本发明公开了一种太阳电池组件，太阳电池通过粘接剂与上盖板、下底板固定连接，在所述上盖板上表面设置有在４００－１０１０纳米波段内透光的涂层，在下底板的下表面还可以设置散热装置，本发明通过设置在上盖板上表面的选择性涂层，有选择的透过可见光波...

本发明公开了可实现多工位加工的硅片高速传输方法及传输系统，该方法包括以下步骤：（ａ）将硅片放置在硅片承载器上，并将所述的硅片承载器送到出片工位中转盘上；（ｂ）调整出片工位中转盘的转速，使所述硅片承载器在所述出片工位中转盘的带动下获得第一...

本发明涉及一种太阳能电池阵互连片抗原子氧侵蚀表面处理工艺，包括的步骤是采用ＴＲＩＭ２００３程序和修正公式设定进行Ａｌ金属离子注入到Ａｇ互连片材料中的注入剂量、Ａｇ互连片材料表面去污和清洗处理、Ａｌ金属离子注入到Ａｇ互连片材料后的Ａｇ互连...

本发明涉及一种航天飞行器太阳能电池帆板互连片用钼箔的电镀银工艺，包括的步骤是钼箔的打磨和脱脂处理、酸洗活化处理、银金属等离子注入、高温退火处理、浸银处理、电镀银、电镀层的成分ＥＤＳ检测、形貌ＳＥＭ观察、电镀钼箔的钝化处理、电镀钼箔的导电...

本发明涉及一种液相电沉积Ｎ型及Ｐ型薄膜温差电材料及制备方法。本发明制备的液相电沉积Ｎ型及Ｐ型薄膜温差电材料包括：低温区使用的、中温区使用和高温区使用的各种温差电材料。采用电沉积的方法，选择合适的薄膜温差电材料组成元素的离子、增加溶液电导...

本发明涉及基于薄膜温差电材料的微型温差电器件组装系统及方法。该系统主要由数控平移装置、对准装置、微型温差电器件固定装置、系统支撑架和电源组成。数控平移装置用于实现待组装温差电薄膜的精确水平移位，对准装置用于实现微型温差电器件和待组装温差...

一种硅光电探测器，Ｎ型内设置有Ｐ型，Ｐ－Ｎ结表面设置有二氧化硅膜，其特征是，所述Ｐ－Ｎ结的表面结设置有环形钝化膜。

本实用新型涉及到集成电路芯片封装与微电子器件组装技术。基于转接层的多芯片堆叠式组装，封装芯片的上、下端面分别设有电极构成双面电极芯片，同时封装芯片的上、下端面还分别设有平面跨接连线构成中间转接层，通过中间转接层可实现相邻两个双面电极芯片...

本实用新型涉及一种带平面螺旋电感的ＣＭＯＳ硅光电探测器包括一个Ｐ型衬底；一个制作在Ｐ型衬底上的Ｎ阱以及Ｎ阱接触区；一个制作在Ｎ阱周围的ｐ＋保护环；一个制作在Ｎ阱上的引出电极，为ＣＭＯＳ硅光电探测器的负极；一个制作在Ｎ阱中的螺旋状ｐ＋注入...

本实用新型常温ＣＯ气敏元件是Ｐｔ－Ｓｂ－ＳｎＯ－［２］系半导体厚膜型ＣＯ气敏元件。在常温下对ＣＯ具有较高的灵敏度，１０００ｐｐｍ时，Ｒ－［０］／Ｒ－［ＣＯ］＝３４，而对ＮＨ－［２］、ＣＨ－［４］Ｃ－［２］Ｈ－［６］、Ｃ－［３］Ｈ－［８］...

一种改进了的薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法．这种薄膜型二氧化锡气敏元件的加热膜是二氧化锡膜，该膜内含有一定量的锑，敏感膜也是二氧化锡膜．该气敏元件性能稳定，元件互换性好．并且制造方法简便，工艺重复性好，生产效率高．使用的设备简单，成...

本发明提供一种简便易行的减少半导体器件的管道漏电流和表面漏电流的方法．本发明所提供的方法利用离子注入吸杂技术，在半导体基区表面附近的局部区域内和发射区表面附近的局部区域内形成远离ｅｂ结的吸杂缺陷．采用本发明所提供的方法不仅能有效地减少管...

本发明提出并研制成一种具有双负阻特性的复合式三端半导体负阻器件，该器件由一横向ｐｎｐ双极晶体管、一ｎ沟耗尽型ＭＯＳ和电阻Ｒｃ通过适当方式相互联接而成。该器件具有（１）电压控制型和电流控制型双负阻特性；（２）正阻区和负阻区阻值都便于控制；...

本发明公开了一种由一维纳米线阵列结构温差电材料构制的微温差电池。该微温差电池外形为薄片体，其厚度可根据需要控制在２０μｍ～３ｍｍ的范围。微温差电池主体由上、下两块板构成，具有层状结构，总体结构顺序为Ｃ层→Ｂ层→Ａ层→Ｂ层→Ｃ层。上板由Ｃ...

本发明是涉及温差电材料及制备方法，特别涉及一种液相电沉积Ｎ－型及Ｐ－型－－维纳米线阵列温差电材料及设备和备方法。本发明采用模板法，以具有纳米孔阵列结构的多孔膜为模板，采用液相电沉积技术，通过在具有纳米孔阵列结构的多孔模板的纳米级微孔内沉...

本发明公开了一种硅光电探测器的钝化方法，旨在提供一种既能保证器件的光灵敏度，又能保护硅光电探测器Ｐ－Ｎ结表面的钝化方法。其技术方案的要点是改进现有的表面钝化工艺，使平面结构器件光刻版光刻后仅在Ｐ－Ｎ结的环形表面结覆盖钝化胶膜。使用本发明...

本发明提供微型温差电池及其制造方法。微型温差电池是由Ｃ层／Ｂ层／Ａ层／Ｂ＃＋［＊］层／Ｃ＃＋［＊］层组成，其中，Ａ层位于层状结构微型温差电池的中间层；Ｂ层和Ｂ＃＋［＊］层分别设置在Ａ层的两边；Ｃ层和Ｃ＃＋［＊］层又分别设置在Ｂ层和Ｂ＃＋...

一种二氧化锡纳米晶态薄膜的制备方法，其特征是包括如下步骤：　　　　（１）基底表面清洗：将基底在洗涤剂中超声波洗涤；　　　　（２）基底表面羟基化：将清洗后的基底置于体积比为１．５～４．５∶１的浓硫酸与双氧水的混合溶液中浸泡，温度为４５℃～...

一种与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器，包括一个ｐ↑［－］型半导体衬底，其特征在于，所述ｐ↑［－］型半导体衬底内设置有一个深ｎ型阱，ｎ型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于ｎ型阱中，四条叉指状的Ｐ↑［＋］型扩散区设置在ｎ型阱上；所述...

本发明是一种微型薄膜温差电池的制造方法，包括以下步骤：１）Ｐ型温差电单体基片的制造和Ｎ型温差电单体基片的制造；２）Ｐ型温差电单体基片导电层的制造和Ｎ型温差电单体基片导电层的制造；３）Ｐ型温差电单体基片与Ｎ型温差电单体基片的对接；４）电池...