一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其中，所述空穴传输层包括金属氧化物纳米颗粒和黑磷纳米材料，所述黑磷纳米材料表面含有P‑O‑P键，所述黑磷纳米材料表面的P‑O‑P键中的氧元素与金属氧化物纳米颗粒中的金属元素配位结合。本发明专利技术空穴传输层中，通过在金属氧化物纳米颗粒之间分散黑磷纳米材料，可以明显改善金属氧化物纳米颗粒的空穴迁移率，从而提高空穴传输层的空穴传输效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管具有光谱连续可调、发光光谱窄、量子效率高等优点，是极具潜力的显示技术，在显示领域有着极大的应用潜力。目前量子点发光二极管的效率及使用寿命受材料的限制未有较大突破，其中电子传输层和空穴传输层的材料对量子点发光二极管的发光效率有着重要的影响。目前常见的量子点发光二极管中，常用有机聚合物（如PEDOT:PSS）以及金属氧化物（如NiO、MoO3、V2O5、WO3等）作为空穴传输层材料。其中，金属氧化物材料因其具有更好的化学稳定性而被用于制备高寿命器件，然而其较低的空穴迁移率使得器件无法达到较高的发光效率。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有金属氧化物作为空穴传输材料，其空穴传输效率较低、空穴-电子电荷传输不均导致器件性能不佳的问题。本专利技术的技术方案如下：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层包括金属氧化物纳米颗粒和黑磷纳米材料，所述黑磷纳米材料表面含有P-O-P键，所述黑磷纳米材料表面的P-O-P键中的氧元素与所述金属氧化物纳米颗粒表面的金属元素结合。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层包括金属氧化物纳米颗粒和黑磷纳米材料，所述黑磷纳米材料表面含有P-O-P键，所述黑磷纳米材料表面的P-O-P键中的氧元素与所述金属氧化物纳米颗粒表面的金属元素结合。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层包括金属氧化物纳米颗粒和分散在多个金属氧化物纳米颗粒之间的黑磷纳米材料，所述金属氧化物纳米颗粒通过所述黑磷纳米材料联接。


3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层中，所述黑磷纳米材料与所述金属氧化物纳米颗粒的质量比为1.0-10.0：100。


4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述黑磷纳米材料为黑磷纳米颗粒，所述黑磷纳米颗粒的粒径为5-20nm；
和/或，所述黑磷纳米材料为黑磷纳米片，所述黑磷纳米片的厚度为5-20nm。


5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍纳米颗粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，吴龙佳，何斯纳，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44