且包括可经由对应的第一控制线、多个第二控制线中的对应的一条第二控制线和多条第三控制线寻址的至少第一存储器单元子集，以及可经由对应的第一控制线、多条第二控制线和多条第三控制线中的对应的一条第三控制线寻址的至少第二存储器单元子集。多条第三控制线中的对应的一条第三控制线对多个存储器单元集中的每个存储器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法


[0001]各个方面涉及一种存储器单元布置及其方法，例如用于操作存储器单元布置的方法。

技术介绍

[0002]一般来说，在半导体行业中已经开发了各种计算机存储器技术。计算机存储器的基本构造块可被称为存储器单元。存储器单元可以是被配置为存储至少一条信息(例如，逐位)的电子电路。作为示例，存储器单元可以具有例如用逻辑“1”和逻辑“0”表示的至少两种存储状态。一般来说，信息可以被保持(存储)在存储器单元中，直到例如以受控的方式修改存储器单元的存储状态。存储在存储器单元中的信息可以通过确定存储器单元所处的存储状态来获得。目前，各种类型的存储器单元可以用于存储数据。通常，大量存储器单元可以处于存储器单元阵列中的方式来实现，其中，存储器单元中的每个或预定组的存储器单元可以是可单独寻址的。在这种情况下，可以通过相应地对存储器单元进行寻址来读出信息。此外，在半导体行业中已经开发了各种驱动器电路来控制存储器件的一个或多个存储器单元的操作。可以以每个单个存储器单元或至少各组存储器单元是明确可寻址的方式来实现存储器单元，例如，用于写入(例如，编程和/或擦除)和/或读取各个存储器单元或各组存储器单元。
附图说明
[0003]在附图中，相同的附图标记在不同的视图中通常指代相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是通常将重点放在说明本专利技术的原理上。在以下描述中，参考以下附图描述了本专利技术的各个方面，在附图中：
[0004]图1示意性地示出了根据各个方面的存储器单元布置；
>[0005]图2示意性地示出了根据各个方面的包括12个存储器单元的示例性存储器单元布置；
[0006]图3示意性地示出了根据各个方面的包括18个存储器单元的示例性存储器单元布置；
[0007]图4示意性地示出了根据各个方面的包括27个存储器单元的示例性存储器单元布置；
[0008]图5A示意性地示出了根据各个方面的基于电容器的存储器单元布置；
[0009]图5B示意性地示出了根据各个方面的基于电容器的存储器单元布置的立体图；
[0010]图6示出了根据各个方面的由一个或多个控制电路驱动的铁电存储器单元布置的立体图；
[0011]图7示出了根据各个方面的用于操作存储器单元布置的方法的示意性流程图；
[0012]图8A和图8B示出了根据各个方面的具有共享公共第一电极和公共第二电极的存储器单元的示例性存储器单元布置。
具体实施方式
[0013]下面的详细描述参考附图，这些附图通过举例说明的方式示出了本专利技术可以实施的具体细节和方面。这些方面被足够详细地描述，以使本领域技术人员能够实践本专利技术。在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以利用其他方面，并且可以进行结构、逻辑和电气改变。各个方面不一定相互排斥，因为一些方面可以与一个或多个其他方面组合以形成新的方面。结合方法来描述各个方面，并且结合器件(例如，布置)来描述各个方面。然而，可以理解，结合方法描述的方面可以类似地应用于器件，反之亦然。
[0014]术语“至少一个”和“一个或多个”可以理解为包括大于或等于1的任何整数，即，1、2、3、4
……
等。术语“多个”可以理解为包括大于或等于2的任何整数，即，2、3、4、5
……
等。
[0015]关于一组元件的短语
“……
中的至少一个”在本文中可以用来表示从由元件组成的组中选出的至少一个元件。例如，关于一组元件的短语
“……
中的至少一个”在本文中可以用来表示以下中的一种选择：所列元件中的一个、所列元件中的一个的多个、多个单独的所列元件或所列元件的倍数的多个。
[0016]元件或一组元件“包括”另一元件或另一组元件的短语在本文中可以用来表示该另一元件或另一组元件可以是该元件或该组元件的一部分，或者该元件或该组元件可以被配置或形成为该另一元件或该另一组元件(例如，该元件可以是该另一元件)。
