【技术实现步骤摘要】
量子点及其制备方法
本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种量子点及其制备方法。
技术介绍
量子点，也称为半导体纳米晶，其颗粒半径接近或小于激子波尔半径。由于“量子尺寸”效应的存在，随着量子点的尺寸进一步减小时，连续的能级结构会逐渐向分立、不连续的能级结构转变。在受一定波长能量的光激发后，价带中吸收一定能量的光子被激发到导带，而处于激发态的电子会从导带跃迁至价带，并以光的形式释放能量，发出显著的荧光现象。因此，通过一定的方式来调整量子点的尺寸和化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区，甚至是近红外区。高质量的量子点的制备通常是采用溶液法制备，一方面量子点作为胶体溶液具有高分散性，从而便于物理操作；另一方面量子点具有的高色纯、宽色域和高稳定性等优点，是新一代显示技术的核心材料。迄今，关于II-VI族量子点在合成和制备方面已经日趋成熟，所制备的量子点不仅质量高，且荧光性能优良。同时，高性能器件所使用的量子点多基于II-VI族化合物所构筑，尤其是红、绿色量子点，不仅发光效率高、且荧光寿命长，均可达到商业应用需求。但是，...
【技术保护点】
1.一种量子点，其特征在于，包括III-V族量子点核和结合在所述III-V族量子点核表面的氢氧根离子；其中，所述氢氧根离子与所述量子点核表面的III族阳离子结合。/n
【技术特征摘要】
1.一种量子点，其特征在于，包括III-V族量子点核和结合在所述III-V族量子点核表面的氢氧根离子；其中，所述氢氧根离子与所述量子点核表面的III族阳离子结合。
2.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述III-V族量子点核的材料选自GaP、GaN、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和InPGa中的至少一种；和/或
所述III族阳离子选自铟离子、镓离子和铝离子中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的量子点，其特征在于，所述量子点还包括一外壳层，所述外壳层材料为II-VI族半导体材料，所述外壳层包覆所述III-V族量子点核以及结合在所述III-V族量子点核表面的氢氧根离子。
4.如权利要求3所述的量子点，其特征在于，所述II-VI族半导体材料选自CdS、CdSe、CdO、CdTe、HgO、HgS、HgTe、HgSe、ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnO、MgSe、MgS、MgTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、MgZnSe和MgZnS中的至少一种；和/或
所述外壳层的厚度为3-5nm。
5.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种金属氧化物前驱体和/或一种或多种金属氢氧化物前驱体；将所述III族阳离子前驱体和配体溶于溶剂中，在第一温度条件下进行加热处理，得到混合溶液；
将所述混合溶液继续升温至第二温度，然后向所述混合溶液中加入V族阴离子前驱体，进行成核反应，得到III-V族量子点核溶液。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述成核反应完成后，即刻将第二II族阳离子前驱体和VI族阴离子前驱体加入所述III-V族量子点核溶液中，在第三温度条件下进行壳层生长，在III-V族量子点核表面形成II-VI族半导体壳层，得到核壳量子点溶液。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物前驱体选自氧化铟、氧化铝和氧化镓中的至少一种；和/或
所述金属氢氧化物前驱体选自氢氧化镓、氢氧化铟和氢氧化铝中的至少一种；和/或
所述V族阴离子前驱体选自三(三甲硅烷基)膦，三(三甲锗烷基)膦、三(二甲胺基)磷，三(二乙氨基)磷、三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦、三环己基膦、三(三甲硅烷基)砷、三(二甲胺基)砷，三(二乙氨基)砷、三乙基砷、三丁基砷、三辛基砷、三苯基砷、三环己基砷、氧化砷、氯化砷、溴化砷、碘化砷、硫化砷和氨气中的至少一种；和/或
所述配体选自油酸、C4-C20饱和脂肪酸、被C6-C22烷基取代的膦、被C6-C22烷基取代的氧膦、C6-C22伯胺、C6-C22仲胺和C6-C40叔胺中的至少一种；和/或
所述溶剂选自C6-C40脂族烃、C6-C30芳族烃、含氮杂环化合物、C12-C22芳族醚中的至少一种。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二II族阳离子前驱体选自油酸镉、丁酸镉、正葵酸镉、己酸镉、辛酸镉、十二烷酸镉、肉豆蔻酸镉、棕榈酸镉、硬脂酸镉、油酸汞、丁酸汞、正葵酸汞、己酸汞、辛酸汞、十二烷酸汞、肉豆蔻酸汞、棕榈酸汞、硬脂酸汞、油酸锌、丁酸锌、正葵酸锌、己酸锌、辛酸锌、十二烷酸锌、肉豆蔻酸锌、棕榈酸锌、硬脂酸锌、油酸镁、丁酸镁、正葵酸镁、己酸镁、辛酸镁、十二烷酸镁、肉豆蔻酸镁、棕榈酸镁和硬脂酸镁中的至少一种；和/或
所述VI族阴离子前驱体选自己硫醇、辛硫醇、葵硫醇、十二烷基硫醇、十六烷基硫醇、巯基丙基硅烷、硫化三辛基膦、硫化三丁基膦、硫化三苯基膦、硫化三辛基胺、三(三甲基甲硅烷基)硫化物、硫化铵、硫化钠、硒化三辛基膦、硒化三丁基膦、硒化三苯基膦、碲化三丁基膦、碲化三辛基膦和碲化三苯基膦中的至少一种。
9.如权利要求5-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为100-200℃；和/或
所述第一温度条件下进行加热处理的时间为1-2h；和/或
所述第二温度为260-320℃；和/或
所述成核反应的时间为1-20min。
10.如权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第三温度为260-320℃；和/或
所述在第三温度条件下进行外壳层生长的时间为15min-90min。
11.一种量子点，其特征在于，包括III-V族量子点核；与所述III-V族量子点核表面的V族阴离子结合的II族阳离子，以及与III-V族量子点核表面III族阳离子和II族阳离子结合的氢氧根离子。
12.如权利要求11所述的量子点，其特征在于，所述III-V族量子点核的...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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