半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：发光芯片，包括多个发光芯片、第一介质层，所述发光芯片包括依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述第一介质层覆盖所述发光芯片；第一电极，位于所述第一介质层中，与所述P型半导体层连接；驱动基板，通过所述第一介质层以及所述第一电极与所述发光芯片键合；第二电极，位于第一介质层远离所述驱动基板一侧，与所述N型半导体层电连接。通过第一介质层与第一电极键合至驱动基板的键合方式，提高了发光效率。此外，通过填充电极凹槽并形成第一电极，且于第一介质层远离驱动基板的表面形成第二电极的方式，达到了每个发光芯片包括单独阳极，相邻发光芯片共用阴极的效果。相邻发光芯片共用阴极的效果。相邻发光芯片共用阴极的效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光芯片是一种常用的发光器件，照明领域应用广泛。发光芯片可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。
[0003]随着技术的不断进步，发光芯片已被广泛地应用于显示器和照明等领域，因而对发光芯片的发光效率提出了更高要求。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术中的发光芯片的发光效率较低的问题提供一种半导体结构及其制备方法。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
[0006]多个发光芯片，所述发光芯片包括依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层；
[0007]第一介质层，覆盖所述发光芯片；
[0008]第一电极，位于所述第一介质层中，与所述P型半导体层连接；
[0009]驱动基板，与所述第一介质层以及所述第一电极键合；
[0010]第二电极，位于第一介质层的远离所述驱动基板一侧，与所述N型半导体层电连接。
[0011]在上述半导体结构中，通过在第一介质层中设置第一电极，在第一介质层远离驱动基板一侧设置第二电极，并通过第一介质层以及第一电极键合驱动基板，驱动基板驱动发光芯片发光，提高了发光芯片的发光效率。
[0012]在一个实施例中，所述半导体结构包括：
[0013]第一电流扩散层，位于所述P型半导体层上；r/>[0014]刻蚀阻挡层，位于所述第一电流扩散层上。
[0015]在一个实施例中，所述半导体结构包括：第二电流扩散层，位于所述第一介质层靠近所述N型半导体层的表面以及所述N型半导体层表面上。
[0016]在一个实施例中，所述第二电极与相邻所述N型半导体层之间的所述第二电流扩散层电连接。
[0017]在一个实施例中，所述驱动基板包括：
[0018]第二介质层以及驱动电极，所述驱动电极位于所述第二介质层中；所述驱动电极与所述第一电极键合，所述第二介质层与所述第一介质层键合。
[0019]在一个实施例中，相邻所述发光芯片间隔设置。
[0020]基于同样的专利技术构思，本专利技术提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
[0021]提供芯片基板；所述芯片基板包括第一衬底与多个发光芯片，所述发光芯片包括
依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层；
[0022]在所述衬底以及所述发光芯片上形成第一介质层；
[0023]刻蚀所述第一介质层至所述P型半导体层，形成电极凹槽；
[0024]填充所述电极凹槽，形成第一电极；
[0025]提供驱动基板，并将所述第一介质层与所述第一电极键合至所述驱动基板；
[0026]去除所述第一衬底，且于第一介质层远离所述驱动基板的表面形成第二电极。
[0027]在一个实施例中，在所述衬底以及所述发光芯片上形成第一介质层之前，包括：
[0028]于所述P型半导体层上形成第一电流扩散层；
[0029]于第一电流扩散层形成刻蚀阻挡层。
[0030]在一个实施例中，所述驱动基板包括第二介质层以及驱动电极；提供驱动基板，并将所述第一介质层与所述第一电极键合至所述驱动基板，包括：
[0031]键合所述驱动电极与所述第一电极，且键合所述第二介质层与所述第一介质层。
[0032]在一个实施例中，去除所述第一衬底，且于第一介质层远离所述驱动基板的表面形成第二电极，包括：
[0033]去除所述第一衬底；
[0034]于第一介质层远离所述驱动基板的表面形成第二电流扩散层；
[0035]于相邻所述N型半导体层之间的所述第二电流扩散层上形成所述第二电极。
[0036]在上述半导体结构的制备方法中，通过刻蚀第一介质层至P型半导体层，形成电极凹槽，并填充电极凹槽，形成第一电极，又将驱动基板通过第一介质层与第一电极键合，去除第一衬底，且于第一介质层远离驱动基板的表面形成第二电极。通过驱动基板驱动发光芯片发光，可以提高发光芯片的发光效率。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0038]图1为一实施例中提供的半导体结构的制备方法的流程图；
[0039]图2为一实施例中提供的芯片基板结构示意图；
[0040]图3为一实施例中提供的芯片基板的俯视图；
[0041]图4为一实施例中提供的第一介质层的示意图；
[0042]图5为一实施例中提供的电极凹槽的俯视图；
[0043]图6为一实施例中提供的第一电极的示意图；
[0044]图7为一实施例中提供的去除第一衬底的示意图；
[0045]图8为一实施例中提供的第二电极的示意图；
[0046]图9为一实施例中提供的第二电极的俯视图。
[0047]附图标记说明：100
‑
芯片基板；110
‑
第一衬底；120
‑
发光芯片；120
‑
a
‑
N型半导体层；120
‑
b
‑
发光层；120
‑
c
‑
P型半导体层；130
‑
第一电流扩散层；140
‑
刻蚀阻挡层；150
‑
第一介质层；160
‑
电极凹槽；170
‑
第一电极；180
‑
第二电极；200
‑
驱动基板；210
‑
第二衬底；220
‑
驱动芯片；230
‑
第二介质层；240
‑
驱动电极。
具体实施方式
[0048]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0049]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0050]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个发光芯片，所述发光芯片包括依次形成的N型半导体层、发光层、P型半导体层；第一介质层，覆盖所述发光芯片；第一电极，位于所述第一介质层中，与所述P型半导体层连接；驱动基板，与所述第一介质层以及所述第一电极键合；第二电极，位于第一介质层远离所述驱动基板一侧，与所述N型半导体层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：第一电流扩散层，位于所述P型半导体层上；刻蚀阻挡层，位于所述第一电流扩散层上。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：第二电流扩散层，位于所述第一介质层靠近所述N型半导体层的表面以及所述N型半导体层表面上。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极与相邻所述N型半导体层之间的所述第二电流扩散层电连接。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述驱动基板包括：第二介质层以及驱动电极，所述驱动电极位于所述第二介质层中；所述驱动电极与所述第一电极键合，所述第二介质层与所述第一介质层键合。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述发光芯片间隔设置。7.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供芯片基板；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：籍亚男，赵影，
申请(专利权)人：苏州市奥视微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：