[0017]短语“明确分配”在本文中可以用来表示一对一分配(例如，分配，例如，对应)或双射分配。作为示例，明确分配给第二元件的第一元件可以包括明确分配给第一元件的第二元件。作为另一示例，明确分配给第二组元件的第一组元件可以包括第一组元件的每个元件明确分配给第二组元件的对应元件，并且第二组元件的对应元件明确分配给第一组元件的元件。
[0018]术语“连接”可在本文中关于节点、集成电路元件等使用，以表示电连接，其可以包括直接连接或间接连接，其中间接连接可以仅包括不影响所描述的电路或装置的实质功能的电流路径中的附加结构。在本文中用于描述一个或多个端子、节点、区、触点等之间的电连接的术语“导电连接”可以被理解为具有例如欧姆特性的导电连接，例如由电流路径中没有p
‑
n结时的金属或退化的半导体提供。术语“导电连接”也可以被称为“流电连接”。
[0019]术语“电压”在本文可以相对于“一个或多个位线电压”、“一个或多个字线电压”、“一个或多个板线电压”、“一个或多个源线电压”、“一个或多个控制线电压”、“一个或多个基极电压”等来使用。作为示例，术语“基极电压”在本文中可以用来表示电路的参考电压和/或参考电势。就电路而言，基极电压也可以被称为地电压、地电势、虚拟地电压或零伏(0V)。电路的基极电压可以由用于操作电子电路的电源来定义。作为另一示例，术语“控制线电压”在本文中可以用来表示提供给例如存储器单元布置的控制线的电压(例如，“字线电压”可以提供给“字线”，“位线电压”可以提供给位线，并且“源线电压”可以提供给源线)。电压差(例如，电压降)的符号可以被定义为存储器单元内部(例如，在第一电极部分)的电势减去存储器单元的第二电极部分处的电势。
[0020]说明性地，根据包括节点或端子的电路的预期操作，可以对提供给节点或端子的电压假定任何合适的值。例如，位线电压(被称为V
BL
或VBL)可以根据存储器单元布置的预期操作而变化。类似地，字线电压(被称为V
WL
或VWL)、板线电压(被称为V
PL
或VPL)和/或源线电压(被称为V
SL
或VSL)可以根据存储器单元布置的预期操作而变化。提供给节点或端子的电
压可以由施加给该节点或端子的相对于电路的基极电压(被称为V
B
)的相应电势来定义。此外，与电路的两个不同节点或端子相关联的电压降可以由施加在两个节点或端子处的相应电压/电势来定义。作为示例，与存储器单元布置的存储器单元(例如，存储器单元的电极)相关联的位线电压降可以由施加在对应的存储器单元(例如，存储器单元的电极)的相应电压/电势来定义。
[0021]在一些方面，例如，两个电压可以通过诸如“更大”、“更高”、“更低”、“更小”或“相等”的相对术语来相互比较。应理解，在一些方面，比较可以包括电压值的符号(正或负)，或者在其他方面，考虑绝对电压值(也被称为幅值，或者例如电压脉冲的幅度)用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.存储器单元布置，包括：第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、第四存储器单元、第五存储器单元、第六存储器单元、第七存储器单元和第八存储器单元；第一位线，分配给所述第一存储器单元、所述第二存储器单元、所述第三存储器单元和所述第四存储器单元；第二位线，分配给所述第五存储器单元、所述第六存储器单元、所述第七存储器单元和所述第八存储器单元；第一字线，分配给所述第一存储器单元、所述第二存储器单元、所述第五存储器单元和所述第六存储器单元；第二字线，分配给所述第三存储器单元、所述第四存储器单元、所述第七存储器单元和所述第八存储器单元；第一板线，分配给所述第一存储器单元、所述第三存储器单元、所述第五存储器单元和所述第七存储器单元；第二板线，分配给所述第二存储器单元、所述第四存储器单元、所述第六存储器单元和所述第八存储器单元。2.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一位线、所述第一字线、所述第二字线、所述第一板线和所述第二板线被配置为允许寻址所述第一存储器单元、所述第二存储器单元、所述第三存储器单元和所述第四存储器单元；或者其中，所述第二位线、所述第一字线、所述第二字线、所述第一板线和所述第二板线被配置为允许寻址所述第五存储器单元、所述第六存储器单元、所述第七存储器单元和所述第八存储器单元。