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本发明提供一种简便易行的减少半导体器件的管道漏电流和表面漏电流的方法．本发明所提供的方法利用离子注入吸杂技术，在半导体基区表面附近的局部区域内和发射区表面附近的局部区域内形成远离ｅｂ结的吸杂缺陷．采用本发明所提供的方法不仅能有效地减少管道漏...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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