一种闪存及其制造方法技术

技术编号:29278624 阅读:42 留言:0更新日期:2021-07-16 23:00
本发明专利技术实施例公开了一种闪存及其制造方法,闪存包括:多个闪存单元、多个位线单元和多条字线,闪存单元具有第一源漏区、第二源漏区和控制栅;一条字线与一行闪存单元中每个闪存单元的控制栅分别电连接,一列闪存单元与一个位线单元电连接,一个位线单元包括一条第一位线和一条第二位线;一列闪存单元,奇数位闪存单元的第一源漏区和偶数位闪存单元的第一源漏区均共同连接至对应位线单元的第一位线,奇数位闪存单元的第二源漏区和偶数位闪存单元的第二源漏区均共同连接至对应位线单元的第二位线,其中,一列闪存单元的第一源漏区注入形成第一位线,一列闪存单元的第二源漏区注入形成第二位线。本发明专利技术实施例中,缩小了闪存的面积。面积。面积。

【技术实现步骤摘要】
一种闪存及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体器件技术,尤其涉及一种闪存及其制造方法。

技术介绍

[0002]快闪存储器(flash memory,简称闪存)是一种电子式可清除程序化只读存储器,允许在操作中被多次擦或写。主要用于一般性数据存储,以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。闪存包括NOR Flash,NOR Flash具有灵活性强,随机读写性能快等优点。NOR Flash中每个存储单元都可以被独立访问,即每个存储单元都可以通过字线和位线被唯一选中。
[0003]然而,NOR Flash中每个存储单元都通过通孔与位线相连,导致相同工艺节点下NOR Flash的面积较大,很难往更先进微型的工艺节点演进。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种闪存及其制造方法,以缩小闪存的面积。
[0005]本专利技术实施例提供了一种闪存,包括:多个闪存单元、多个位线单元和多条字线,所述闪存单元具有第一源漏区、第二源漏区和控制栅;
[0006]所述多个闪存单元呈阵列排布,一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存,其特征在于,包括:多个闪存单元、多个位线单元和多条字线,所述闪存单元具有第一源漏区、第二源漏区和控制栅;所述多个闪存单元呈阵列排布,一条所述字线与一行所述闪存单元中每个所述闪存单元的控制栅分别电连接,一列所述闪存单元与一个所述位线单元电连接,一个所述位线单元包括一条第一位线和一条第二位线;一列所述闪存单元,奇数位所述闪存单元的第一源漏区和偶数位所述闪存单元的第一源漏区均共同连接至对应所述位线单元的所述第一位线,奇数位所述闪存单元的第二源漏区和偶数位所述闪存单元的第二源漏区均共同连接至对应所述位线单元的所述第二位线,其中,一列所述闪存单元的第一源漏区注入形成所述第一位线,一列所述闪存单元的第二源漏区注入形成所述第二位线。2.根据权利要求1所述的闪存,其特征在于,一列所述闪存单元,奇数位所述闪存单元的第一源漏区和上一级偶数位所述闪存单元的第一源漏区电连接再共同连接至对应的所述第一位线,和/或,奇数位所述闪存单元的第二源漏区和下一级偶数位所述闪存单元的第二源漏区电连接再共同连接至对应的所述第二位线。3.根据权利要求1所述的闪存,其特征在于,一列所述闪存单元,所述第一位线复用为该列所述闪存单元的源极线。4.根据权利要求1所述的闪存,其特征在于,所述闪存单元包括:由N+掺杂区组成的第一源漏区和第二源漏区,所述第一源漏区和所述第二源漏区之间形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡洪冯骏
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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