3.根据权利要求1所述的存储器单元布置，还包括：第一存取器件，被配置为将所述第一位线连接到由施加在所述第一字线处的电压控制的所述第一存储器单元和所述第二存储器单元；第二存取器件，被配置为将所述第一位线连接到由施加在所述第二字线处的电压控制的所述第三存储器单元和所述第四存储器单元；第三存取器件，被配置为将所述第二位线连接到由施加在所述第一字线处的电压控制的所述第五存储器单元和所述第六存储器单元；第四存取器件，被配置为将所述第二位线连接到由施加在所述第二字线处的电压控制的所述第七存储器单元和所述第八存储器单元。4.根据权利要求3所述的存储器单元布置，还包括：第一源线，将所述第一存储器单元和所述第二存储器单元与所述第一存取器件连接；第二源线，将所述第三存储器单元和所述第四存储器单元与所述第二存取器件连接；第三源线，将所述第五存储器单元和所述第六存储器单元与所述第三存取器件连接；和第四源线，将所述第七存储器单元和所述第八存储器单元与所述第四存取器件连接。5.根据权利要求4所述的存储器单元布置，其中，所述存取器件中的每个存取器件包括第一控制节点、第二控制节点和第三控制
节点，其中，每个存取器件的所述第一控制节点连接到所述第一位线或所述第二位线中的对应位线，其中，所述存取器件中的每个存取器件的所述第二控制节点连接到所述第一字线或所述第二字线中的对应字线，并且其中，所述存取器件中的每个存取器件的所述第三控制节点连接到所述第一源线、所述第二源线、所述第三源线或所述第四源线中的对应源线。6.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一存取器件、所述第二存取器件、所述第三存取器件和/或所述第四存取器件中的至少一个存取器件包括传输门；或者其中，所述第一存取器件、所述第二存取器件、所述第三存取器件和/或所述第四存取器件中的至少一个包括晶体管。7.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一存储器单元、所述第二存储器单元、所述第三存储器单元、所述第四存储器单元、所述第五存储器单元、所述第六存储器单元、所述第七存储器单元和所述第八存储器单元是剩余可极化存储器单元。8.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述存储器单元以三维阵列配置布置。9.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述存储器单元中的每个存储器单元包括第一电极部分和第二电极部分。10.根据权利要求9所述的存储器单元布置，其中，相应的存储器单元的每个第一电极部分连接到对应的存取器件，其中，相应的所述存储器单元的所述第一电极部分包括金属材料或者至少不包括半导体材料。11.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一存储器单元的第一电极部分和所述第二存储器单元的第一电极部分经由第一源线连接到第一存取器件；其中，所述第三存储器单元的第一电极部分和所述第四存储器单元的第一电极部分经由第二源线连接到第二存取器件；其中，所述第五存储器单元的第一电极部分和所述第六存储器单元的第一电极部分经由第三源线连接到第三存取器件；或者其中，所述第七存储器单元的第一电极部分和所述第八存储器单元的第一电极部分经由第四源线连接到第四存取器件。12.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述存储器单元中的每个存储器单元的第二电极部分连接到对应的板线。13.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述存储器单元中的一个或多个存储器单元的一个或多个第二电极部分至少部分地围绕对应的第一电极部分。14.根据权利要求1所述的存储器单元布置，其中，所述第一存储器单元的第一电极部分和所述第二存储器单元的第一电极部分是公共电极的部分或提供公共电极；其中，所述第三存储器单元的第一电极部分和所述第四存储器单...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：铁电存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：