一种深紫外发光二极管的封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种深紫外发光二极管的封装结构，封装结构包括封装支架和覆盖窗，覆盖窗设置于封装支架的上方且与封装支架之间形成密闭腔体，密闭腔体内设置有一个发光二极管芯片组和一个齐纳二极管，发光二极管芯片组包括至少两个发光二极管芯片，其中，封装支架靠近覆盖窗的一侧表面包括电路连接层，发光二极管芯片组内的多个发光二极管芯片通过电路连接层串联连接，发光二极管芯片组还通过电路连接层与齐纳二极管并联连接；本发明专利技术提供的深紫外发光二极管的封装结构使深紫外发光二极管芯片的最低工作电压增加的同时，防止多个串联连接的发光二极管芯片被静电击伤，进而减小了深紫外发光二极管的封装结构的电功率。深紫外发光二极管的封装结构的电功率。深紫外发光二极管的封装结构的电功率。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外发光二极管的封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管的封装结构。

技术介绍

[0002]深紫外发光二极管因其高效、环保、节能、可靠等优势，在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外发光二极管所无法比拟的。目前深紫外发光二极管主要的封装形式为表面贴装器件的SMD3535规格，由于尺寸只有3.5mm*3.5mm，所以给封装设计方面预留的空间非常小。然而，现有的深紫外发光二极管市场SMD3535规格的灯珠依然是以单颗深紫外发光二极管芯片为主。这种单颗芯片的封装结构缺点是功率低，而且应用端需要配备一个驱动模块以起到降压恒流作用，将12V或者24V的电压降低到5V至7V左右才能匹配深紫外发光二极管正常工作的电压，这导致应用端上的驱动模块的功耗非常高，进而导致深紫外发光二极管的电功率损耗特别高。
[0003]因此，亟需一种深紫外发光二极管的封装结构以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种深紫外发光二极管的封装结构，用于改善现有技术的深紫外发光二极管的封装结构因采用单颗芯片的封装结构导致深紫外发光二极管的电功率损耗较高的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管的封装结构，包括封装支架和覆盖窗，覆盖窗设置于封装支架的上方且与封装支架之间形成密闭腔体，密闭腔体内设置有一个发光二极管芯片组和一个齐纳二极管，发光二极管芯片组包括至少两个发光二极管芯片；
[0006]其中，封装支架靠近覆盖窗的一侧表面包括电路连接层，发光二极管芯片组内的多个发光二极管芯片通过电路连接层串联连接；发光二极管芯片组还通过电路连接层与齐纳二极管并联连接。
[0007]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，电路连接层包括间隔设置的第一电路连接部、第二电路连接部、第三电路连接部以及第四电路连接部；
[0008]其中，封装结构包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，第一发光二极管芯片的第一电极与第一电路连接部电性连接，第一发光二极管芯片的第二电极与第二电路连接部电性连接；第二发光二极管芯片的第三电极与第三电路连接部电性连接，第二发光二极管芯片的第四电极与第四电路连接部电性连接。
[0009]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，齐纳二极管的第一端与第一电路连接部电性连接，齐纳二极管的第二端与第四电路连接部电性连接。
[0010]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，封装支架包括基材，电路连接层设置于基材上；
[0011]其中，封装支架还包括导通组件以及焊盘组件，导通组件贯穿基材，焊盘组件设置于基材上远离电路连接层的一侧，焊盘组件通过导通组件与电路连接层电性连接。
[0012]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，焊盘组件包括间隔设置的第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘，导通组件包括第一导通柱、第二导通柱、第三导通柱以及第四导通柱；
[0013]其中，第一焊盘通过第一导通柱与第一电路连接部电性连接；第二焊盘通过第二导通柱与第二电路连接部电性连接，第二焊盘还通过第三导通柱与第三电路连接部电性连接；第三焊盘通过第四导通柱与第四电路连接部电性连接。
[0014]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，基材包括底板以及位于底板两端的第一围坝，第一围坝与底板形成第一凹陷型腔体，覆盖窗的两端分别设置于第一围坝上；
[0015]其中，底板包括氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷中的任意一种；第一围坝的材质包括第一绝缘陶瓷材料以及第一金属材料中的任意一种，第一绝缘陶瓷材料包括氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷中的任意一种，第一金属材料包括铁、铝、镍、锌、金以及银中的至少一种。
