用于集成电路存储器装置中的电压驱动器协调的两阶段信令制造方法及图纸

技术编号:28204493 阅读:19 留言:0更新日期:2021-04-24 14:31
本申请案涉及用于集成电路存储器装置中的电压驱动器协调的两阶段信令。本发明专利技术揭示一种集成电路存储器装置,其具有:存储器单元;电路贴片,其配置在集成电路裸片上;多个相邻贴片,其经配置在所述集成电路裸片上;从所述电路贴片分别到所述相邻贴片的第一连接件;多个周围贴片,其经配置在所述集成电路裸片上;及从所述相邻贴片到所述周围贴片的第二连接件。在判定是否对未选择的存储器单元施加将由所述相邻贴片及所述周围贴片驱动的补偿电压以至少部分补偿由所述电路贴片施加在一或多个选定存储器单元上的电压增加时,所述电路贴片通过所述第一连接件与所述相邻贴片通信,且通过所述第一连接件、所述相邻贴片及所述第二连接件与所述周围贴片通信。接件与所述周围贴片通信。接件与所述周围贴片通信。

【技术实现步骤摘要】
用于集成电路存储器装置中的电压驱动器协调的两阶段信令


[0001]本文揭示的至少一些实施例一般来说涉及集成电路存储器装置的电压驱动器操作,且更具体来说但不限于支持电压驱动器间的协调的信令。

技术介绍

[0002]存储器集成电路可具有形成在半导材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列。存储器单元是可个别使用或操作以存储数据的存储器的最小单元。一般来说,存储器单元可存储一或多个数据位。
[0003]针对存储器集成电路已经开发不同类型的存储器单元,例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变存储器(PCM)、磁随机存取存储器(MRAM)、或非(NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器等。
[0004]一些集成电路存储器单元是易失性的,且需要电力来维持存储在单元中的数据。易失性存储器的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)及静态随机存取存储器(SRAM)。
[0005]一些集成电路存储器单元是非易失性的,且可甚至在未供电时留存所存储的数据。非易失性存储器的实例包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)存储器等。快闪存储器包含与非(NAND)类型快闪存储器或或非(NOR)类型快闪存储器。NAND存储器单元基于NAND逻辑门;且NOR存储器单元基于NOR逻辑门。
[0006]交叉点存储器(例如,3D XPoint存储器)使用非易失性存储器单元阵列。交叉点存储器中的存储器单元是无晶体管的。此类存储器单元的每一者可具有相变存储器装置及选择装置,其一起堆叠为集成电路中的列。此类列的存储器单元在集成电路中经由在彼此垂直的方向上延伸的两层导线连接。两个层的一者在存储器单元上方;且另一层在存储器元件列下方。因此,可在两个层的每一者上的一个导线的交叉点处个别选择每一存储器单元。交叉点存储器装置是快速且非易失性的,且可用作统一的存储器集区进行处理及存储。
[0007]非易失性集成电路存储器单元可经编程以通过在编程/写入操作期间施加一个电压或电压模式到存储器单元而存储数据。编程/写入操作将存储器单元设定在对应于正在编程/存储到存储器单元中的数据的状态中。存储在存储器单元中的数据可在读取操作中通过检查存储器单元的状态来检索。读取操作通过施加电压确定存储器单元的状态,且确定存储器单元是否在对应于预定义状态的电压下变为导电的。

