本发明公开了一种具有超高介电常数的高频介质陶瓷，其原料组分及质量百分比含量为Ａｇ↓［２］Ｏ３８～４５％、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］１８～４７％、Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］８～４４％，在此基础上外加质量百分比含量为０．５～６．０％的ＣａＦ↓［２］...

本发明公开了一种锶、钡掺杂铌锑锆钛酸铅系压电陶瓷，其组成及摩尔含量为Ｐｂ↓［０．９６］Ｓｒ↓［０．０３］Ｂａ↓［０．０３］（Ｓｂ↓［１／２］Ｎｂ↓［１／２］）↓［０．０２］（Ｚｒ↓［ｘ］Ｔｉ↓［０．９８－ｘ］）Ｏ↓［３］，其中ｘ＝０．５...

本发明公开了一种镨掺杂锆钛酸铅的压电陶瓷，其组成及摩尔含量为Ｐｂ↓［１－１．５ｘ］Ｐｒ↓［ｘ］（Ｚｒ↓［ｙ］Ｔｉ↓［１－ｙ］）Ｏ↓［３］，其中ｘ＝０．０２～０．０８，ｙ＝０．５１～０．６０。所述组成的原料为Ｐｂ↓［３］Ｏ↓［４］，ＺｒＯ...

本发明公开了一种连续离子层吸附反应法制备铜铟硒化合物薄膜的方法，步骤为（１）制备Ｃｕ－Ｉｎ混合阳离子前驱体溶液，（２）制备阴离子前驱体溶液，（３）连续离子层吸附反应法工艺镀膜，（４）热处理。本发明首次采用三乙醇胺（ＴＥＡ）和柠檬酸（Ｃ↓...

一种回流焊试样限位装置，有用于设置被焊试样的框架、用于给试样定位的进给螺栓和锁紧螺母、塞块；框架为矩形框架结构，框架内侧空间放置被限位的试样，构成框架的每两个对称的边框上分别沿平面方向形成有对应的贯通螺纹孔；进给螺栓贯穿边框的贯通螺纹孔...

本发明公开一种有效提高电泳法沉积碳纳米管薄膜的电子场发射性能的方法，按照以下步骤进行：（１）采用物理气相沉积镀膜方法在导电基底材料上镀覆过渡金属薄膜；（２）以镀覆后的导电基底作为阴极，电泳沉积碳纳米管薄膜；（３）对沉积的碳纳米管薄膜阴极...

本发明公开一种由无序碳纳米管制备场发射冷阴极的方法，就属于烧结制备场发射冷阴极的技术。该方法包括以下过程：以纳米银颗粒和碳纳米管按质量比混合，将该混合物加入丙酮、乙醇、正庚烷和正丁醇的溶液中，采用机械搅拌和超声波相结合进行分散，形成喷涂...

本发明公开了一种钛材料表面制备无剥落生物活性层的方法，属于生物材料表面改性制造技术。该方法包括以下过程：将纯钛或其合金板材进行表面打磨并抛光，以电压５０ｋｅＶ、电流密度５μＡ／ｃｍ↑［２］、１×１０↑［１６］－５×１０↑［１８］离子／ｃ...

本发明属于平板显示器件技术领域，涉及场致电子发射结构的大屏幕平板显示器的内部支撑结构。包括上极板（１）、下极板（２）以及设置在所述两个极板之间的支撑体（３），每行设置有等间距的支撑体（３），各行的柱状支撑体和与其相邻行的支撑体（３）之间...

一种用于继电器触点的抗电侵蚀的耐磨复合镀层，是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上．复合镀层中弥散有占镀层体积０．１－１０％，粒径小于０．５微米的ＳｉＣ微粒．这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度，低的摩擦系数，接触电阻略大于金，但低...

一种用于电器元件的新型耐磨减摩电触点是在铜或铜合金基体上，用电镀方法沉积一层Ａｇ－ＢＮ或Ａｇ－ＭｏＳ－［２］复合镀层，其中弥散着占镀层体积１－１０％的ＢＮ和ＭｏＳ－［２］微粒，粒径小于５微米．这种复合镀层具有比纯银高的显微硬度（ＨＶ达８...

本发明公开了一种纳米银氧化锡的电触头材料及其制备方法。属于金属基复合材料技术。本发明电触头由银、纳米氧化锡和稀土元素并按７０～９７％、３～２２％、０．１～８％的重量含量组成。该材料的电触头制备包括掺杂氧化锌或氧化钛的纳米氧化锡制备，金属...

本发明公开了一种一种掺杂金属氧化物银—二氧化锡电触头材料的制备方法。属于电工合金材料的制备技术。本发明电触头由由银、二氧化锡、掺杂金属氧化物组成，并按银８５～９０％，二氧化锡５～２０％，掺杂金属氧化物０．５～８％比例配置而得；掺杂金属氧...

本发明公开了一种制备亚微米银－二氧化锡电触头材料的方法，属于电工材料技术领域。该亚微米级银－二氧化锡的电触头材料制备方法，其特征在于包括以下过程：在不锈钢锈钢高速球磨机内，按重量比加入７２～９４．９％的银、５～２０％的二氧化锡、０．１～...

本发明涉及一种银基氧化锡梯度电触头材料及制备方法，属于电工材料技术领域。该银基氧化锡梯度电接触头材料沿着一维尺寸方向，银或氧化锡的质量含量按由高至低阶梯层式排列组成。其制备方法包括以下过程：将银粉末与氧化锡粉末按质量比混合配制成混合料粉...

一种耐交流高压陶瓷电容器介质的制造方法，以钛酸钡为基，经湿法振磨、流延成膜、真空加热匀压，在１０８０～１３３０℃下烧成。本发明所制造的陶瓷介质耐交流电压１０ｋＶ／ｍｍ以上，介电常数１８００～７２００，介质损耗４０～９０×１０↑［－４］。

本发明公开了一种制作超级电容器电极的活性炭制备方法。该方法是以酚醛树脂为原料，主要经过焦化、炭化、活化处理后，再经包括水洗、烘干等过程后处理，便可得到所需活性炭。本发明技术要点在于，焦化、炭化、活化处理的温度及采用的活化剂。本发明制备的...

一种微波多层陶瓷电容器的介质及其制造方法，其组份包括：０．６０～０．６４Ｂａ↓［ｍ］Ｔｉ↓［ｎ］Ｏ↓［ｍ＋２ｎ］＋０．３０～０．３７ＺｎＯ＋０．０３Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］＋Ｘ（ｗｔ％）ＭｎＣＯ↓［３］＋Ｙ（ｗｔ％）ＳｎＯ↓［２］，式中ｍ...

一种高频陶瓷电容器的陶瓷材料，该材料主要由（Ｚｒ↓［０．７］Ｓｎ↓［０．３］）ＴｉＯ↓［４］化合物组成，其特征在于：该材料还包含占（Ｚｒ↓［０．７］Ｓｎ↓［０．３］）ＴｉＯ↓［４］重量比为０～２．０％的ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＢａＣＯ↓［３］、...

本发明公开了一种介电性能优异、制造成本低廉的微波陶瓷电容器的陶瓷材料及其制造方法。所述的陶瓷材料，其主要成分是ＭｇＴｉＯ↓［３］－ＣａＴｉＯ↓［３］。其中ＭｇＴｉＯ↓［３］－ＣａＴｉＯ↓［３］可以用ｘＭｇＴｉＯ↓［３］－（１－ｘ）ＣａＴ...