微显示器件及其制备方法技术

本申请涉及一种微显示器件及其制备方法。该微显示器件包括：衬底；发光结构，位于衬底的一侧；以及驱动电路，位于发光结构的旁侧，并于连接节点处与发光结构相连接；其中，驱动电路包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的控制极连接连接节点，第一极连接读位线，第二极连接读字线；第二晶体管的控制极连接写字线，第一极连接写位线，第二极连接连接节点。该微显示器件提供了驱动电路中至少两个晶体管的连接方式，以利于实现发光结构与包含至少两个晶体管的驱动电路的集成。晶体管的驱动电路的集成。晶体管的驱动电路的集成。

【技术实现步骤摘要】
微显示器件及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种微显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]微米级发光二极管(Micro LED)显示屏具有高像素密度(Pixels Per Inch，简称PPI)、高刷新频率、尽可能多的灰阶展开及高亮度均匀性等优点。为此，对应的驱动电路通常需要数量很多的高性能薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)来实现前述高性能需求。
[0003]然而，对于这些数量很多的TFT，其具体结构和位置以及与Micro LED发光芯片的相对位置和连接方式目前仍没有很好的解决方案。因此，如何实现Mi cro LED发光芯片与驱动电路中TFT的集成，是当前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种微显示器件及其制备方法，以实现发光结构与包含多个晶体管的驱动电路的集成。
[0005]一方面，本申请提供一种微显示器件，包括：
[0006]衬底；
[0007]发光结构，位于所述衬底的一侧；以及
[0008]驱动电路，位于所述发光结构的旁侧，并于连接节点处与所述发光结构相连接；
[0009]其中，所述驱动电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制极连接所述连接节点，第一极连接读位线，第二极连接读字线；所述第二晶体管的控制极连接写字线，第一极连接写位线，第二极连接所述连接节点。
[0010]在一些实施例中，所述发光结构的数量为多个，且相邻所述发光结构之间具有间隔；
[0011]所述第一晶体管的第一极随形覆盖对应所述间隔的内壁；
[0012]所述第一晶体管的第二极位于其第一极背离所述衬底的一侧，且所述第二极位于所述间隔内的部分具有第一开口，以暴露出部分所述第一极；
[0013]所述第一晶体管还包括：覆盖其第二极且位于所述第一开口内并与其第一极相连接的第一沟道层；所述第一晶体管的控制极位于所述间隔内且位于所述第一沟道层背离所述衬底的一侧。
[0014]在一些实施例中，所述第二晶体管的第一极位于所述第一晶体管背离所述衬底的一侧；
[0015]所述第二晶体管还包括：覆盖其第一极且与所述第一晶体管的控制极相连接的第二沟道层；所述第二晶体管的控制极位于所述第二沟道层背离所述衬底的一侧。
[0016]在一些实施例中，所述第一晶体管的控制极亦为所述第二晶体管的第二极。
[0017]在一些实施例中，所述第二晶体管的第二极位于所述第一晶体管的控制极与所述
第二沟道层之间，并与所述第一晶体管的控制极和所述第二沟道层接触连接。
[0018]在一些实施例中，所述第二晶体管的第二极在所述衬底上的正投影位于对应所述间隔在所述衬底上的正投影的中心区域。
[0019]另一方面，本申请还提供一种微显示器件的制备方法，包括：
[0020]提供衬底；
[0021]于所述衬底的一侧形成发光结构；
[0022]于所述发光结构的旁侧形成驱动电路，所述驱动电路于连接节点处与所述发光结构相连接；
[0023]其中，所述驱动电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制极连接所述连接节点，第一极连接读位线，第二极连接读字线；所述第二晶体管的控制极连接写字线，第一极连接写位线，第二极连接所述连接节点。
[0024]在一些实施例中，所述发光结构的数量为多个，且相邻所述发光结构之间具有间隔；
[0025]所述于所述发光结构的旁侧形成驱动电路，包括：
[0026]形成随形覆盖对应所述间隔内壁的所述第一晶体管的第一极；
[0027]于所述第一晶体管的第一极背离所述衬底的一侧形成所述第一晶体管的第二极；所述第一晶体管的第二极位于所述间隔内的部分具有第一开口，以暴露出部分所述第一极；
[0028]形成覆盖所述第一晶体管的第二极且位于所述第一开口内并与所述第一晶体管的第一极相连接的第一沟道层；
[0029]于所述第一沟道层背离所述衬底的一侧形成所述第一晶体管的控制极，所述第一晶体管的控制极还位于所述间隔内。
[0030]在一些实施例中，所述于所述发光结构的旁侧形成驱动电路，还包括：
