【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、响应于微显示屏对于屏幕像素密度、刷新频率、灰阶展开、亮度均匀性的要求，驱动电路需要采用高性能的薄膜晶体管(例如模拟电路采用低温多晶硅薄膜晶体管)，薄膜晶体管具有电子迁移率高、关态电流低、均匀性好的特点。
2、然而，目前的薄膜晶体管不能很好的与发光单元结合。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对传统技术中的薄膜晶体管不能很好的与发光单元结合的问题提供一种半导体结构。
2、为了实现上述目的，本申请提供了一种半导体结构，包括：
3、外延层，所述外延层包括层叠设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；
4、凹槽，位于所述外延层内，将所述外延层分为多个发光单元；
5、第一隔离介质层，位于所述外延层上表面以及所述凹槽内壁；
6、有源层，位于所述凹槽内的所述第一隔离介质层上；
7、第一介质层，位于所述有源层以及所述第一隔离介质层上；
8、第一导电层，位于所述第一介质层上，所述第一导电层包括第一源极、第一漏极以及第二栅极，所述第一源极以及所述第一漏极连接所述有源层；
9、第二介质层，位于所述第一导电层上；
10、第二导电层，包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第二介质层上；
11、第二隔离介质层，位于所述n型半导体层远离所述发光层的一侧；
12、第三导电层，包括第二源极以及第二漏极，所述第二源极位
13、在其中一个实施例中，所述发光单元阵列排布形成多个器件区域，所述器件区域被所述发光单元环绕，所述有源层位于所述器件区域内，所述第一导电层位于所述有源层上，且包括第一源极、第一漏极以及第二栅极，所述第一源极与所述第一漏极之间的有源层为第一沟道区，所述第二栅极与所述第一沟道区相对设置，且所述第一源极或者所述第一漏极连接所述第二栅极。
14、在其中一个实施例中，所述第二导电层还包括阳极，所述阳极位于所述发光单元顶面的所述p型半导体层上。
15、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：
16、平坦化介质层，位于所述第二介质层以及所述第二导电层上。
17、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：
18、栅极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述第一栅极；
19、源极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述第一源极；
20、漏极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述第一漏极。
21、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：
22、阳极互连结构，由所述平坦化介质层贯穿至所述阳极。
23、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：
24、驱动基板，位于所述平坦化介质层远离所述外延层的一侧，所述驱动基板连接所述栅极互连结构、源极互连结构以及所述漏极互连结构。
25、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：
26、第一通孔，位于所述第一介质层内，所述第一通孔延伸至所述有源层，所述第一源极以及所述第一漏极通过所述第一通孔连接所述有源层。
27、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：
28、第二通孔，贯穿所述n型半导体层以及所述第一隔离介质层，并延伸至所述有源层，所述第二源极通过所述第二通孔连接所述有源层。
29、在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：
30、第三通孔，贯穿所述n型半导体层以及所述第一隔离介质层，并延伸至所述有源层，所述第二漏极通过所述第三通孔连接所述有源层。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述发光单元阵列排布形成多个器件区域，所述器件区域被所述发光单元环绕，所述有源层位于所述器件区域内，所述第一导电层位于所述有源层上，且包括第一源极、第一漏极以及第二栅极，所述第一源极与所述第一漏极之间的有源层为第一沟道区，所述第二栅极与所述第一沟道区相对设置，且所述第一源极或者所述第一漏极连接所述第二栅极。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层还包括阳极，所述阳极位于所述发光单元顶面的所述P型半导体层上。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
9.根据权利要
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述发光单元阵列排布形成多个器件区域，所述器件区域被所述发光单元环绕，所述有源层位于所述器件区域内，所述第一导电层位于所述有源层上，且包括第一源极、第一漏极以及第二栅极，所述第一源极与所述第一漏极之间的有源层为第一沟道区，所述第二栅极与所述第一沟道区相对设置，且所述第一源极或者所述第一漏极连接所述第二栅极。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层还包括阳极，所述阳极位于所述发光单元顶面的所述p型半导体层上。
4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：籍亚男，赵影，
申请(专利权)人：苏州市奥视微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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