本申请涉及一种半导体结构，包括：外延层，外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，外延层内形成有开口，开口将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于开口表面以及外延层上表面；多个间隔设置的栅极结构，包括于隔离介质层上依次...

本申请涉及一种半导体结构，包括：外延层；凹槽；第一隔离介质层，位于外延层上表面以及凹槽内壁；有源层，位于凹槽内的第一隔离介质层上；第一介质层，位于有源层以及第一隔离介质层上；第一导电层，位于第一介质层上，第一导电层包括第一源极、第一漏极...

本申请涉及一种半导体结构，包括：外延层，外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层；凹槽，位于外延层内，将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于凹槽表面以及外延层上表面；晶体管结构，包括栅极层、栅介质层以及有源层，且栅极...

本申请涉及一种半导体结构，包括：外延层，外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层；第一凹槽，位于外延层内，将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于外延层上表面以及第一凹槽内壁；有源层，位于第一凹槽内的隔离介质层上；栅...

本申请涉及一种键合结构

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，外延层包括层叠设置的

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层；第一凹槽，位于外延层内，将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于外延层上表面以及第一凹槽内壁；有源层，位于第一凹槽内的隔离...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层；凹槽；第一隔离介质层，位于外延层上表面以及凹槽内壁；有源层，位于凹槽内的第一隔离介质层上；第一介质层，位于有源层以及第一隔离介质层上；第一导电层，位于第一介质层上，第一导电层包括第一源...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，外延层内形成有开口，开口将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于开口表面以及外延层上表面；多个间隔设置的栅极结构，包括于隔离...

本实用新型涉及一种半导体结构，包括：发光芯片，包括多个发光芯片、第一介质层，所述发光芯片包括依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述第一介质层覆盖所述发光芯片；第一电极，位于所述第一介质层中，与所述P型半导体层连接；驱动基板，...

本实用新型涉及一种半导体结构，包括基底；基底包括衬底与衬底上的外延层；其中，外延层包括N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层和P型半导体层在N型半导体层上形成台面结构；第一介质层，位于外延层上；第一电极，位于相邻台面结构之间的第一介...

本申请涉及一种半导体结构，包括：外延层，所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层；凹槽，位于所述外延层内，将所述外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于所述外延层上表面以及所述凹槽内壁；晶体管结构，位于所述凹槽内的...

本申请涉及一种键合结构及其制备方法、发光器件，键合结构包括沿第一方向交替排布的目标柱和间隔部；目标柱包括沿间隔部的厚度方向叠置的发光部和接触部，其中，接触部的底面位于发光部的顶面内，且接触部的横截面积沿背离发光部的方向先增大后减小；第一...

本实用新型涉及一种半导体结构，半导体结构包括：外延层，包括N型半导体层、发光层、P型半导体层，且所述外延层具有台面结构，所述台面结构暴露所述N型半导体层；第一介质层，覆盖所述外延层；第一电极，位于所述第一介质层中，自所述第一介质层远离所...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层；凹槽，位于所述外延层内，将所述外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于所述外延层上表面以及所述凹槽内壁；晶体管结构，位于...

本申请涉及一种像素电路、微发光二极管芯片、驱动芯片及发光芯片，其中，像素电路，包括：像素存储电路，包括多个堆叠设置的存储层，各所述存储层均设有至少一个存储单元，且各所述存储层中的存储单元均连接至同一数据输出端；像素驱动电路，包括开关晶体...

本申请涉及一种微显示器件及其制备方法。该微显示器件包括：衬底；发光结构，位于衬底的一侧；以及驱动电路，位于发光结构的旁侧，并于连接节点处与发光结构相连接；其中，驱动电路包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的控制极连接连接节点，第一极连...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括基底；基底包括衬底与衬底上的外延层；其中，外延层包括N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层和P型半导体层在N型半导体层上形成台面结构；第一介质层，位于外延层上；第一电极，位于相邻台面结构之间...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：发光芯片，包括多个发光芯片、第一介质层，所述发光芯片包括依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述第一介质层覆盖所述发光芯片；第一电极，位于所述第一介质层中，与所述P型半导体层连接；驱...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：外延层，包括N型半导体层、发光层、P型半导体层，且所述外延层具有台面结构，所述台面结构暴露所述N型半导体层；第一介质层，覆盖所述外延层；第一电极，位于所述第一介质层中，自所述第一介质...