【技术实现步骤摘要】
本专利技术与半导体器件的制造方法有关。本专利技术作出之前，用常规半导体工艺制造半导体双极器件，由于硅单晶中的杂质和缺陷往往引起管道漏电和表面漏电，从而严重影响器件的性能，降低了成品率。一般用来制造集成电路或半导体器件的硅单晶片的厚度约300～400μm，而实际器件所在的区域，即有源区却只深入晶片正面10μm左右的深度，所以，为了把晶片中的有害杂质吸向晶片背面，使之离开有源区，可以在制备器件之前或工艺过程中用离子注入吸杂技术将高能粒子轰击晶片背面，造成严重损伤层，然后进行适当方式的退火，以此达到减少P-n结漏电的目的。美国专利4069068，则把吸杂技术从晶片背面转移到晶片正面，在完成基区扩散后淀积一层SiO2层和一层Si3N4层，刻去发射区接触窗口和基区接触窗口的Si3N4层后，从窗口处注入非掺杂剂如氩离子，在基区表面附近和发射区表面附近形成吸杂缺陷，并且发射区内的吸杂缺陷转变为电无害的小位错环。采用这种方法制造双极器件能在一定程度上减少管道数量，达到减少管道漏电的目的。但是，由于将吸杂缺陷引进了发射区的整个表面附近，有相当数量的吸杂缺陷靠近eb结，反而增大了eb结...
【技术保护点】
半导体器件制造方法中的一种利用离子注入吸杂技术减少管道漏电和表面漏电的方法，其特征在于先形成所说半导体器件的基区［３］，然后在基区扩散中形成的ＳｉＯ↓［２］层［５］上刻出保留一薄层所说ＳｉＯ↓［２］层［５］的小基区窗口［７］，其余部位保留光刻胶［６］，其后经高能粒子注入在所说半导体器件的基区［３］的表面附近的局部区域内及该基区［３］内随后要成为发射区［１１］的区域表面附近的局部区域内形成吸杂缺陷［９］，随后形成所说发射区［１１］的方法。
【技术特征摘要】
1.半导体器件制造方法中的一种利用离子注入吸杂技术减少管道漏电和表面漏电的方法，其特征在于先形成所说半导体器件的基区[3]，然后在基区扩散中形成的SiO2层[5]上刻出保留一薄层所说SiO2层[5]的小基区窗口[7]，其余部位保留光刻胶[6]，其后经高能粒子注入在所说半导体器件的基区[3]的表面附近的...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘姬，赵洪林，殷淑华，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]
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