量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光层背离所述底电极的表面设置有乙基纤维素层。该乙基纤维素层可以保护量子点发光层，在量子点发光层上制备功能层时可防止量子点不被功能层材料溶剂溶解破坏，而且乙基纤维素层不会影响量子点发光层和顶电极之间的载流子传输，最终在该乙基纤维素层的保护下，器件的发光效率得到提高。

Quantum dot led and its preparation

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点(QDs)是一种半导体纳米晶体，由于其具有很多优点，例如：很高的量子效率和色彩纯度，且量子点的发光波长可以通过改变量子点纳米晶体的半径来调节等，使得量子点在众多发光材料中脱颖而出，被认为是最具前景的发光材料之一。量子点发光二极管(QD-LEDs，或QLED)是目前量子点(QDs)材料最具应用潜力的方向，一般制QLED都采用较为简单的溶液处理法，如旋涂，打印等，这使得量QLED在开发低成本，大尺寸，以及柔性显示器上具有很大的优势。传统的QLED结构一般为：透明的铟锡氧化物(ITO)沉积在玻璃作为阳极，中间为功能层材料，最后在上面蒸镀一层金属作为阴极，如Ag，Al等，所以发出的光经过反射会从底部的ITO玻璃侧出来。薄膜晶体管(TFT)式显示屏是当前主流的显示设备，其显示屏上的每个像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，因此TFT式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备。是最好的彩色显示器之一，TFT式显示器具有高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层背离所述底电极的表面设置有乙基纤维素层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层背离所述底电极的表面设置有乙基纤维素层。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为顶发射型量子点发光二极管或底发射型量子点发光二极管。


3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，且所述乙基纤维素层和所述顶电极之间层叠设置有电子功能层；或者，
所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，且所述乙基纤维素层和所述顶电极之间层叠设置有空穴功能层。


4.如权利要求1-3任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述乙基纤维素层的厚度为0.5-10nm。


5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备乙基纤维素层。


6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：田亚蒙，谢相伟，黄航，眭俊，苏亮，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44