一种半导体存储器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体存储器件，其包括单元垫阵列，第一读出放大器阵列以及第二读出放大器阵列，其中单元垫阵列包括呈矩阵排布的多个单元垫；位于单元垫阵列的第一列奇数行的单元垫与同一列相邻的单元垫两两最对，成对的单元垫通过一个第一读出放大器阵列电连接；位于单元垫阵列的最后一列奇数行的单元垫与同一列相邻的单元垫两两最对，成对的单元垫通过一个第二读出放大器阵列电连接。从而通过将位于单元垫阵列边缘的单元垫两两组队，可以有效利用边缘单元垫靠外侧一半的单元垫上的电流存储面积和容量，从而可以在相对于现有技术相同面积的情况下，提高电路存储面积的利用率并扩大记忆体容量。扩大记忆体容量。扩大记忆体容量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体存储器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体存储器件。

技术介绍

[0002]在现有的半导体器件中，单个芯片包含呈矩阵形式排列的多个单元存储阵列，每个存储阵列中包括多个单元垫，以行的方式布置位线，以垂直于位线的方式布置字置，在字线和位线的交叉点上布置存储单元。不同的单元垫之间还可以设置读出放大器，该读出放大器可将从单元垫输出的数据放大后发送给本地输入输出线。
[0003]现有的半导体器件中位于存储阵列边缘的单元垫，只有位于该单元垫靠近内侧的存储单元通过与相邻单元垫共享读出放大器，实现数据的存储和放大输出。而因该单元垫外侧的一半的单元垫上的电路存储面积和容量将被浪费掉。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是：如何提高芯片面积的利用率，提高存储容量。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种半导体存储芯片，其包括：
[0006]单元垫阵列，其包括呈矩阵排布的多个单元垫；
[0007]第一读出放大器阵列，位于所述单元垫阵列的第一列的单元垫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：单元垫阵列，其包括呈矩阵排布的多个单元垫；第一读出放大器阵列，位于所述单元垫阵列的第一列的单元垫两两组队，成对的单元垫通过一个第一读出放大器阵列电连接；以及第二读出放大器阵列，位于所述单元垫阵列的最后一列的单元垫两两组队，成对的单元垫通过一个第二读出放大器阵列电连接。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，位于所述单元垫阵列的第一列奇数行的单元垫与同一列相邻的单元垫两两组队，成对的单元垫通过一个第一读出放大器阵列电连接。3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一读出放大器阵列包括多个第一读出放大器，位于所述第一列奇数行的单元垫中的存储单元与同一列相邻的单元垫中的存储单元两两组对，成对的存储单元通过一个第一读出放大器电连接。4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，位于所述单元垫阵列的第一列的单元垫中的存储单元沿列方向依次排列，所述第一列奇数行的单元垫和同一列相邻的单元垫中排列序号相同的存储单元进行组对。5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，位于所述单元垫阵列的最后一列奇数行的单元垫与同一列相邻的单元垫两两组队，成对的单元垫通过一个第二读...

【专利技术属性】
技术研发人员：连捷坤，龚著浩，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：