基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构及方法，属于微电子封装的技术领域，集成结构包括微波多层基板和芯片；所述微波多层基板的表面设有向其内部凹陷的盲腔；至少两种类型的所述芯片依次堆叠形成内嵌芯片组；所述内嵌芯片组连接盲腔内，且与所述微波多层基板电气连接；本发明专利技术将不同材料种类和多数量的芯片在垂直方向进行集成结构的优化设计，大幅度提高了集成密度，以及缩短了互连密度；直接采用多个芯片进行堆叠，显著降低产品的尺寸和重量，满足了电子对抗装备的小型化、高集成度、高可靠性的技术要求，保证了2GHz‑40GHz超宽带微波范围的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子封装的，具体涉及一种基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构及方法。

技术介绍

1、随着弹载、星载、舰载、车载等领域电子对抗技术的逐步升级，对电子对抗装备的小型化、集成度、可靠性等也提出了更高的技术要求。射频微系统作为其核心部件，其高集成、小型化的需求也愈加急迫。

2、传统的组装方式mcm是将多个裸芯片和元器件组装在同一块互连基板上并进行封装，互连密度低。目前传统平面混合集成密度已接近极限，面对多种类的裸芯片的2d集成已无法满足现阶段电子对抗装备小型化的技术要求，多种类芯片堆叠三维异构集成可以大幅度提高集成密度和缩短互连密度，并且显著降低产品的尺寸和重量，对实现设备小型化、集成化具有重要意义。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构及方法，能够提高集成密度，降低产品尺寸和重量，实现射频系统的小型化和集成化。

2、本专利技术提供了如下的技术方案：

3、第一方面，提供了一种基于微波本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，包括微波多层基板(1)和芯片；所述微波多层基板(1)的表面设有向其内部凹陷的盲腔；至少两种类型的所述芯片依次堆叠形成内嵌芯片组；所述内嵌芯片组连接在盲腔内，且与所述微波多层基板(1)电气连接。

2.根据权利要求1所述的基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，所述内嵌芯片组包括三个芯片，且三个芯片的类型均不同；所述盲腔的高度与所述内嵌芯片组靠近盲腔底部的两个芯片厚度之和相适配。

3.根据权利要求2所述的基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，靠近所述盲腔腔底的第一个所述...

【技术特征摘要】

1.基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，包括微波多层基板(1)和芯片；所述微波多层基板(1)的表面设有向其内部凹陷的盲腔；至少两种类型的所述芯片依次堆叠形成内嵌芯片组；所述内嵌芯片组连接在盲腔内，且与所述微波多层基板(1)电气连接。

2.根据权利要求1所述的基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，所述内嵌芯片组包括三个芯片，且三个芯片的类型均不同；所述盲腔的高度与所述内嵌芯片组靠近盲腔底部的两个芯片厚度之和相适配。

3.根据权利要求2所述的基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，靠近所述盲腔腔底的第一个所述芯片为si基数字芯片(2)，第二个所述芯片为gaas基数字芯片(3)，第三个所述芯片为gaas基微波芯片(4)。

4.根据权利要求2或者3所述的基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，第一个所述芯片与盲腔腔底的连接、第一个所述芯片与第二个所述芯片的连接、第二个所述芯片与第三个所述芯片的连接均为环氧胶(7)固化粘接；所述盲腔为阶梯状；第一个所述芯片、第二个所述芯片和第三个所述芯片均通过引线(8)与所述微波多层基板(1)相连。

5.根据权利要求3所述的基于微波多层基板的多种类芯片三维异构集成结构，其特征在于，所述si基数字芯片(2)与盲腔腔底接触的表面设有焊料凸点，且所述si基数字芯片(2)与盲腔的腔底通过倒装焊接方式连接；所述gaas基数字芯片(3)与所述gaas基微波芯片(4)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱正虎，徐九华，杨程，王世宇，吴海瑞，王广梓，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：