本发明涉及到集成电路芯片封装与微电子器件组装技术。堆叠式双面电极封装与堆叠式多芯片组装，在封装芯片的上下端面分别引出电极，封装芯片的侧面预留跨接电极，跨接电极用于多芯片间连接和间隔跨芯片联接。为了实现堆叠式多芯片组装，封装芯片上下端面分...

本发明是多元硫属光电薄膜的连续离子吸附反应制备方法；首次采用不同比例的混合阳离子前驱体溶液，制备组成可控的ＣｕＩｎＳ↓［２］、ＣｕＩｎＳｅ↓［２］、Ｃｕ（ｌｎ，Ｇａ）Ｓｅ↓［２］等太阳能光电薄膜，用来组装低成本、高光电转换效率的薄膜太阳...

本发明涉及两维驱动系统的高速高精度定位平台。用于ＩＣ芯片封装的精密定位装置，Ｘ向与Ｙ向直线音圈电机均固定安装于基座，由Ｘ向与Ｙ向两个直线音圈电机各自驱动的Ｘ、Ｙ定位工作台运动的合成，确定其焊头在Ｘ－Ｙ平面上的位置，同时与直线音圈电机驱动...

本发明是一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法，按各物质组成分别称量各自份数的铜盐、硫氰酸盐、螯合剂，并将它们溶入溶剂水中；将溶液的ｐＨ值调节到２～７，得到电沉积用的电解质溶液；将配制好的电解质溶液经过４～７２小时的静止络合均化；...

本发明公开了一种薄膜太阳能电池的多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法，首次采用ＣＨ↓［３］ＣＨ↓［２］ＯＨ来取代ＣＨ↓［３］ＣＮ作溶剂，用一步流化反应取代两步流化反应，制取性能稳定、组成可控的ＣｕＩｎＳ↓［２］、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ...

本发明公开了一种制备一维ＺｎＯ纳米棒晶薄膜的电场辅助的方法，步骤依次为：将Ｚｎ（ＮＯ↓［３］）↓［２］.６Ｈ↓［２］Ｏ与ＮａＯＨ溶解于水中，搅拌均匀；置于３０～９０℃的水浴中；用三电极化学沉积系统进行恒电位沉积，以涂覆ＺｎＯ溶胶作为种底...

本发明涉及一种高介瓷料的化学制备方法，以分析纯的Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］、ＡｇＮＯ↓［３］、ＮａＮＯ↓［３］为原料，按（Ａｇ↓［ｘ］Ｎａ↓［１－ｘ］）［Ｎｂ↓［ｙ］Ｔａ↓［１－ｙ］］Ｏ↓［３］组成按特定比例称取Ｔａ...

一种微悬臂梁的品质因数控制系统，它包括正反馈环路模块和锁相环路模块。其中，正反馈环路模块，它包括一个可变增益放大器、一个可变移相器以及一个加法器，用于增加微悬臂梁的品质因数，并输出Ｆ↓［１］＝Ｆ↓［０］ｅ↑［ｉωｔ］到压电驱动器，将调制...

本发明公开了一种用于制备载流子产生材料萘甲酰脲化合物及其制备方法，属于载流子产生材料的中间体技术。所述的萘甲酰脲包括Ｎ－（３，５－二甲基苯基）－Ｎ′－（３－羟基－２－萘甲酰）脲，Ｎ－（４－甲基苯基）－Ｎ’－（３－羟基－２－萘甲酰基）脲。...

本发明公开了一种以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率ＬＥＤ的方法，属于烧结封装连接大功率ＬＥＤ的技术。该方法采用粒径小于１００ｎｍ纳米银粒子、以分散剂鱼油、粘结剂α－松油醇和溶剂丙酮在超声水浴协助下均匀混合制备而成的纳米银焊膏，低温烧结封...

本发明公开了一种绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法，属于氧化钒薄膜热敏电阻技术。所述的多孔硅基氧化钒薄膜，包括单晶硅基层、多孔硅层、二氧化硅层和氧化钒薄膜层。制备过程包括：将单晶硅片依次在浓硫酸、去离子水、丙酮、乙醇中清洗；在氢...

本发明公开了一种太阳电池的电热联用装置，包括液体容器，所述液体容器内设置有集热液体工质，热管贯穿设置在所述液体容器的侧壁上，所述热管内设置有相变携热工质，太阳电池与所述设置在液体容器内部的热管固定连接，所述液体容器的下端设置有进液口，所...

本发明涉及一种由薄膜温差电材料制造的单层温差电器件和集成化微型温差电器件。单层温差电器件是由Ｐ型温差电薄膜材料单体和Ｎ型温差电薄膜材料单体之间通过电串联或者电并联而成，温差沿着温差电材料薄膜的长度方向建立，具有导电引出装置。集成化微型温...

本发明公开一种１，４－二［４－（Ｎ，Ｎ－对甲基苯基氨基）苯乙烯基］萘及制备方法和应用，属于光电材料技术领域。所述的化合物结构式如图，该化合物的制备过程包括：１－氯甲基萘在磷酸的催化下与多聚甲醛和盐酸反应制备１，４－二氯甲基萘，然后与亚磷...

本发明公开一种１－甲基－４－［４－（Ｎ，Ｎ－对甲基苯基氨基）苯乙烯基］萘及制备方法和应用，属于光电材料技术领域。所述的化合物结构式如图，该化合物的制备过程包括：１－甲基萘在磷酸的催化下与多聚甲醛和盐酸反应制备１－甲基－４－氯甲基萘，然后...

本发明公开了一种白光发光二极管用纳米Ｙ↓［３－ｘ］Ｔｂ↓［ｘ］Ａｌ↓［５］Ｏ↓［１２］∶Ｃｅ荧光粉及制备方法，制备方法：（１）配Ｔｂ↓［４］Ｏ↓［７］的硝酸水溶液；（２）配Ｙ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.６Ｈ↓［２］Ｏ、Ｃｅ（ＮＯ↓［３］）...

本发明属于电子封装技术领域，具体涉及一种球栅阵列封装（Ｂａｌｌ　　Ｇｒｉｄ　　Ａｒｒａｙ，ＢＧＡ）技术中的自动焊球封装植球方法和装置。本发明使用惰性气体注入坩锅与真空密闭腔室中，利用压力控制系统使坩锅与真空密闭腔室达到稳定压差，使金属熔...

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，用于在硅基片上制作二氧化钒纳米薄膜，包括下列步骤：１）硅基片表面清洗；２）采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜；３）以金...

本发明公开了一种中性ｐＨ条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法，步骤为：（１）配制电沉积液，ｐＨ值为６．５－７．０；（２）采取双电位阶跃方式镀膜；（３）将薄膜于空气下室温干燥；（４）将薄膜于氩气氛下４００℃热处理０．５小时，得到黄铜矿...

本发明公开了一种低介电常数高Ｑ值的Ｍｇ↓［４］Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［９］高频介质陶瓷，原料组分及质量百分比含量为：ＭｇＯ２０～５０％、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］５０～８０％。制备方法包括：（１）配料；（２）烘干；（３）煅烧熔块；（４）再球磨、烘...