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本发明提供了一种深紫外发光二极管的封装结构，封装结构包括封装支架和覆盖窗，覆盖窗设置于封装支架的上方且与封装支架之间形成密闭腔体，密闭腔体内设置有一个发光二极管芯片组和一个齐纳二极管，发光二极管芯片组包括至少两个发光二极管芯片，其中，封装支...
该专利属于湖北深紫科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北深紫科技有限公司授权不得商用。

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