双向瞬态抑制器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种双向瞬态抑制器件，包括第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条和第二引线条，一环氧封装体包覆于第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上；第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第二翻边部。本实用新型专利技术半导体整流器件避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，从而提高了器件的使用寿命，有利于进一步降低接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
双向瞬态抑制器件
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种双向瞬态抑制器件。
技术介绍
瞬态电压抑制器（TVS）是一种用来保护敏感半导体器件，使其免遭瞬态电压浪涌破坏而特别设计的固态半导体器件，它具有箝位系数小、体积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点，因而在电压瞬变和浪涌防护上得到了广泛的应用。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种双向瞬态抑制器件，该双向瞬态抑制器件避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，从而提高了器件的使用寿命，有利于进一步降低接触电阻。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种双向瞬态抑制器件，包括第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的两端分别为支撑部和第一引脚部，所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部，所述第二引线条的两端分别为焊接部和第二引脚部，所述第二引线条的焊接部和第二引脚部之间具有一第二折弯部，一环氧封装体包覆于第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上，所述第一瞬态抑制二极管芯片的正极、第二瞬态抑制二极管芯片的正极分别与第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部电连接，所述第一瞬态抑制二极管芯片、第二瞬态抑制二极管芯片层叠设置且第一瞬态抑制二极管芯片的负极、第二瞬态抑制二极管芯片的负极通过金属焊接层电连接；所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与第二瞬态抑制二极管芯片相背的第二翻边部。上述技术方案中进一步改进的方案如下：1.上述方案中，所述第一引线条的第一引脚部、第二引线条的第二引脚部分别从环氧封装体左右两端延伸出。2.上述方案中，所述第一瞬态抑制二极管芯片与第一引线条的支撑部之间通过焊锡层电连接。3.上述方案中，所述第二瞬态抑制二极管芯片与第二引线条的焊接部之间通过焊锡层电连接。4.上述方案中，所述金属焊接层为金属锡层或金属银层。由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：本技术双向瞬态抑制器件，能够在正、反两个方向对电压箝位的同时，其第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与第二瞬态抑制二极管芯片相背的第二翻边部，避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，大大改善了引线条的支撑部和焊接部与第一瞬态抑制二极管芯片电性接触性能和平整度，从而提高了器件的使用寿命；还有，其引线条的通孔边缘具有翻边部，有利于进一步降低接触电阻，从而进一步提高了器件的稳定性。附图说明附图1为本技术双向瞬态抑制器件的立体结构示意图；附图2为本技术双向瞬态抑制器件的剖面结构示意图。以上附图中：1、第一瞬态抑制二极管芯片；21、支撑部；22、第一引脚部；23、第一折弯部；31、焊接部；32、第二引脚部；33、第二折弯部；4、环氧封装体；5、第一通孔；6、第一翻边部；7、第二通孔；8、第二翻边部；9、焊锡层；10、第二瞬态抑制二极管芯片；11、金属焊接层。具体实施方式实施例1：一种双向瞬态抑制器件，包括第一瞬态抑制二极管芯片1、第二瞬态抑制二极管芯片10、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的两端分别为支撑部21和第一引脚部22，所述第一引线条的支撑部21和第一引脚部22之间具有一第一折弯部23，所述第二引线条的两端分别为焊接部31和第二引脚部32，所述第二引线条的焊接部31和第二引脚部32之间具有一第二折弯部33，一环氧封装体4包覆于第一瞬态抑制二极管芯片1、第二瞬态抑制二极管芯片10、第一引线条的支撑部21和第二引线条的焊接部31上，所述第一瞬态抑制二极管芯片1的正极、第二瞬态抑制二极管芯片10的正极分别与第一引线条的支撑部21和第二引线条的焊接部31电连接，所述第一瞬态抑制二极管芯片1、第二瞬态抑制二极管芯片10层叠设置且第一瞬态抑制二极管芯片1的负极、第二瞬态抑制二极管芯片10的负极通过金属焊接层11电连接；所述第一引线条的支撑部21的边缘开有至少2个第一通孔5，此第一通孔5的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片1相背的第一翻边部6，所述第二引线条的焊接部31的边缘开有至少2个第二通孔7，此第二通孔的边缘具有与第二瞬态抑制二极管芯片10相背的第二翻边部8。