技术实现思路

[0008]一方面,本专利技术涉及一种集成电路存储器装置,其包括:存储器单元;电路贴片,其经配置在集成电路裸片上;多个相邻贴片,其经配置在所述集成电路裸片上;从所述电路贴片分别到所述相邻贴片的第一连接件,其中所述电路贴片经配置以通过所述第一连接件与所述相邻贴片通信,以确定在由所述电路贴片中的电压驱动器驱动的一或多个选定存储器
单元上的电压斜升期间是否通过所述相邻贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加补偿电压;多个周围贴片,其经配置在所述集成电路裸片上;及从所述相邻贴片到所述周围贴片的第二连接件,其中所述电路贴片经配置以通过所述第一连接件、所述相邻贴片及所述第二连接件与所述周围贴片通信,以确定在由所述电路贴片中的所述电压驱动器驱动的所述一或多个选定存储器单元上的所述电压斜升期间是否通过所述周围贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加所述补偿电压。
[0009]另一方面,本专利技术涉及一种方法,其包括:经由集成电路裸片上的第一连接件从电路贴片分别连接到相邻贴片;通过所述第一连接件在所述电路贴片与所述相邻贴片之间通信,以确定在由所述电路贴片中的电压驱动器驱动的一或多个选定存储器单元上的电压斜升期间是否通过所述相邻贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加补偿电压;经由所述集成电路裸片上的第二连接件从所述相邻贴片连接到配置在所述集成电路裸片上的周围贴片;及通过所述第一连接件、所述相邻贴片及所述第二连接件在所述电路贴片与所述周围贴片之间通信,以确定在由所述电路贴片中的所述电压驱动器驱动的所述一或多个选定存储器单元上的所述电压斜升期间是否通过所述周围贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加所述补偿电压。
[0010]另一方面,本专利技术涉及一种存储器装置,其包括:控制器;第一组并联字线导线,其安置在集成电路裸片的第一层中;第二组并联位线导线,其安置在所述集成电路裸片的第二层中;第一组电压驱动器,其分别连接到所述第一组并联导线;第二组电压驱动器,其分别连接到所述第二组并联导线;存储器单元阵列,其形成在所述第一层与所述第二层之间,其中每一相应存储器单元位于所述第一层中的字线导线与所述第二层中的位线导线的交叉点处;及电路贴片,其与所述字线导线及所述位线导线对准配置成网格阵列,其中电路贴片包含经配置以驱动所述字线导线上的电压的字线贴片及经配置以驱动位线导线上的电压的位线贴片,且其中所述字线贴片及位线贴片在所述网格阵列中沿列方向及行方向交错;其中电路贴片经配置以与相邻贴片通信,以确定在使由所述电路贴片中的电压驱动器驱动的一或多个选定存储器单元上的电压斜升期间是否通过所述相邻贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加补偿电压;及其中所述电路贴片经配置以通过所述相邻贴片与所述周围贴片通信,以确定在由所述电路贴片中的所述电压驱动器驱动的所述一或多个选定存储器单元上的所述电压斜升期间是否通过所述周围贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加所述补偿电压。
附图说明
[0011]在附图中通过实例而非限制来说明实施例,其中类似元件符号指示相似元件。
[0012]图1及2展示根据一项实施例的在写入操作期间施加电压以将选定存储器单元置于导电状态以用于编程。
[0013]图3展示根据一项实施例的集成电路存储器装置中的两阶段信令技术。
[0014]图4展示根据一项实施例的配置有两阶段信令方案的存储器装置。
[0015]图5展示根据一项实施例的具有位线驱动器及字线驱动器的存储器单元。
[0016]图6到9说明根据一项实施例的集成电路存储器装置中的电路贴片间的两阶段信令的实例。
[0017]图10展示根据一项实施例的集成电路存储器装置中的两阶段信令的方法。
具体实施方式
[0018]本文揭示的至少一些实施例提供用于集成电路存储器中的电压驱动器操作的两阶段信号路由技术。
[0019]在一些实施方案中,交叉点存储器可使用具有选择装置但不具有相变存储器装置的存储器单元。例如,存储器单元可为具有可变阈值能力的单个合金块。此单元的读/写操作可基于阈值化所述单元同时以亚阈值偏压抑制其它单元,其方式类似于针对具有一起堆叠为列的选择装置及相变存储器装置的存储单元的读/写操作。
[0020]具有选择装置但不具有相变存储器装置的此存储器单元可在交叉点存储器中编程以具有阈值电压窗口。阈值电压窗口本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路存储器装置,其包括:存储器单元;电路贴片,其经配置在集成电路裸片上;多个相邻贴片,其经配置在所述集成电路裸片上;从所述电路贴片分别到所述相邻贴片的第一连接件,其中所述电路贴片经配置以通过所述第一连接件与所述相邻贴片通信,以确定在由所述电路贴片中的电压驱动器驱动的一或多个选定存储器单元上的电压斜升期间是否通过所述相邻贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加补偿电压;多个周围贴片,其经配置在所述集成电路裸片上;及从所述相邻贴片到所述周围贴片的第二连接件,其中所述电路贴片经配置以通过所述第一连接件、所述相邻贴片及所述第二连接件与所述周围贴片通信,以确定在由所述电路贴片中的所述电压驱动器驱动的所述一或多个选定存储器单元上的所述电压斜升期间是否通过所述周围贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加所述补偿电压。2.根据权利要求1所述的集成电路存储器装置,其中包含所述电路贴片、所述相邻贴片及所述周围贴片的电路贴片以网格阵列布置在所述集成电路裸片上;且所述相邻贴片在所述网格阵列中所述电路贴片所处的列及行中紧邻所述电路贴片。3.根据权利要求2所述的集成电路存储器装置,其中电路贴片包含经配置以驱动位线的位线贴片及经配置以驱动字线的字线贴片。4.根据权利要求3所述的集成电路存储器装置,其中所述电路贴片为字线贴片;且所述相邻贴片为位线贴片。5.根据权利要求4所述的集成电路存储器装置,其中所述周围贴片为位线贴片。6.根据权利要求5所述的集成电路存储器装置,其中在所述网格阵列中,每行字线贴片与位线贴片交错,且每列位线贴片与字线贴片交错。7.根据权利要求3所述的集成电路存储器装置,其中所述电路贴片为位线贴片;且所述相邻贴片及所述周围贴片为字线贴片。8.根据权利要求3所述的集成电路存储器装置,其中所述相邻贴片中的每一者经由所述第二连接件连接到不超过两个所述周围贴片。9.根据权利要求3所述的集成电路存储器装置,其中所述电路贴片具有第一类型;且所述相邻贴片及所述周围贴片具有第二类型;且所述第一类型及所述第二类型为字线贴片及位线贴片的不同者。10.根据权利要求9所述的集成电路存储器装置,其中在所述网格阵列中,所述第二类型的贴片并未比所述周围贴片更接近所述电路贴片。11.根据权利要求10所述的集成电路存储器装置,其中所述周围贴片包含不超过十个贴片;且所述第二连接件中的每一者从所述相邻贴片的一者连接到所述周围贴片的一者。12.一种方法,其包括:经由集成电路裸片上的第一连接件从电路贴片分别连接到相邻贴片;通过所述第一连接件在所述电路贴片与所述相邻贴片之间通信,以确定在由所述电路贴片中的电压驱动器驱动的一或多个选定存储器单元上的电压斜升期间是否通过所述相邻贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加补偿电压;
经由所述集成电路裸片上的第二连接件从所述相邻贴片连接到配置在所述集成电路裸片上的周围贴片;及通过所述第一连接件、所述相邻贴片及所述第二连接件在所述电路贴片与所述周围贴片之间通信,以确定在由所述电路贴片中的所述电压驱动器驱动的所述一或多个选定存储器单元上的所述电压斜升期间是否通过所述周围贴片中的电压驱动器对未选择的存储器单元施加所述补偿电压。13.根据权利要求12所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员:N
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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