半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路以及具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层。第一晶体管层及第二晶体管层设置在硅衬底上。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管层包括其栅极与第一局部位线电连接的第二晶体管及与第二晶体管电连接的第一校正电路。第一校正电路与第一全局位线电连接。第一校正电路具有使第二晶体管的栅极保持对应于第二晶体管的阈值电压的电压的功能。的电压的功能。的电压的功能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本说明书说明半导体装置等。
[0002]在本说明书中，半导体装置是指利用半导体特性的装置并是指包含半导体元件(晶体管、二极管、光电二极管等)的电路及具有该电路的装置等。另外，半导体装置是指能够利用半导体特性而发挥作用的所有装置。例如，作为半导体装置的例子，有集成电路、具备集成电路的芯片、封装中容纳有芯片的电子构件。另外，存储装置、显示装置、发光装置、照明装置以及电子设备等本身是半导体装置，或者有时包括半导体装置。

技术介绍

[0003]作为可用于晶体管的半导体，金属氧化物受到关注。被称为“IGZO”等的In
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Ga
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Zn氧化物是多元系金属氧化物的典型例子。通过对IGZO的研究，发现了既不是单晶也不是非晶的CAAC(c
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axis aligned crystalline)结构及nc(nanocrystalline)结构(例如，非专利文献1)。
[0004]报告了沟道形成区域中包含金属氧化物半导体的晶体管(下面有时称为“氧化物半导体晶体管”或“OS晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路；以及具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层，其中，所述第一晶体管层及所述第二晶体管层设置于所述硅衬底上，所述第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元，所述第一晶体管与第一局部位线电连接，所述第二晶体管层包括其栅极与所述第一局部位线电连接的第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的第一校正电路，所述第一校正电路与第一全局位线电连接，并且，所述第一校正电路具有使所述第二晶体管的栅极保持对应于所述第二晶体管的阈值电压的电压的功能。2.一种半导体装置，包括：具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路；以及层叠地设置有多个晶体管层的元件层，其中，所述元件层包括具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层，所述第一晶体管层及所述第二晶体管层设置于所述硅衬底上，所述第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元，所述第一晶体管与第一局部位线电连接，所述第二晶体管层包括其栅极与所述第一局部位线电连接的第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的第一校正电路，所述第一校正电路与第一全局位线电连接，并且，所述第一校正电路具有使所述第二晶体管的栅极保持对应于所述第二晶体管的阈值电压的电压的功能。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一局部位线在垂直或大致垂直于所述硅衬底的表面的方向上设置。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中所述第一全局位线具有使所述第一校正电路和所述驱动电路电连接的功能。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤圣矢，八窪裕人，大贯达也，长塚修平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：