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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
分立元件驱动的LED背光组件及显示装置制造方法及图纸
本发明实施例提出的分立元件驱动的LED背光组件及显示装置中,通过在印刷电路板中设置有第一金属电极的第一印刷电路板层和有第二金属电极的第二印刷电路板层,使所述第一金属电极与所述第二金属电极相对设置,以形成与所述LED背光电路连接的第一存储...
a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组制造技术
本发明适用于显示技术领域,提供了一种a‑Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板、背光模组和显示装置,光源板的每一发光单元包括发光元件以及驱动发光元件的驱动薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管的第一漏极和第一源极均呈条状并呈螺旋状分布,第一漏极...
a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组制造技术
本发明适用于显示技术领域,提供了一种a‑Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板和背光模组,光源板的基板上包括多个发光单元,每一发光单元包括发光元件以及驱动发光元件的驱动薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第...
a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组制造技术
本发明适用于显示技术领域,提供了一种a‑Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板和背光模组,光源板的发光单元包括发光元件以及驱动发光元件的驱动薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管的第一源极的一部分和第一漏极的一部分呈梳齿状交错分布,另一部分呈螺...
分立元件驱动的LED背光单元、组件、电路以及显示装置制造方法及图纸
本发明实施例提出的分立元件驱动的LED背光单元、组件、电路以及显示装置中,通过采用分立的第一LED芯片、第一电子开关管以及第二电子开关管焊接成驱动电路形成LED背光单元,对第一LED芯片进行驱动,克服了传统的集成电路芯片无法对单颗LED...
一种像素结构及显示面板制造技术
本发明公开了一种像素结构及显示面板,所述像素结构由若干2×4排列的像素单元重复堆叠而成,并且通过设定2×4排列的像素单元中各子像素的排列方式使得各基色光在空间上采样均匀,以提高显示面板分辨率和色彩表现力。同时,所述第二子像素和/或第三子...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源阳离子前驱体为金属有机羧...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括:提供含有量子点核的溶液;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体;在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之...
量子点的制备方法技术
本发明提供了一种量子点的制备方法,包括:提供初始量子点核,将所述初始量子点核与有机羧酸混合,使有机羧酸结合到所述初始量子点核表面;在所述初始量子点核表面制备壳层,其中,在所述初始量子点核表面制备壳层的步骤在含有机羧酸的壳层生长反应体系中...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括:提供含有量子点核的溶液;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体;在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机羧酸的溶液中进行加热处理;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源阳离子前驱体为金属有机...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机羧酸的溶液中进行加热处理;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源阳离子前驱体为金属有机...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源阳离子前驱体为金属有机羧...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机羧酸的溶液中加热;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体...
量子点的制备方法技术
本发明提供了一种量子点的制备方法,包括以下步骤:提供初始量子点核,将所述初始量子点核与有机胺混合,使有机胺结合到所述初始量子点核表面;在所述初始量子点核表面进行壳层生长反应,制备壳层;将壳层生长反应完成后的溶液体系与有机羧酸混合并加热;...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中混合并加热;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括:提供含有量子点核的溶液;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体,所述壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子点核,将所述量子点核分散在含有有机羧酸的溶液中进行加热处理;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和...
核壳结构纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法,包括以下步骤:提供量子点核;在所述量子点核表面进行N次壳层生长,制备N层壳层,得到核壳结构纳米晶,用于所述壳生长的壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐;在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间,向已形成...
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