[0031]于所述第一晶体管背离所述衬底的一侧形成所述第二晶体管的第一极；
[0032]形成覆盖所述第二晶体管的第一极且与所述第一晶体管的控制极相连接的第二沟道层；
[0033]于所述第二沟道层背离所述衬底的一侧形成所述第二晶体管的控制极。
[0034]在一些实施例中，所述第一晶体管的控制极亦为所述第二晶体管的第二极；
[0035]或者，所述于所述第一晶体管背离所述衬底的一侧形成所述第二晶体管的第一极之前，所述于所述发光结构的旁侧形成驱动电路，还包括：于所述第一晶体管的控制极背离所述衬底的一侧形成所述第二晶体管的第二极；其中，所述第二晶体管的第一极形成于其第二极背离所述衬底的一侧，且所述第二晶体管的第一极位于所述间隔内的部分具有第二开口，以暴露出所述第二极；所述第二沟道层通过所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的控制极接触连接。
[0036]本申请提供的微显示器件及其制备方法，将驱动电路设置于发光结构的旁侧，并提供了驱动电路中至少两个晶体管的连接方式，以利于实现发光结构与包含至少两个晶体管的驱动电路的集成；并且，由于驱动电路至少包括两个晶体管，集成度更高。
[0037]在本申请的一些实施例中，驱动电路的第一晶体管设置于相邻发光结构的间隔内，第一晶体管的第一极、第二极、第一沟道层和控制极由下至上层叠设置，共同构成第一
晶体管，这样的结构布置较为简单，能够简化制备工艺流程。并且，通过在第一晶体管的第二极位于间隔内的部分设置第一开口的方式，暴露出部分第一晶体管的第一极，使得第一沟道层能够设置于第一开口内，并实现与第一晶体管的第一极的连接。如此，能够缩减第一晶体管所占用的空间，从而有利于微显示器件尺寸的微缩。
[0038]如此，占用空间较小，制备工艺流程较简单，且利于后续制程中的平面化布线。在本申请一些实施例中，驱动电路的第二晶体管与第一晶体管层叠设置，从而进一步减少占用空间。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1为本申请一些实施例提供的微显示器件的电路结构示意图；
[0041]图2为本申请一些实施例提供的微显示器件的截面结构示意图；
[0042]图3为本申请另一些实施例提供的微显示器件的截面结构示意图；
[0043]图4为本申请一些实施例提供的微显示器件的制备方法的流程示意图；
[0044]图5为本申请一些实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微显示器件，其特征在于，包括：衬底；发光结构，位于所述衬底的一侧；以及驱动电路，位于所述发光结构的旁侧，并于连接节点处与所述发光结构相连接；其中，所述驱动电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制极连接所述连接节点，第一极连接读位线，第二极连接读字线；所述第二晶体管的控制极连接写字线，第一极连接写位线，第二极连接所述连接节点。2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述发光结构的数量为多个，且相邻所述发光结构之间具有间隔；所述第一晶体管的第一极随形覆盖对应所述间隔的内壁；所述第一晶体管的第二极位于其第一极背离所述衬底的一侧，且所述第二极位于所述间隔内的部分具有第一开口，以暴露出部分所述第一极；所述第一晶体管还包括：覆盖其第二极且位于所述第一开口内并与其第一极相连接的第一沟道层；所述第一晶体管的控制极位于所述间隔内且位于所述第一沟道层背离所述衬底的一侧。3.根据权利要求2所述的微显示器件，其特征在于，所述第二晶体管的第一极位于所述第一晶体管背离所述衬底的一侧；所述第二晶体管还包括：覆盖其第一极且与所述第一晶体管的控制极相连接的第二沟道层；所述第二晶体管的控制极位于所述第二沟道层背离所述衬底的一侧。4.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，所述第一晶体管的控制极亦为所述第二晶体管的第二极。5.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，所述第二晶体管的第二极位于所述第一晶体管的控制极与所述第二沟道层之间，并与所述第一晶体管的控制极和所述第二沟道层接触连接。6.根据权利要求5所述的微显示器件，其特征在于，所述第二晶体管的第二极在所述衬底上的正投影位于对应所述间隔在所述衬底上的正投影的中心区域。7.一种微显示器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底的一侧形成发光结构；于所述发光结构的旁侧形成驱动电路，所述驱动电路于连接节点处与所述发光结构相连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：籍亚男，赵影，
申请(专利权)人：苏州市奥视微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：