a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组制造技术

本发明专利技术适用于显示技术领域，提供了一种a‑Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板和背光模组，光源板的基板上包括多个发光单元，每一发光单元包括发光元件以及驱动发光元件的驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极交错分布并形成曲折的间隙，以增大第一有源层对应所述间隙的部分形成的沟道的宽度。本发明专利技术通过将驱动薄膜晶体管的第一源极和第一漏极交错分布并形成曲折的间隙，第一有源层对应第一源极和第一漏极之间的间隙的部分形成沟道，曲折的沟道明显地提高了沟道的宽长比及其驱动能力，从而该驱动薄膜晶体管允许更大的驱动电流通过用于驱动发光元件发光，满足作为背光使用的要求。

Active backlight LED light source board and backlight module driven by a-Si TFT device

【技术实现步骤摘要】
a-SiTFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组
本专利技术属于显示
，特别涉及一种a-SiTFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组。
技术介绍
目前，TFT(ThinFilmTransistor,薄膜场效应晶体管)主要应用于驱动每一颗像素，例如液晶显示阵列、有机发光二极管显示阵列等。根据使用的半导体材料的不同，目前主流的TFT可以区分为a-Si(AmorphousSilicon,非晶硅)、IGZO(IndiumGalliumZincOxide,铟镓锌氧化物)和LTPS(LowTemperaturePoly-silicon,低温多晶硅)三大类。a-Si材料质量低，载流子迁移率小，因此a-SiTFT能够承受的电流密度小，而IGZO和LTPS中的载流子迁移率大，能够承受较大的电流密度。对于单颗TFT，在特定的电流密度下，其所能够通过的最大电流正比于其沟道宽度与长度的比值(宽长比)。而为了限制TFT的漏电流，确保器件稳定，TFT的沟道长度必须大于一定的数值。目前的LCD阵列、OLED阵列具有较高的分辨率，因此相邻两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光源板，其特征在于，包括多个发光单元；每一所述发光单元包括发光元件以及驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极交错分布，所述第一源极和第一漏极之间形成曲折的间隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种光源板，其特征在于，包括多个发光单元；每一所述发光单元包括发光元件以及驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极交错分布，所述第一源极和第一漏极之间形成曲折的间隙。


2.如权利要求1所述的光源板，其特征在于，定义所述第一源极和第一漏极在衬底平面内的投影分别为平面几何体A与平面几何体B，A与B满足如下条件：
A与B的面积均不为0；
处于B的边缘的点集里，超过80％的点到A的距离相同且为d1，另外少于20％的点到A的距离均大于d1；处于A的边缘的点集里，超过80％的点到B的距离相同且为d2，另外少于20％的点到B的距离均大于d2。


3.如权利要求2所述的光源板，其特征在于，A与B的边长LA与LB、面积SA与SB满足如下条件：LA2/SA>104，LB2/SB>104。


4.如权利要求1所述的光源板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管的投影在所述发光单元中的面积占比为70％～95％。


5.如权利要求1所述的光源板，其特征在于，所述交错分布包括梳齿状交错分布，所述沟道的至少一部分呈方波状。


6.如权利要求1所述的光源板，其特征在于，所述交错分布包括螺旋状交错分布，所述沟道的至少一部分呈螺旋状。


7.如权利要求1所述的光源板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管上设有钝化层，所述发光元件经由所述钝化层上的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫晓林，林智远，马刚，谢相伟，陈光郎，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44