一种钯合金氢气传感器制造技术

技术编号:36851251 阅读:168 留言:0更新日期:2023-03-15 17:17
本实用新型专利技术公开了一种钯合金氢气传感器,涉及氢气传感器技术领域,包括作为基底的硅片,沉积于所述硅片上中心位置的第一氮化硅薄膜,沉积于所述第一氮化硅薄膜的上方正中间的两个呈迂回折线状的铂叉指电极,将两个所述铂叉指电极完全覆盖的第二氮化硅薄膜,分别沉积于所述第二氮化硅薄膜上方左右两侧呈折线分布的钯镍氢敏电阻和氢敏参比电阻,覆盖于所述第二氮化硅薄膜上并将所述钯镍氢敏电阻裸露的二氧化硅保护层;两个所述铂叉指电极分别为铂测温电阻和铂加热电阻。本实用新型专利技术中铂测温电阻和铂加热电阻的共同作用为传感器提供了适宜的工作环境,使氢气传感器具有更好的精度和稳定性,从而延长传感器的使用寿命。从而延长传感器的使用寿命。从而延长传感器的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种钯合金氢气传感器


[0001]本技术涉及氢气传感器
,具体为一种钯合金氢气传感器。

技术介绍

[0002]在常温常压条件下,氢气浓度在4~75%时极容易发生爆炸。无论是在平常的化学化工、医学医药,还是航空航天领域,对氢气进行检测和运用都极为迫切。
[0003]目前使用的氢气传感器工作原理主要有电化学型、光学型、电阻型三种,但光学型的传感器操作难度大且功耗高;电化学型极容易被其他气体干扰、检测精度较差;而电阻型氢气传感器检测灵敏度高,制备工艺简单,功耗低。所以电阻型氢气传感器的使用越来越广泛,但在温度较低的环境中,其检测灵敏度会受到较大的影响且检测数据的稳定性较差。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种钯合金氢气传感器,结构简单,有较好的检测灵敏度和稳定性。
[0005]为实现上述目的,本技术采用的技术方案如下:
[0006]一种钯合金氢气传感器,包括作为基底的硅片,沉积于所述硅片上中心位置的第一氮化硅薄膜,沉积于所述第一氮化硅薄膜的上方正中间的两个呈迂回折线状的铂叉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钯合金氢气传感器,其特征在于,包括作为基底的硅片(1),沉积于所述硅片(1)上中心位置的第一氮化硅薄膜(2),沉积于所述第一氮化硅薄膜(2)的上方正中间的两个呈迂回折线状的铂叉指电极,将两个所述铂叉指电极完全覆盖的第二氮化硅薄膜(5),分别沉积于所述第二氮化硅薄膜(5)上方左右两侧呈折线分布的钯镍氢敏电阻(6)和氢敏参比电阻(7),覆盖于所述第二氮化硅薄膜(5)上并将所述钯镍氢敏电阻(6)裸露的二氧化硅保护层(8);两个所述铂叉指电极分别为铂测温电阻(3)和铂加热电阻(4)。2.根据权利要求1所述的种钯合金氢气传感器,其特征在于,所述铂测温电阻(3)、铂加热电阻(4)、钯镍氢敏电阻(6)、氢敏参比电阻(7)的两端均连接有用于焊接引线的金焊盘(9)。3.根据权利要求1所述的种钯合金氢气传感器,其特征在于,所述第一氮化硅薄膜(2)的大小为1.5
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1.5mm,厚度为300nm。4.根据权利要求1所述的种钯合金氢气传感器,其特征在于,两个所述铂叉指电极沉积于第一氮化硅薄膜(2)上方0.8
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0.8mm的区域,且线宽为30μm,线间距为...

【专利技术属性】
技术研发人员:程宇周子新李魏唐文颖付聪
申请(专利权)人:四川拓景科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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