键合结构制造技术

本申请涉及一种键合结构

【技术实现步骤摘要】
键合结构、发光器件及电子设备


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种键合结构
、
发光器件及电子设备
。

技术介绍

[0002]微发光二极管显示器
(Micro Light Emitting Diode Display
，简称
Micro LED)
指的是将
LED
结构设计进行薄膜化
、
微小化
、
阵列化，在一个芯片上集成高密度微小尺寸的
LED
阵列
。LED
芯片有两种基本结构：水平结构和垂直结构，与水平结构相比，垂直结构
LED
通过两个电极上下分布，使得电流垂直注入，从而解决水平结构的
LED
中由于电极平面分布，电流侧向注入导致的缺点，改善了散热不佳以及电流分布不均等问题
。
[0003]在垂直结构
LED
芯片中，键合工艺是制备芯片的关键工艺之一，但目前芯片封装中，键合结构的整体性能及尺寸还需进一步改善
。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种键合结构
、
发光器件及电子设备，使得垂直结构
LED
芯片的键合结构尺寸进一步缩小，良率进一步提升，以提高
LED
芯片的整体性能
。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本申请的一方面提供一种键合结构，包括沿第一方向交替排布的目标柱和间隔部；目标柱包括沿间隔部的厚度方向叠置的发光部和接触部，其中，接触部的底面位于发光部的顶面内，且接触部的横截面积沿背离发光部的方向先增大后减小；第一方向与厚度方向相交
。
[0006]于上述实施例中的键合结构中，通过将接触部设置在发光部的顶面并与发光部的顶面连接，且将间隔部设置在相邻目标柱之间用于将目标柱进行分隔，接触部的横截面积沿背离发光部的方向先增大后减小，以提高接触部沿厚度方向相对两侧的结构的接触效果；并且由于接触部与间隔部交替排布，能够进一步缩小键合结构的尺寸，以使得目标柱中发光部的发光效率进一步得到提升
。
相关技术中普遍采用凸点焊接工艺对发光芯片进行键合，得到的键合结构厚度较大，性能也亟需进一步改善
。
本申请提供的键合结构使得键合结构的连接处光滑从而形成一个整体，避免了凸点对尺寸及性能的影响，能够实现更小的间距，提供更高的互连密度以及更简单的电路，且接触部与间隔部交替排布，能够增大带宽
、
降低电容
、
降低功耗以提高键合的良率
。
[0007]在其中一些实施例中，接触部包括沿厚度方向叠置的第一接触层和第二接触层，第一接触层的底面位于发光部的顶面内，第二接触层的底面与第一接触层的顶面重合；其中，第一接触层的横截面积沿背离发光部的方向逐渐增大，第二接触层的横截面积沿背离发光部的方向逐渐减小
。
[0008]在其中一些实施例中，间隔部包括沿厚度方向叠置的第一间隔层和第二间隔层；其中，第一间隔层和第一接触层沿第一方向交替排布，第二间隔层和第二接触层沿第一方向交替排布；第二间隔层及第二接触层还与驱动电路连接
。
[0009]在其中一些实施例中，第一接触层的纵截面为一倒梯形；第二接触层的纵截面为一正梯形
。
[0010]在其中一些实施例中，发光部包括沿厚度方向叠置的第一发光电极
、
量子阱层及第二发光电极；其中，第一接触层的底面位于第二发光电极的顶面内
。
[0011]在其中一些实施例中，键合结构还包括第一反射层，其至少覆盖发光部的外侧壁及部分顶面且位于发光部与间隔部之间，还覆盖第一间隔层的底面
。
[0012]在其中一些实施例中，第二发光电极还包括沿厚度方向叠置的电极层
、
第一导电层及电极反射层；其中，第一接触层的底面位于第一反射层的顶面内
。
[0013]在其中一些实施例中，键合结构还包括第二导电层及第三接触层；第二导电层位于第二发光电极及第一间隔层沿厚度方向远离第二间隔层的一侧，且与第二发光电极连接；第三接触层位于第二导电层沿厚度方向远离第二发光电极的一侧，且与第二导电层连接
