芯片封装的框架结构及半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种用于芯片封装的框架结构及半导体器件，包括，基岛；多个第一焊盘，设置于所述基岛的周边；以及多个第二焊盘，设置于所述基岛的周边，所述第二焊盘的面积大于所述第一焊盘，至少一个所述第二焊盘具有第一开槽，其中所述第二焊盘包括第一分焊盘及第二分焊盘，所述第一开槽设置于所述第一分焊盘及所述第二分焊盘之间，使得镀银时，所述第二焊盘上的镀银层被约束在所述第一分焊盘和所述第二分焊盘的部分区域上。该框架结构可以避免粗铜线从框架焊点上被脱落的问题，从而提高半导体封装结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装的框架结构及半导体器件
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种芯片封装的框架结构及半导体器件。
技术介绍
随着集成电路的发展，芯片在电子设备中的应用越来越广泛，实现电子设备的各个功能的芯片需要封装，现有技术中，QFN(QuadFlatNOLead，方形扁平无管脚)封装结构是一种方形扁平无引脚的半导体芯片封装结构。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能。近年来，随着大电流，低电阻，大功耗电源芯片的发展，QFN封装时，为了降低打线电阻，会在芯片与框架上打2mil的粗铜引线，对于框架来说，粗铜引线打在框架的镀银局部上，由于镀银框架和塑封料的结合力不是太好，所以在温度循环实验后，粗铜引线打在框架上的焊点比较容易脱落，从而导致粗铜引线容易从框架脱落；另外，对于芯片来说，在封装结束后，做TCT可靠性实验时，容易出现粗铜引线打在芯片上的焊点脱落，从而导致粗铜引线容易从芯片上脱落。由上可知，对于目前QFN封装，粗铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于芯片封装的框架结构，其特征在于，包括：/n基岛；/n多个第一焊盘，设置于所述基岛的周边；以及/n多个第二焊盘，设置于所述基岛的周边，所述第二焊盘的面积大于所述第一焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘上，设有镀银层；/n至少一个所述第二焊盘具有第一开槽，其中所述第二焊盘包括第一分焊盘及第二分焊盘，所述第一开槽设置于所述第一分焊盘及所述第二分焊盘之间，使得镀银时，所述第二焊盘上的镀银层被约束在所述第一分焊盘和所述第二分焊盘的部分区域上。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装的框架结构，其特征在于，包括：
基岛；
多个第一焊盘，设置于所述基岛的周边；以及
多个第二焊盘，设置于所述基岛的周边，所述第二焊盘的面积大于所述第一焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘上，设有镀银层；
至少一个所述第二焊盘具有第一开槽，其中所述第二焊盘包括第一分焊盘及第二分焊盘，所述第一开槽设置于所述第一分焊盘及所述第二分焊盘之间，使得镀银时，所述第二焊盘上的镀银层被约束在所述第一分焊盘和所述第二分焊盘的部分区域上。


2.根据权利要求1所述的框架结构，其特征在于，所述第一开槽采用全刻蚀工艺形成。


3.根据权利要求1所述的框架结构，其特征在于，所述第一开槽部分的截断第一分焊盘及第二分焊盘，所述第一分焊盘和所述第二分焊盘具有公共域，或者所述第一分焊盘和所述第二分焊盘之间被所述第一开槽完全截断。


4.根据权利要求1所述的框架结构，其特征在于，还包括：
第二开槽，设置于所述基岛与所述第二焊盘间，并毗邻所述第二焊盘设置。


5.根据权利要求4所述的框架结构，其特征在于，所述第二开槽采用半刻蚀工艺形成，使得所述第二焊盘靠近所述基岛的区域形成半镂空区。


6.根据权利要求1所述的框架结构，其特征在于，所述第一焊盘和所述第二焊盘上设有引脚，所述引脚通过半刻蚀工艺制作而成，该引脚的高度高于所述第一焊盘和所述第二焊盘用于作为第二焊点的焊接区。


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【专利技术属性】
技术研发人员：孟繁均，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33