一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种深紫外发光二极管封装器件，包括基板

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法
。

技术介绍

[0002]深紫外发光二极管因其高效
、
环保
、
节能
、
可靠等优势，在照明
、
杀菌
、
医疗
、
印刷
、
生化检测
、
高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外发光二极管所无法比拟的
。
[0003]众所周知，紫外光在空气中的传播距离短，容易被其他材料所吸收，因此，在深紫外发光二极管芯片的封装中，应避免不当的封装材料或封装结构对紫外光线的遮挡和吸收
。
然而，现有的深紫外发光二极管封装器件的封装方式具有以下几种：第一种是采用无机封装方式或半无机封装方式进行封装，然而这类封装方式的体积偏大
、
散热慢
、
成本高；第二种是采用有机封装方式进行封装，然而这类封装方式中的有机封装材料会被深紫外光老化而不适用；第三种是采用石英玻璃等透镜材料进行封装，然而这类封装方式会导致深紫外发光二极管封装器件的光损过大
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法，用于改善现有技术的深紫外发光二极管封装器件的封装效果较差的技术问题
。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管封装器件，包括基板
、
安装于基板上的反射模块和安装于基板上的深紫外发光二极管芯片，基板与反射模块形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片位于开口内；
[0006]其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板
、
反射模块以及深紫外发光二极管芯片，增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率
。
[0007]优选地，基板的材料选自
Si、Al2O3以及
AlN
中的一种或多种；增透钝化层的材料选自
SiO2以及
Al2O2中的一种或多种
。
[0008]优选地，增透钝化层的厚度大于
10nm。
[0009]优选地，反射模块围绕深紫外发光二极管芯片设置，反射模块的高度均大于或者等于深紫外发光二极管芯片的厚度；反射模块的材料包括铝
、
银以及铝银合金中的任意一种
。
[0010]优选地，反射模块靠近深紫外发光二极管芯片一侧的环绕斜面与基板间的夹角均大于0且小于
90
°
。
[0011]优选地，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于基板表面的第一焊盘以及第二焊盘，第二焊盘与第一焊盘间隔设置；
[0012]其中，第一焊盘与深紫外发光二极管芯片中的第一电极电连接，第二焊盘与深紫
外发光二极管芯片中的第二电极电连接
。
[0013]优选地，第一焊盘包括第一非重叠部，第一非重叠部在基板上的正投影与深紫外发光二极管在基板上的正投影不重合；第二焊盘包括第二非重叠部，第二非重叠部在基板上的正投影与深紫外发光二极管在基板上的正投影不重合；
[0014]其中，增透钝化层完全覆盖第一非重叠部以及第二非重叠部
。
[0015]优选地，基板内至少开设有第一通孔以及第二通孔，第一通孔以及第二通孔完全贯穿基板，第一通孔内填充有第一导电层，第二通孔内填充有第二导电层；
[0016]其中，基板远离深紫外发光二极管芯片的一侧表面分别安装有间隔设置的第一引脚以及第二引脚，第一焊盘通过第一导电层与第一引脚电连接，第二焊盘通过第二导电层与第二引脚电连接
。
[0017]相应地，本专利技术还提供一种深紫外发光二极管封装器件的制备方法，方法包括：
[0018]S10
，在一基板上开设间隔设置的第一通孔和第二通孔，第一通孔和第二通孔的位置分别与基板上的待焊接位置相对应；
[0019]S20
，在基板上形成间隔设置的第一焊盘以及第二焊盘，并在第一通孔内填充第一导电层，以及在第二通孔内填充第二导电层，其中，第一焊盘与第一导电层相接触，第二焊盘与第二导电层相接触；
[0020]S30
，将一深紫外发光二极管芯片的第一电极固定于第一焊盘上，以及将深紫外发光二极管芯片的第二电极固定于第二焊盘上；
[0021]S40
，在基板上形成一反射模块，反射模块围绕深紫外发光二极管芯片设置，且反射模块靠近深紫外发光二极管芯片一侧的环绕斜面与基板间的夹角均大于0且小于
90
°
；
[0022]S50
，在深紫外发光二极管芯片的表面形成增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板
、
反射模块以及深紫外发光二极管芯片，且增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率；
[0023]S60
，在基板远离深紫外发光二极管芯片一侧的下表面形成间隔设置的第一引脚以及第二引脚，第一引脚与第一导电层电连接，第二引脚与第二导电层电连接
。
[0024]优选地，
S30
步骤中，深紫外发光二极管芯片为倒装型芯片，深紫外发光二极管芯片发射波长范围为
200nm
～
350nm。
[0025]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法，深紫外发光二极管封装器件包括基板
、
安装于基板上的反射模块和安装于基板上的深紫外发光二极管芯片，基板与反射模块形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片位于开口内，其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板
、
反射模块以及深紫外发光二极管芯片，增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率；本专利技术提供的深紫外发光二极管封装器件通过在基板
、
反射模块以及深紫外发光二极管芯片的表面上覆盖一层增透钝化层，且增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率，从而使得深紫外发光二极管芯片发射的光线直接经过增透钝化层透射至外部，进而在一定程度上避免在深紫外发光二极管芯片
‑
空气界面发生全反射的同时，增大了出射光的出光角度，更进一步提高了深紫外发光二极管封装器件的发光功率
。
附图说明
[0026]图
1A
是本专利技术实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的截面结构示意图；
[0027]图
1B
是本专利技术实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的正面示意图；
[0028]图
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，包括基板
、
安装于所述基板上的反射模块和安装于所述基板上的深紫外发光二极管芯片，所述基板与所述反射模块形成一向上的开口，所述深紫外发光二极管芯片位于所述开口内；其中，所述深紫外发光二极管封装器件还包括设置于所述深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，所述增透钝化层完全覆盖所述基板
、
所述反射模块以及所述深紫外发光二极管芯片，所述增透钝化层的折射率小于所述深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率
。2.
根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述基板的材料选自
Si、Al2O3以及
AlN
中的一种或多种；所述增透钝化层的材料选自
SiO2以及
Al2O2中的一种或多种
。3.
根据权利要求2所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述增透钝化层的厚度大于
10nm。4.
根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述反射模块围绕所述深紫外发光二极管芯片设置，所述反射模块的高度均大于或者等于所述深紫外发光二极管芯片的厚度；所述反射模块的材料包括铝
、
银以及铝银合金中的任意一种
。5.
根据权利要求4所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述反射模块靠近所述深紫外发光二极管芯片一侧的环绕斜面与所述基板间的夹角均大于0且小于
90
°
。6.
根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述深紫外发光二极管封装器件还包括设置于所述基板表面的第一焊盘以及第二焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘间隔设置；其中，所述第一焊盘与所述深紫外发光二极管芯片中的第一电极电连接，所述第二焊盘与所述深紫外发光二极管芯片中的第二电极电连接
。7.
根据权利要求6所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述第一焊盘包括第一非重叠部，所述第一非重叠部在所述基板上的正投影与所述深紫外发光二极管在所述基板上的正投影不重合；所述第二焊盘包括第二非重叠部，所述第二非重叠部在所述基板上的正投影与所述深紫外发光二极管在所述基板上的正投影不重合；其中，所述增透钝化层完全覆盖所述第一非重叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗红波，张爽，陈圣昌，
申请(专利权)人：湖北深紫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：