四川拓景科技有限公司专利技术

四川拓景科技有限公司共有13项专利

  • 本实用新型公开了一种气体特性测试装置,涉及气体特性测试技术领域,包括屏蔽罩,所述屏蔽罩内部设置有操作台,当需要拆卸全硬管时,此时拉动拉板,此时拉板会带动卡杆移动,从而是卡杆从第二圆锥头的通孔中移出,使得卡杆不再限位第二圆锥头,此时可以拿...
  • 本实用新型公开一种多柱分离气体验证设备,包括标定容器筒体,所述标定容器筒体的设置在机体的表面上,所述机体的表面固定安装有固定柱,所述标定容器筒体中设置有控制组件和从动组件,通过设置有控制组件,当将法兰安装在标定容器筒体上时,将抵住压杆在...
  • 本实用新型公开了一种拉晶设备用真空机构,涉及拉晶设备技术领域,包括拉晶真空装置本体,所述拉晶真空装置本体设置有单晶炉,所述单晶炉设置有真空发生装置,所述单晶炉右侧设置有输送管,所述输送管右端设置有装料体,所述装料体内部设置有隔热层,所述...
  • 本实用新型公开一种可调式分子泵,包括分子泵进气口,所述分子泵进气口内设置有滤网,所述分子泵进气口设置有控制组件、误触组件和从动组件,通过设置有控制组件,当需要对滤网进行安装时,通过T型杆与横杆将滤网按入分子泵进气口中,滤网底部的支杆将抵...
  • 本实用新型公开了一种大负载高粉尘真空设备,涉及新型真空设备技术领域,包括机架,所述机架内部固定安装有固定板,所述固定板顶部固定安装有真空管,所述真空管表面设置有法兰盘,所述法兰盘表面设置有夹持组件,所述夹持组件包括:所述锥形限位块设置有...
  • 本实用新型公开了一种钯合金氢气传感器,涉及氢气传感器技术领域,包括作为基底的硅片,沉积于所述硅片上中心位置的第一氮化硅薄膜,沉积于所述第一氮化硅薄膜的上方正中间的两个呈迂回折线状的铂叉指电极,将两个所述铂叉指电极完全覆盖的第二氮化硅薄膜...
  • 本实用新型公开了一种氢气中痕量组分分析切割系统,主要解决现有切割系统结构复杂、制造成本高的问题。该切割系统包括第一载气气路、第二载气气路、第三载气气路三路载气气路,切换阀VI、切换阀VII和切换阀VIII,切换阀VI与切换阀VII之间设...
  • 本实用新型公开了一种气体分离单元,其包括箱体、箱盖、气体管道、温度检测单元、温度控制单元、加热冷却系统,所述箱体为敞口容器,敞口向上,在敞口上安装箱盖进行密封构成柱温箱,在柱温箱上设置有进气口和出气口,进气体管道从进气口进入柱温箱内部然...
  • 本实用新型公开了一种NMOS电子开关控制电路,主要解决现有NMOS电子开关电路成本高、体积大的问题。该控制电路包括三个NMOS管Q1、Q2、Q3,利用一个IO管脚做开关控制SW信号,再利用一个管脚定时输出脉冲,产生NMOS需要的控制高压...
  • 本实用新型公开了一种用于传感器的轻触按键自锁开关电路,主要解决现有自锁开关电路控制成本高的问题。该轻触按键自锁开关电路包括PMOS开关管Q1、NMOS开关管Q2和轻触开关K1。该电路工作时,短时间按下轻触开关K1后,电源VCC_IN经电...
  • 本实用新型公开了一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器,包括氢气传感器芯片的主材料硅芯片,镀于所述硅芯片上的氮化硅薄膜,设置于所述氮化硅薄膜下方的通孔,设置于所述氮化硅薄膜上的电极R1、R2,以及设置于所述硅芯片上的电极R3。本实用新型...
  • 本发明公开了一种活性同位素气体多柱分离提纯系统,其包括高真空泵组:用于对全套系统抽空;气体分离模块:利用温度的升降,对稀有气体进行分离;气体标定存储模块:用于提纯气的暂存;阀岛:用于分隔各模块;管路:为混合气体的分离提供真空无烃环境,确...
  • 本实用新型公开了一种气体收集暂存系统,属于气体收集技术领域,针对现有技术中存在的直接丢弃气瓶会造成资源的大量浪费和具有污染环境的严重隐患,以及使用气体增压机收集气瓶中剩余气体时,可能会出现气体泄露、过压爆炸或者辐射伤害等问题,本实用新型...
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