【技术实现步骤摘要】
核壳结构纳米晶的制备方法
本专利技术属于纳米晶材料制备
，尤其涉及一种核壳结构纳米晶的制备方法。
技术介绍
纳米科学和纳米技术是一门新兴的科学技术并且存在潜在的应用价值和经济效益，因而在世界范围内备受科学家的关注。相对于体相材料，纳米晶体(NCs)能够呈现出非常有趣的现象主要是依赖于其电学、光学、磁学和电化学特性(相应的体相材料是无法实现)。半导体纳米晶体，又称量子点(QD)，其尺寸范围从1到10nm，当粒径大小发生变化时，半导体纳米晶的带隙价带和导带也会改变(量子尺寸效应)，如CdSe纳米晶体的吸收和发射几乎覆盖了整个可见光谱范围，因此，半导体纳米晶体表现出与尺寸有关的光致发光性质的现象。半导体纳米晶体已经在许多
被应用如生物标记、诊断、化学传感器、发光二极管、电子发光器件、光伏器件、激光器和电子晶体管等。然而针对不同
的应用需要自备不同类别的半导体量子点，制备高质量的半导体量子点是半导体量子点尺寸效应有效应用的前提。在过去的几十年中，为了得到高质量的半导体纳米晶，科研学者开了了很多种方法。现有的...
【技术保护点】
1.一种核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供量子点核；/n在所述量子点核表面进行N次壳层生长，制备N层壳层，得到核壳结构纳米晶，用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体，所述壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐；/n在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；/n其中，N为大于等于2的正整数；/nM为正整数，且M的取值满足：N/3≤M≤N-1。/n
【技术特征摘要】
1.一种核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供量子点核；
在所述量子点核表面进行N次壳层生长，制备N层壳层，得到核壳结构纳米晶，用于所述壳生长的壳源包括壳源阳离子前驱体和壳源阴离子前驱体，所述壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐；
在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；
其中，N为大于等于2的正整数；
M为正整数，且M的取值满足：N/3≤M≤N-1。
2.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述有机胺选自碳原子个数为8-18的有机胺。
3.如权利要求2所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述有机胺选自含有单个氨基的直链有机胺。
4.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，在所述的不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，包括在不同次序的L次的相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺和有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长，其中，L为正整数，且L≤M。
5.如权利要求1至3任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，M＝N-1。
6.如权利要求4所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，L＝M＝N-1；
和/或，所述有机膦选自三辛基膦、三丁基膦中的至少一种。
7.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，当M<N-1时，还包括在不同次序的S次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机膦进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长的步骤，其中，所述S次相邻壳层生长步骤之间是指未向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺或有机胺和有机膦进行混合和加热处理的若干相邻壳层生长步骤之间，所述S为正整数，且1≤S≤(N-1)-M。
8.如权利要求7所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述有机膦选自三辛基膦、三丁基膦中的至少一种。
9.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述量子点核为II/VI族量子点核。
10.如权利要求1、4或7任一项所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述在所述不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，在向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，先将壳源阴离子前驱体加入壳层生长反应体系，再将壳源阳离子前驱体加入壳层生长反应体系进行后一壳层生长。
11.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，所述壳源阳离子前驱体选自Cd、Zn和Pb的有机金属羧酸盐中的至少一种，所述壳源阴离子前驱体选自将Te、Se和S单质分散到有机分子中形成的阴离子配合物或者硫醇；
和/或，所述量子点核为II-VI族量子点核。
12.如权利要求1所述的核壳结构纳米晶的制备方法，其特征在于，制备的N层壳层中，每一层壳层厚度为0.1-2nm，N的取值范围为6...
【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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