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苏州市奥视微科技有限公司专利技术
苏州市奥视微科技有限公司共有28项专利
半导体结构制造技术
本申请涉及一种半导体结构,包括:外延层,外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层,外延层内形成有开口,开口将外延层分为多个发光单元;隔离介质层,位于开口表面以及外延层上表面;多个间隔设置的栅极结构,包括于隔离介质层上依次...
半导体结构制造技术
本申请涉及一种半导体结构,包括:外延层;凹槽;第一隔离介质层,位于外延层上表面以及凹槽内壁;有源层,位于凹槽内的第一隔离介质层上;第一介质层,位于有源层以及第一隔离介质层上;第一导电层,位于第一介质层上,第一导电层包括第一源极、第一漏极...
半导体结构制造技术
本申请涉及一种半导体结构,包括:外延层,外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层;凹槽,位于外延层内,将外延层分为多个发光单元;隔离介质层,位于凹槽表面以及外延层上表面;晶体管结构,包括栅极层、栅介质层以及有源层,且栅极...
半导体结构制造技术
本申请涉及一种半导体结构,包括:外延层,外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层;第一凹槽,位于外延层内,将外延层分为多个发光单元;隔离介质层,位于外延层上表面以及第一凹槽内壁;有源层,位于第一凹槽内的隔离介质层上;栅...
键合结构制造技术
本申请涉及一种键合结构
半导体结构及其制备方法技术
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:外延层,外延层包括层叠设置的
半导体结构及其制备方法技术
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:外延层,外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层;第一凹槽,位于外延层内,将外延层分为多个发光单元;隔离介质层,位于外延层上表面以及第一凹槽内壁;有源层,位于第一凹槽内的隔离...
半导体结构及其制备方法技术
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:外延层;凹槽;第一隔离介质层,位于外延层上表面以及凹槽内壁;有源层,位于凹槽内的第一隔离介质层上;第一介质层,位于有源层以及第一隔离介质层上;第一导电层,位于第一介质层上,第一导电层包括第一源...
半导体结构及其制备方法技术
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:外延层,外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层,外延层内形成有开口,开口将外延层分为多个发光单元;隔离介质层,位于开口表面以及外延层上表面;多个间隔设置的栅极结构,包括于隔离...
半导体结构制造技术
本实用新型涉及一种半导体结构,包括:发光芯片,包括多个发光芯片、第一介质层,所述发光芯片包括依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层,所述第一介质层覆盖所述发光芯片;第一电极,位于所述第一介质层中,与所述P型半导体层连接;驱动基板,...
半导体结构制造技术
本实用新型涉及一种半导体结构,包括基底;基底包括衬底与衬底上的外延层;其中,外延层包括N型半导体层、发光层、P型半导体层,发光层和P型半导体层在N型半导体层上形成台面结构;第一介质层,位于外延层上;第一电极,位于相邻台面结构之间的第一介...
半导体结构制造技术
本申请涉及一种半导体结构,包括:外延层,所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层;凹槽,位于所述外延层内,将所述外延层分为多个发光单元;隔离介质层,位于所述外延层上表面以及所述凹槽内壁;晶体管结构,位于所述凹槽内的...
键合结构及其制备方法、发光器件技术
本申请涉及一种键合结构及其制备方法、发光器件,键合结构包括沿第一方向交替排布的目标柱和间隔部;目标柱包括沿间隔部的厚度方向叠置的发光部和接触部,其中,接触部的底面位于发光部的顶面内,且接触部的横截面积沿背离发光部的方向先增大后减小;第一...
半导体结构制造技术
本实用新型涉及一种半导体结构,半导体结构包括:外延层,包括N型半导体层、发光层、P型半导体层,且所述外延层具有台面结构,所述台面结构暴露所述N型半导体层;第一介质层,覆盖所述外延层;第一电极,位于所述第一介质层中,自所述第一介质层远离所...
半导体结构及其制备方法技术
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:外延层,所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层;凹槽,位于所述外延层内,将所述外延层分为多个发光单元;隔离介质层,位于所述外延层上表面以及所述凹槽内壁;晶体管结构,位于...
像素电路、微发光二极管芯片、驱动芯片及发光芯片制造技术
本申请涉及一种像素电路、微发光二极管芯片、驱动芯片及发光芯片,其中,像素电路,包括:像素存储电路,包括多个堆叠设置的存储层,各所述存储层均设有至少一个存储单元,且各所述存储层中的存储单元均连接至同一数据输出端;像素驱动电路,包括开关晶体...
微显示器件及其制备方法技术
本申请涉及一种微显示器件及其制备方法。该微显示器件包括:衬底;发光结构,位于衬底的一侧;以及驱动电路,位于发光结构的旁侧,并于连接节点处与发光结构相连接;其中,驱动电路包括第一晶体管和第二晶体管;第一晶体管的控制极连接连接节点,第一极连...
半导体结构及其制备方法技术
本发明涉及一种半导体结构及其制备方法,包括基底;基底包括衬底与衬底上的外延层;其中,外延层包括N型半导体层、发光层、P型半导体层,发光层和P型半导体层在N型半导体层上形成台面结构;第一介质层,位于外延层上;第一电极,位于相邻台面结构之间...
半导体结构及其制备方法技术
本发明涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:发光芯片,包括多个发光芯片、第一介质层,所述发光芯片包括依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层,所述第一介质层覆盖所述发光芯片;第一电极,位于所述第一介质层中,与所述P型半导体层连接;驱...
半导体结构及其制备方法技术
本发明涉及一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括:外延层,包括N型半导体层、发光层、P型半导体层,且所述外延层具有台面结构,所述台面结构暴露所述N型半导体层;第一介质层,覆盖所述外延层;第一电极,位于所述第一介质层中,自所述第一介质...
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