【技术实现步骤摘要】
大功率集成电路芯片封装装置
本技术涉及半导体领域,更具体地涉及一种大功率集成电路芯片封装装置。
技术介绍
集成电路芯片的制造过程主要包括以下几个阶段:集成电路芯片的设计阶段、集成电路芯片的制作阶段、集成电路芯片的封装阶段、以及集成电路芯片的测试阶段。当集成电路芯片制作完成后,集成电路芯片上通常有多个焊垫。在集成电路芯片的封装阶段,通常会把集成电路芯片上的这些焊垫与对应的引线框架互相电连接。集成电路芯片通常是通过焊线、或者以植球结合的方式连接到引线框架上,使得集成电路芯片的这些焊垫与引线框架的接点电连接,从而实现集成电路芯片的封装结构内部的电气连接。随着功率类集成电路芯片越来越多地被使用,如何实现大功率集成电路芯片的高散热性能的封装成为半导体行业普遍关心的问题。
技术实现思路
本技术提供了一种新颖的大功率集成电路芯片封装装置以及应用于该封装装置中的引线框架。根据本技术的实施例,提供了一种集成电路芯片封装装置,包括大功率集成电路芯片、引线框架、以及封装体。其中,引线框架包括载片台和至少十个引脚 ...
【技术保护点】
1.一种大功率集成电路芯片封装装置,包括大功率集成电路芯片、引线框架、以及封装体,其中:/n所述引线框架包括载片台和至少十个引脚;/n所述载片台具有相对于所述至少十个引脚所在平面打凹下沉的平面,用于承载所述大功率集成电路芯片,并且所述载片台的下沉部的至少一部分暴露于所述封装体的外部;并且/n所述至少十个引脚中的至少四个相邻引脚被连接在一起并被加宽以形成加宽引脚,并且所述加宽引脚与所述载片台相连接,形成所述大功率集成电路芯片与外界环境的散热通道。/n
【技术特征摘要】
1.一种大功率集成电路芯片封装装置,包括大功率集成电路芯片、引线框架、以及封装体,其中:
所述引线框架包括载片台和至少十个引脚;
所述载片台具有相对于所述至少十个引脚所在平面打凹下沉的平面,用于承载所述大功率集成电路芯片,并且所述载片台的下沉部的至少一部分暴露于所述封装体的外部;并且
所述至少十个引脚中的至少四个相邻引脚被连接在一起并被加宽以形成加宽引脚,并且所述加宽引脚与所述载片台相连接,形成所述大功率集成电路芯片与外界环境的散热通道。
2.如权利要求1所述的大功率集成电路芯片封装装置,其中,所述至少十个引脚中的部分相邻引脚、或者全部相邻引脚之间的间距大于1.0mm。
3.如权利要求1所述的大功率集成电路芯片封装装置,其中,所述载片台的下沉部暴露在所述封装体的表面的面积占所述封装体的同侧表面积的30%以上。
4.如权利要求1所述的大功率集成电路芯片封装装置,其中,所述大功...
【专利技术属性】
技术研发人员:张学豪,李军,赵时峰,
申请(专利权)人:昂宝电子上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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