大功率可控硅封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体、引脚，所述壳体顶部设置有一表面具有若干个凹槽的上壳盖，该凹槽可供一散热片嵌入安装，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端，在所述上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一密封圈，该第一密封圈具有一密封凸环，所述散热片的底部外壁固定套装有一第二密封圈，该第二密封圈相对于第一密封圈的一侧设置有一可供密封凸环嵌入的环形槽。本实用新型专利技术大功率可控硅封装结构提高了器件的密封性，减少了外界粉尘进入器件内部的情况，保证了器件工作的可靠、稳定。稳定。稳定。

【技术实现步骤摘要】
大功率可控硅封装结构


[0001]本技术涉及可控硅
，尤其涉及一种大功率可控硅封装结构。

技术介绍

[0002]电子设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分，半导体是电子设备中的重要部分之一。可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管，在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现小功率控制大功率设备。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
[0003]可控硅芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，但是现有技术中，芯片的密封性不足。为此，本技术提供一种大功率可控硅封装结构。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种大功率可控硅封装结构，该大功率可控硅封装结构提高了器件的密封性，减少了外界粉尘进入器件内部的情况，保证了器件工作的可靠、稳定。
[0005]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体、引脚，所述壳体顶部设置有一表面具有若干个凹槽的上壳盖，该凹槽可供一散热片嵌入安装，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端；
[0006]在所述上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一密封圈，该第一密封圈具有一密封凸环，所述散热片的底部外壁固定套装有一第二密封圈，该第二密封圈相对于第一密封圈的一侧设置有一可供密封凸环嵌入的环形槽。
[0007]上述技术方案中进一步改进的方案如下：
[0008]1. 上述方案中，所述密封凸环的两侧安装有一定位软块。
[0009]2. 上述方案中，所述密封凸环的内径大于散热片的外径。
[0010]3. 上述方案中，所述第一密封圈、第二密封圈均为橡胶圈。
[0011]4. 上述方案中，所述引脚为三根，分别为栅极电极、阳极电极、阴极电极。
[0012]5. 上述方案中，在所述壳体相背于引脚的一侧延伸设置有一散热板。
[0013]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0014]本技术大功率可控硅封装结构，其在上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一密封圈，散热片的底部外壁固定套装有一第二密封圈，通过第一密封圈、第二密封圈的配合，提高了散热片与上壳盖之间的密封性，减少外界粉尘由散热片与上壳盖之间间隙进入器件内部的情况，保证了器件工作的可靠、稳定；进一步的，其位于上壳盖的上表面的第一密封圈具有一密封凸环，套装在散热块外壁的第二密封圈相对于第一密封圈的一侧设置有一可供密封凸环嵌入的环形槽，通过密封凸环与环形槽的配合，进一步提高了第一密封圈与第二密封圈连接的紧密性，也提高了散热片固定安装的稳定性，从而提高整体的可靠性。
附图说明
[0015]附图1为本技术大功率可控硅封装结构的整体结构示意图；
[0016]附图2为本技术大功率可控硅封装结构的剖面正视图；
[0017]附图3为本技术大功率可控硅封装结构的局部结构示意图。
[0018]以上附图中：1、壳体；2、引脚；3、上壳盖；4、凹槽；5、散热片；6、第一密封圈；7、密封凸环；8、第二密封圈；9、环形槽；10、定位软块；11、栅极电极；12、阳极电极；13、阴极电极；14、散热板；15、限位孔。
具体实施方式
[0019]在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
[0020]下面结合实施例对本技术作进一步描述：
[0021]实施例1：一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体1、引脚2，所述壳体1顶部设置有一表面具有若干个凹槽4的上壳盖3，该凹槽4可供一散热片5嵌入安装，与壳体1内部电路连接的引脚2位于壳体1与上壳盖3形成的封装体一端，通过多个散热片5嵌入上壳盖3，增大了器件的散热面积，可以提升器件的散热效果；
[0022]在所述上壳盖3的上表面且沿凹槽4周向设置有一第一密封圈6，该第一密封圈6具有一密封凸环7，所述散热片5的底部外壁固定套装有一第二密封圈8，该第二密封圈8相对于第一密封圈6的一侧设置有一可供密封凸环7嵌入的环形槽9。
[0023]工作前先把散热片5安装在上壳盖3上，第一密封圈6安装在上壳盖3的上表面、第二密封圈8固定在散热片5上，散热片5安装在上壳盖3上时，第二密封圈8会随着散热片5贴合在第一密封圈6上，此时密封凸环7会插入第二密封圈8的内部。
[0024]上述密封凸环7的两侧安装有一定位软块10，增大了密封凸环7与环形槽9之间的摩擦力，进一步提高密封凸环7与环形槽9连接的紧密性，保证第一密封圈6、第二密封圈8连接稳定、可靠。
[0025]上述密封凸环7的内径大于散热片5的外径，便于环形槽9与密封凸环7连接、拆卸。
[0026]上述第一密封圈6、第二密封圈8均为橡胶圈，当第二密封圈8与第一密封圈6贴合时，第一密封圈6、第二密封圈8弹性挤压连接，提高了第一密封圈6、第二密封圈8之间连接的紧密性，可以提高散热片5和上壳盖3之间缝隙处的密封性，减少外界粉尘从散热片5和上壳盖6之间缝隙进入上壳盖6内部的情况。
[0027]上述引脚2为三根，分别为栅极电极11、阳极电极12、阴极电极13。
[0028]实施例2：一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体1、引脚2，所述壳体1顶部设置有
一表面具有若干个凹槽4的上壳盖3，该凹槽4可供一散热片5嵌入安装，与壳体1内部电路连接的引脚2位于壳体1与上壳盖3形成的封装体一端；
[0029]在所述上壳盖3的上表面且沿凹槽4周向设置有一第一密封圈6，该第一密封圈6具有一密封凸环7，所述散热片5的底部外壁固定套装有一第二密封圈8，该第二密封圈8相对于第一密封圈6的一侧设置有一可供密封凸环7嵌入的环形槽9。
[0030]上述密封凸环7的两侧安装有一定位软块10，密封凸环7插入第二密封圈8的内部时，定位软块10会随着密封凸环7插入第二密封圈8的内部，定位软块10会卡在第二密封圈8的内部，通过定位软块10的弹性可以提高第二密封圈8和第一密封圈6的连接性，也提高散热片5位置的稳定性。
[0031]上述第一密封圈6、第二密封圈8均为橡胶圈。
[0032]在上述壳体1相背于引脚2的一侧延伸设置有一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体（1）、引脚（2），其特征在于：所述壳体（1）顶部设置有一表面具有若干个凹槽（4）的上壳盖（3），该凹槽（4）可供一散热片（5）嵌入安装，与壳体（1）内部电路连接的引脚（2）位于壳体（1）与上壳盖（3）形成的封装体一端；在所述上壳盖（3）的上表面且沿凹槽（4）周向设置有一第一密封圈（6），该第一密封圈（6）具有一密封凸环（7），所述散热片（5）的底部外壁固定套装有一第二密封圈（8），该第二密封圈（8）相对于第一密封圈（6）的一侧设置有一可供密封凸环（7）嵌入的环形槽（9）。2.根据权利要求1所述的大功率可控硅封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐兴军，王亚，
申请(专利权)人：苏州兴锝电子有限公司，
类型：新型
国别省市：