本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法，包括：提供量子点核；在所述量子点核表面进行N次壳层生长，制备N层壳层，得到核壳结构纳米晶，用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体，所述壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐；在不同...

本发明实施例提出的分立元件驱动的LED封装组件、LED封装组件的制备方法及显示装置中，通过对封装基板的第二预设区域的LED驱动模块采用第一封装胶体进行封装，并在封装基板的第一预设区域形成反射面，然后在反射面内形成对LED模块进行封装的第...

本发明涉及图像处理技术领域，提供了一种基于ConvNets的暗光图像处理方法及终端设备。该方法包括：对图像原始数据进行预处理；将经过所述预处理的原始数据输入到卷积神经网络模型进行特征增强；对所述卷积网络模型的输出数据进行通道重排处理，生...

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其中，所述空穴传输层包括金属氧化物纳米颗粒和黑磷纳米材料，所述黑磷纳...

本发明公开一种量子点发光二极管，其包括设置在所述阳极与所述量子点发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴缓冲层，所述空穴传输层靠近所述阳极设置，所述空穴缓冲层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴缓冲层包括一层与所述空穴传...

本发明公开一种量子点发光二极管，其包括设置在所述阳极与所述量子点发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴缓冲层，所述空穴传输层靠近所述阳极设置，所述空穴缓冲层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴缓冲层包括一层与所述空穴传...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述核壳纳米材料包括TiO

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层背离所述底电极的表面设置有乙基纤维素层。该乙基纤维素层可以保护量...

本发明公开一种氧化镍薄膜及其制备方法，量子点发光二极管，其中，所述氧化镍薄膜包括氧化镍膜层以及连接在氧化镍膜层表面的Cl‑Ni键。所述结合在氧化镍膜层表面的Cl‑Ni键可提高氧化镍膜层表面电子的静电势能，从而提高氧化镍薄膜的表面功函数。...

本发明实施例适用于计算机视觉技术领域，公开了一种3D景深估计方法、装置、终端设备及计算机可读存储介质，其中，方法包括：获取待估计2D图像；通过预训练的编码器神经网络模型，得到待估计2D图像的显著性特征图像；根据预训练的景深估计解码器神经...

本发明适用于计算机技术领域，提供了视频图像的分割方法、终端设备及计算机可读存储介质，包括：获取当前帧视频图像，以及获取用于对所述当前视频图像的前一帧视频图像进行分割的第一前景框的信息和第一背景框的信息；所述信息包括位置信息和尺寸信息；将...

本发明实施例适用于界面控制技术领域，公开了一种界面控制方法、装置、智能终端及计算机可读存储介质，其中，方法包括：当接收到控制语音时，对当前界面执行截屏操作，得到待识别界面图像；划分待识别界面图像得到每个控件的控件子图像；遍历所有控件子图...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点，包括III‑V族量子点核和结合在所述III‑V族量子点核表面的表面配体，所述表面配体的化学结构通式如式I所示：其中R

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种金属氧化物前驱体和/或一种或多种金属氢氧化物前驱体；将所述III族阳离子前驱体和...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种金属卤化物前驱体以及一种或多种金属氧化物前驱体和/或一种或多种金属氢氧化物前驱...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种乙酰丙酮金属盐前驱体；将所述III族阳离子前驱体和配体溶于溶剂中，在第一温度条件下...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种乙酰丙酮金属盐前驱体和一种或多种金属卤化物前驱体；将所述III族阳离子前驱体和配...

本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点包括III‑V族量子点核和包覆在所述III‑V族量子点核表面的乙酰丙酮盐壳层。该量子点通过在III‑V族量子点核的表面引入一层乙酰丙酮盐壳层，可以钝化III‑V族量子点核表...

本发明涉及一种量子点及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种金属卤化物前驱体、一种或多种乙酰丙酮金属盐前驱体以及一种或多种金属氧化物前驱体和/或一种或多种金属氢氧化物...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种乙酰丙酮金属盐前驱体以及一种或多种金属氧化物前驱体和/或一种或多种金属氢氧化物前...