上述第一引线条的第一引脚部22、第二引线条的第二引脚部32分别从环氧封装体4左右两端延伸出。上述金属焊接层11为金属锡层。实施例2：一种双向瞬态抑制器件，包括第一瞬态抑制二极管芯片1、第二瞬态抑制二极管芯片10、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的两端分别为支撑部21和第一引脚部22，所述第一引线条的支撑部21和第一引脚部22之间具有一第一折弯部23，所述第二引线条的两端分别为焊接部31和第二引脚部32，所述第二引线条的焊接部31和第二引脚部32之间具有一第二折弯部33，一环氧封装体4包覆于第一瞬态抑制二极管芯片1、第二瞬态抑制二极管芯片10、第一引线条的支撑部21和第二引线条的焊接部31上，所述第一瞬态抑制二极管芯片1的正极、第二瞬态抑制二极管芯片10的正极分别与第一引线条的支撑部21和第二引线条的焊接部31电连接，所述第一瞬态抑制二极管芯片1、第二瞬态抑制二极管芯片10层叠设置且第一瞬态抑制二极管芯片1的负极、第二瞬态抑制二极管芯片10的负极通过金属焊接层11电连接；所述第一引线条的支撑部21的边缘开有至少2个第一通孔5，此第一通孔5的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片1相背的第一翻边部6，所述第二引线条的焊接部31的边缘开有至少2个第二通孔7，此第二通孔的边缘具有与第二瞬态抑制二极管芯片10相背的第二翻边部8。上述第一瞬态抑制二极管芯片1与第一引线条的支撑部21之间通过焊锡层9电连接。上述第二瞬态抑制二极管芯片10与第二引线条的焊接部31之间通过焊锡层9电连接。上述金属焊接层11为金属银层。采用上述半导体整流器件时，其第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片相背的第二翻边部，避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，大大改善了引线条的支撑部和焊接部与第一瞬态抑制二极管芯片电性接触性能和平整度，从而提高了器件的使用寿命；还有，其引线条的通孔边缘具有翻边部，有利于进一步降低接触电阻，从而进一步提高了器件的稳定性。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双向瞬态抑制器件，其特征在于：包括第一瞬态抑制二极管芯片（1）、第二瞬态抑制二极管芯片（10）、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的两端分别为支撑部（21）和第一引脚部（22），所述第一引线条的支撑部（21）和第一引脚部（22）之间具有一第一折弯部（23），所述第二引线条的两端分别为焊接部（31）和第二引脚部（32），所述第二引线条的焊接部（31）和第二引脚部（32）之间具有一第二折弯部（33），一环氧封装体（4）包覆于第一瞬态抑制二极管芯片（1）、第二瞬态抑制二极管芯片（10）、第一引线条的支撑部（21）和第二引线条的焊接部（31）上，所述第一瞬态抑制二极管芯片（1）的正极、第二瞬态抑制二极管芯片（10）的正极分别与第一引线条的支撑部（21）和第二引线条的焊接部（31）电连接，所述第一瞬态抑制二极管芯片（1）、第二瞬态抑制二极管芯片（10）层叠设置且第一瞬态抑制二极管芯片（1）的负极、第二瞬态抑制二极管芯片（10）的负极通过金属焊接层（11）电连接；/n所述第一引线条的支撑部（21）的边缘开有至少2个第一通孔（5），此第一通孔（5）的边缘具有与第一瞬态抑制二极管芯片（1）相背的第一翻边部（6），所述第二引线条的焊接部（31）的边缘开有至少2个第二通孔（7），此第二通孔的边缘具有与第二瞬态抑制二极管芯片（10）相背的第二翻边部（8）。/n...

【技术特征摘要】
1.一种双向瞬态抑制器件，其特征在于：包括第一瞬态抑制二极管芯片（1）、第二瞬态抑制二极管芯片（10）、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的两端分别为支撑部（21）和第一引脚部（22），所述第一引线条的支撑部（21）和第一引脚部（22）之间具有一第一折弯部（23），所述第二引线条的两端分别为焊接部（31）和第二引脚部（32），所述第二引线条的焊接部（31）和第二引脚部（32）之间具有一第二折弯部（33），一环氧封装体（4）包覆于第一瞬态抑制二极管芯片（1）、第二瞬态抑制二极管芯片（10）、第一引线条的支撑部（21）和第二引线条的焊接部（31）上，所述第一瞬态抑制二极管芯片（1）的正极、第二瞬态抑制二极管芯片（10）的正极分别与第一引线条的支撑部（21）和第二引线条的焊接部（31）电连接，所述第一瞬态抑制二极管芯片（1）、第二瞬态抑制二极管芯片（10）层叠设置且第一瞬态抑制二极管芯片（1）的负极、第二瞬态抑制二极管芯片（10）的负极通过金属焊接层（11）电连接；
所述第一引线条的支...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐兴军，王亚，
申请(专利权)人：苏州兴锝电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32