。
[0014]本申请的另一方面提供一种发光器件，其包括如本申请实施例中任一项所述的键合结构
。
[0015]于上述实施例中的发光器件中，由于接触部的横截面积沿背离发光部的方向先增大后减小，能够提高接触部沿厚度方向相对两侧的结构的接触效果；并且由于接触部与间隔部交替排布，能够进一步缩小键合结构的尺寸，以使得目标柱中发光部的发光效率进一步得到提升
。
与相关技术中普遍采用凸点焊接工艺对发光芯片进行键合相比，本申请提供的键合结构能够实现更小的间距，提供更高的互连密度以及更简单的电路，且接触部与间隔部交替排布，能够增大带宽
、
降低电容
、
降低功耗以提高键合的良率
。
[0016]本申请的又一方面提供一种电子设备，其包括如本申请实施例中任一项所述的发光器件
。
附图说明
[0017]为了更好地描述和说明这里公开的那些申请的实施例和
/
或示例，可以参考一幅或多幅附图
。
用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的申请
、
目前描述的实施例和
/
或示例以及目前理解的这些申请的最佳模式中的任何一者的范围的限制
。
[0018]图1显示为本申请一实施例中提供的一种键合结构的截面结构示意图；
[0019]图2显示为本申请另一实施例中提供的一种键合结构的截面结构示意图；
[0020]图3显示为本申请一实施例中提供的一种键合结构的制备方法的流程图；
[0021]图4显示为本申请一实施例中提供的于第一衬底上形成发光部及第一绝缘层的截面结构示意图；
[0022]图5显示为本申请一实施例中提供的图4所示结构的俯视示意图；
[0023]图6显示为本申请另一实施例中提供的图4所示结构的俯视示意图；
[0024]图7显示为本申请又一实施例中提供的图4所示结构的俯视示意图；
[0025]图8显示为本申请一实施例中提供的于图4所示结构上形成第二绝缘层及第一反射层的截面结构示意图；
[0026]图9显示为本申请一实施例中提供的于图8所示结构上形成第一间隔层的截面结构示意图；
[0027]图
10
显示为本申请一实施例中提供的于图9所示结构上形成第一接触层的截面结构示意图；
[0028]图
11
显示为本申请另一实施例中提供的于第一衬底上形成发光部及第一绝缘层的截面结构示意图
。
[0029]附图标记说明：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种键合结构，其特征在于，包括沿第一方向交替排布的目标柱和间隔部；所述目标柱包括沿所述间隔部的厚度方向叠置的发光部和接触部，其中，所述接触部的底面位于所述发光部的顶面内，且所述接触部的横截面积沿背离所述发光部的方向先增大后减小；所述第一方向与所述厚度方向相交
。2.
根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述接触部包括沿所述厚度方向叠置的第一接触层和第二接触层，所述第一接触层的底面位于所述发光部的顶面内，所述第二接触层的底面与所述第一接触层的顶面重合；其中，所述第一接触层的横截面积沿背离所述发光部的方向逐渐增大，所述第二接触层的横截面积沿背离所述发光部的方向逐渐减小
。3.
根据权利要求2所述的键合结构，其特征在于，所述间隔部包括沿所述厚度方向叠置的第一间隔层和第二间隔层；其中，所述第一间隔层和所述第一接触层沿所述第一方向交替排布，所述第二间隔层和所述第二接触层沿所述第一方向交替排布；所述第二间隔层及所述第二接触层还与驱动电路连接
。4.
根据权利要求2或3所述的键合结构，其特征在于，所述第一接触层的纵截面为一倒梯形；所述第二接触层的纵截面为一正梯形
。5.
根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：籍亚男，赵影，
申请(专利权)人：苏州市奥视微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：