集成电路结构和存储器制造技术

本公开提供了一种集成电路结构和存储器，涉及半导体存储器技术领域。该集成电路结构包括：焊盘区域，包括沿目标方向配置的多个信号焊盘；电路区域，设于所述焊盘区域的一侧，包括沿所述目标方向配置的且分别与各所述信号焊盘对应连接的多个输入/输出电路模块，各所述输入/输出电路模块用于实现输入信号的采样操作并将采样结果写入存储阵列，以及读出所述存储阵列存储的数据；其中，所述电路区域沿所述目标方向的尺寸小于所述焊盘区域沿所述目标方向的尺寸。本公开可以提高存储器写操作的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构和存储器


[0001]本公开涉及半导体存储器
，具体而言，涉及一种集成电路结构和存储器。

技术介绍

[0002]随着存储器技术的发展，DDR4SDRAM(Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory，第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器)应运而生，DDR4SDRAM具有较低的供电电压、较高的传输速率，其上的存储单元组(Bank Group)具有独立启动操作读、写等动作的特性。另外，相比于例如DDR3/DDR2的存储器，DDR4SDRAM在具有快速、省电特性的同时，还可以增强信号的完整性，提高了数据传输及存储的可靠性。
[0003]以低功耗内存芯片LPDDR4为例，在写操作的过程中，数据选通信号(DQS)与数据信号(DQ)通过近似相同长度的传输路径以近似相同的速度传送至LPDDR4中，在LPDDR4中，DQS输入电路模块将接收到的作为选通采样的DQS信号传送至DQ输入电路模块，以采集数据。由于DQS信号需要一段时间才能传送至DQ输入电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：焊盘区域，包括沿目标方向配置的多个信号焊盘；电路区域，设于所述焊盘区域的一侧，包括沿所述目标方向配置的且分别与各所述信号焊盘对应连接的多个输入/输出电路模块，各所述输入/输出电路模块用于实现输入信号的采样操作并将采样结果写入存储阵列，以及读出所述存储阵列存储的数据；其中，所述电路区域沿所述目标方向的尺寸小于所述焊盘区域沿所述目标方向的尺寸。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述多个信号焊盘包括：第一差分数据选通焊盘、第二差分数据选通焊盘、数据掩膜焊盘和多个数据输入/输出焊盘。3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，所述焊盘区域还包括：多个电源焊盘和多个接地焊盘。4.根据权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，所述焊盘区域包括：第一焊盘子区域和第二焊盘子区域，所述第一焊盘子区域与所述第二焊盘子区域包含的数据输入/输出焊盘的数量相同，且数量均为数据输入/输出焊盘总数量的一半；其中，所述第一差分数据选通焊盘、所述第二差分数据选通焊盘和数据掩膜焊盘配置在所述第一焊盘子区域与所述第二焊盘子区域之间。5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，所述多个输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：张良，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：