[0016]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，覆盖窗包括盖板以及位于盖板两端的第二围坝，第二围坝与盖板形成第二凹陷型腔体，第二围坝分别设置于基材的两端；
[0017]其中，盖板以及第二围坝的材质包括石英玻璃或者蓝宝石玻璃。
[0018]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的波长范围均在200nm至400nm之间。
[0019]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的工作电压之和小于齐纳二极管的开启电压。
[0020]在本专利技术实施例提供的深紫外发光二极管的封装结构中，覆盖窗中远离封装支架的一侧表面形状为平面、半球面或者菲涅尔球面中的任意一种；
[0021]其中，覆盖窗中远离封装支架的一侧还设置有增透膜或者截止膜。
[0022]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管的封装结构，封装结构包括封装支架和覆盖窗，覆盖窗设置于封装支架的上方且与封装支架之间形成密闭腔体，密闭腔体内设置有一个发光二极管芯片组和一个齐纳二极管，发光二极管芯片组包括至少两个发光二极管芯片，其中，封装支架靠近覆盖窗的一侧表面包括电路连接层，发光二极管芯片组内的多个发光二极管芯片通过电路连接层串联连接，发光二极管芯片组还通过电路连接层与齐纳二极管并联连接；本专利技术提供的深紫外发光二极管的封装结构通过在密闭腔体内设置一个发光二极管芯片组和一个齐纳二极管，且发光二极管芯片组内的多个发光二极管芯片通过电路连接层串联连接，同时发光二极管芯片组还通过电路连接层与齐纳二极管并联连接，以使深紫外发光二极管的封装结构的最低工作电压增加的同时，防止多个串联连接的发光二极管芯片被静电击伤，进而减小了深紫外发光二极管的封装结构的电功率，提高了深紫外发光二极管的光能量输出效率。
附图说明
[0023]图1是本专利技术第一实施例所提供的深紫外发光二极管的封装结构的结构示意图；
[0024]图2是本专利技术第一实施例所提供的深紫外发光二极管的封装结构中封装支架的正面电路示意图；
[0025]图3是本专利技术第一实施例所提供的深紫外发光二极管的封装结构中封装支架的底面电路示意图；
[0026]图4是本专利技术第二实施例所提供的深紫外发光二极管的封装结构的结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0028]请参阅图1至图3，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管的封装结构100，包括封装支架1和覆盖窗4，覆盖窗4设置于封装支架1的上方且与封装支架1之间形成密闭腔体10，密闭腔体10内设置有一个发光二极管芯片组2和一个齐纳二极管3，发光二极管芯片组2包括至少两个发光二极管芯片；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，包括封装支架和覆盖窗，所述覆盖窗设置于所述封装支架的上方且与所述封装支架之间形成密闭腔体，所述密闭腔体内设置有一个发光二极管芯片组和一个齐纳二极管，所述发光二极管芯片组包括至少两个发光二极管芯片；其中，所述封装支架靠近所述覆盖窗的一侧表面包括电路连接层，发光二极管芯片组内的多个所述发光二极管芯片通过所述电路连接层串联连接；发光二极管芯片组还通过所述电路连接层与所述齐纳二极管并联连接。2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述电路连接层包括间隔设置的第一电路连接部、第二电路连接部、第三电路连接部以及第四电路连接部；其中，所述发光二极管芯片组包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述第一发光二极管芯片的第一电极与所述第一电路连接部电性连接，所述第一发光二极管芯片的第二电极与所述第二电路连接部电性连接；所述第二发光二极管芯片的第三电极与所述第三电路连接部电性连接，所述第二发光二极管芯片的第四电极与所述第四电路连接部电性连接。3.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述齐纳二极管的第一端与所述第一电路连接部电性连接，所述齐纳二极管的第二端与所述第四电路连接部电性连接。4.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述封装支架包括基材，所述电路连接层设置于所述基材上；其中，所述封装支架还包括导通组件以及焊盘组件，所述导通组件贯穿所述基材，所述焊盘组件设置于所述基材上远离所述电路连接层的一侧，所述焊盘组件通过所述导通组件与所述电路连接层电性连接。5.根据权利要求4所述的深紫外发光二极管的封装结构，其特征在于，所述焊盘组件包括间隔设置的第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘，所述导通组件包括第一导通柱、第二导通柱、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：白生茂，李磅，许璐，金利，王磊，王永忠，
申请(专利权)人：湖北深紫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：