本技术公开了一种场效应管用封装装置，本技术涉及场效应管封装技术领域。该场效应管用封装装置，包括场效应管用封装设备主体和场效应管用封装设备主体底部固定连接的底座，所述底座的内部固定安装有环形气囊。本技术通过设置空腔、滑动槽和万向轮等，通过...

本实用新型公开一种高可靠性晶闸管器件，包括：壳体、引脚，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体一端，所述壳体顶部设置有一散热盖，该散热盖的一端设置有一第一定位孔，所述壳体对应第一定位孔设置有一第二定位孔，一定位螺丝可穿过第一定位孔与第二定位孔...

本实用新型公开一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体、引脚，所述壳体顶部设置有一表面具有若干个凹槽的上壳盖，该凹槽可供一散热片嵌入安装，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端，在所述上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一...

本实用新型公开一种可控硅半导体器件，包括：壳体、若干根引脚，所述壳体顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端，所述第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，该散热片的上...

本实用新型公开一种高功率电压抑制半导体器件，包括：依次叠置的顶封装块、上封装块、下封装块，上封装块的两端均设置有一接线块，顶封装块位于两个接线块之间，接线块的水平部设置在上封装块的上表面边缘，接线块位于上封装块侧面的竖直部覆盖于上封装块...

本实用新型公开一种瞬态电压抑制器，其上封装块的上表面间隔设置有2个与上封装块电连接的接线块，顶封装块位于两个接线块之间，接线块相背于上封装块的表面设置有一底部具有开口的固定盒，该固定盒的侧壁上开设有一放线孔，固定盒的顶部和底部之间设置有...

本实用新型公开一种抗浪涌保护器件，包括：依次叠置的顶封装块、上封装块、下封装块，所述上封装块的两端均设置有一接线块，所述顶封装块位于两个接线块之间，所述接线块相背于上封装块的表面设置有一底部具有开口的固定盒，该固定盒的侧壁上开设有一放线...

本实用新型公开一种TVS瞬态电压抑制器件，其上封装块的两端均设置有一接线块，顶封装块位于两个接线块之间，接线块相背于上封装块的表面设置有一底部具有开口的固定盒，固定盒的侧壁上开设有一接线通道，位于固定盒的前、后端面之间且在接线通道下部设...

本实用新型公开一种半导体器件用检测装置，其位于壳体内部设置有第一过滤网筒、第二过滤网筒，一位于壳体外壁上的第一电机的输出轴可伸入壳体内部与第一过滤网筒的一端固定连接，第一过滤网筒的另一端通过一进料管与一进料斗的底端连通，第一过滤网筒与第...

本实用新型公开一种用于半导体芯片的筛选设备，包括：壳体，所述壳体内部设置有一过滤网筒，一位于壳体外部一侧的加料斗通过一进料管与过滤网筒的一端连通，所述过滤网筒的另一端连接一电机的输出轴，在所述壳体内部且位于过滤网筒下方设置有一收集盒，所...

本实用新型公开一种用于整流器件的生产设备，其固定板相背于气缸的一侧固定连接有一齿轮盘，并且该侧表面上沿齿轮盘的圆周方向设置有一滑槽，一安装架通过滑块嵌入该滑槽内滑动连接，安装架相背于固定板的一端与一第一推杆固定连接，第一推杆的另一端固定...

本实用新型公开一种半导体集成器件加工用自动化装置，其气缸的活塞杆上设置有冲击板，高温箱、低温箱的内壁上均匀分布有若干个温度传感器，固定板相背于气缸的一侧固定连接有一齿轮盘，并且该侧表面上沿齿轮盘的圆周方向设置有一滑槽，一安装架通过滑块嵌...

本实用新型公开一种高可靠性器件的测试装置，包括：底座、嵌入底座内部一侧并列设置的高温箱和低温箱，所述高温箱与低温箱之间设置有一隔板，所述高温箱、低温箱的一侧分别设置有热风管、冷风管，所述冷风管与热风管之间分别设置有一湿气管伸入高温箱、低...

本发明公开一种半导体可控硅模块，其可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极...

本实用新型公开一种单向可控硅器件，其通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电...

本实用新型公开一种逆导半导体可控硅，其可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的...

本实用新型公开一种双向瞬态抑制器件，包括第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条和第二引线条，一环氧封装体包覆于第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上；第一引线条的支撑...

本实用新型公开一种大功率可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电...

本实用新型公开一种逆导可控硅，其陶瓷绝缘片开有第一通孔、第二通孔，此第一通孔、第二通孔内分别设置有一第一导电柱、第二导电柱；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴...

本实用新型公开一种双向可控硅器件，其阳极电极位于陶瓷绝缘片与第一可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接，第一可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体...