本申请公开了一种SiC功率器件及其形成方法，包括SiC基底；位于SiC衬底内的沟槽型MOSFET；还包括设置在沟槽型MOSFET下方的SiC衬底中的底部氧化层、屏蔽栅及屏蔽掺杂区；其中，底部氧化层，位于沟槽型MOSFET控制栅底部；屏蔽...

本发明提供一种沟槽型终端IGBT器件及其制造方法。制造方法包括制备沟槽型终端耐压结及制备有源区；其中，制备沟槽型终端耐压结的步骤包括：在具有第一导电类型的衬底上制造终端沟槽；去除所述第一硬掩膜；生长轻掺的第二导电类型外延层，以填充终端沟...

本发明提供一种隔离槽型终端IGBT器件及其制造方法。制造方法包括制备终端耐压结及制备有源区。制备终端耐压结的步骤包括：在第一导电类型的衬底上淀积第一硬掩膜；光刻和刻蚀定义多个刻蚀窗口，槽刻蚀形成多个隔离槽；制备牺牲氧化层并去除；制备屏蔽...

本技术公开了一种智能充电桩，包括充电桩本体，充电桩本体的侧壁固定连接有电缆，电缆的一端固定连接有充电枪，充电桩本体的侧壁固定连接有插槽，充电枪的一端插入插槽内，充电桩本体的前方设置的固定板，固定板上固定连接有智能电子地锁，充电桩本体的顶...

本发明提供一种碳化硅MOS器件的制造方法，其包括：在碳化硅衬底上制作有源区及第二导电类型重掺区；依次淀积保护层及掩膜，在保护层及掩膜上光刻和刻蚀定义与第一导电类型发射区相对应的窗口，注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型发射区；对掩膜...

本发明提供一种碳化硅MOS器件及其终端缓变结的制造方法。终端缓变结制造方法包括：在碳化硅衬底上淀积第一掩蔽层，光刻和刻蚀定义第一注入窗口，注入离子形成第一注入结；在第一注入窗口的边缘处进行光刻和刻蚀形成第二注入窗口，注入离子形成第二注入...

本发明提供一种碳化硅MOS器件的制造方法，其包括：在碳化硅衬底上制作形成有源区及第二导电类型重掺区；淀积第一发射区硬掩膜，通过光刻和刻蚀定义第二导电类型深阱区的窗口；淀积第二发射区硬掩膜，通过各向异性刻蚀在第二导电类型深阱区的窗口边缘形...

本发明描述一种充电桩及充电系统，该充电桩包括：外壳，包括后盖及与后盖连接的壳体；插座组件，设于后盖，并与外部电源电连接；主板组件，设于壳体；插头组件，设于壳体，插座组件包括限位件和若干个插片，插片贯穿于限位件，且插片具有相对的第一端及第...

本技术提供一种具有漏电保护功能的充电驱动电路，其包括充电枪、继电器开关、握手信号发生器、电源、零电流互感器、漏电保护电路以及微控制单元。充电枪用于检测汽车负载；继电器开关用于控制充电枪给汽车充电口供电；握手信号发生器用于产生PWM握手信...

本实用新型提供一种具有

本实用新型提供一种具有锁存功能的漏电保护电路，其包括漏电检测芯片

本申请公开一种晶体管器件，包括：基底；位于所述基底内的元胞区，所述元胞区内形成有阵列排布的绝缘栅双极晶体管；堆叠于绝缘栅双极晶体管上的发射极金属互连层

本实用新型提供一种碳化硅晶圆定位装置，用于将碳化硅晶圆定位于匀胶机的吸盘上，包括基座及吸盘定位件；基座为圆环形，并设置有晶圆定位件，各晶圆定位件具有用于抵接碳化硅晶圆周面的晶圆定位部，吸盘定位件沿基座的周向排布于基座；吸盘定位件的定位端...

本申请公开一种绝缘栅双极晶体管芯片及其栅极电阻调整方法，所述绝缘栅双极晶体管芯片包括：基底；位于所述基底内的元胞区，所述元胞区内形成有阵列排布的绝缘栅双极晶体管元胞；压焊区，位于所述基底表面，通过第一导电结构电连接至所述元胞区内的各个晶...

本实用新型提供一种充电桩的充电插头及对应的充电桩

本实用新型提供一种研磨装置，用于研磨石墨坩埚，其包括支撑座

本实用新型提供一种输出短路检测电路，其包括零线、火线、继电器、充电枪、第一检测模块、第二检测模块、测量模块。零线上设置有第一连接端，火线上设置有第二连接端。继电器可控制火线通断，充电枪可对外部设备进行充电。第一检测模块包括第一控制单元和...

本发明提供一种具有漏电保护功能的充电驱动电路，其包括充电枪、继电器开关、握手信号发生器、电源、零电流互感器、漏电保护电路以及微控制单元。充电枪用于检测汽车负载；继电器开关用于控制充电枪给汽车充电口供电；握手信号发生器用于产生PWM握手信...

本发明提供一种具有锁存功能的漏电保护电路，其包括漏电检测芯片、输入电平转换电路、漏电状态锁存电路、输出电平转换电路、继电器驱动电路以及漏电状态释放电路。输入电平转换电路用于将漏电动作电平转换为第一漏电锁存电平；漏电状态锁存电路用于将第一...

本发明提供一种IGBT器件结构，其包括集电极金属层、N型缓冲层以及N型外延层。N型外延层的顶部设置有源区、终端保护区以及截止保护区；N型外延层的有源区从下到上依次设置有P型注入区、绝缘氧化层以及发射极金属；N型外延层的终端保护区从下到上...