SiC功率器件及其形成方法技术

本申请公开了一种SiC功率器件及其形成方法，包括SiC基底；位于SiC衬底内的沟槽型MOSFET；还包括设置在沟槽型MOSFET下方的SiC衬底中的底部氧化层、屏蔽栅及屏蔽掺杂区；其中，底部氧化层，位于沟槽型MOSFET控制栅底部；屏蔽栅，位于底部氧化层下方，且被底部氧化层覆盖；屏蔽掺杂区，位于屏蔽栅下方。本发明专利技术在栅氧底部垂直设置厚氧，屏蔽栅和屏蔽掺杂区，相对常规沟槽SiC MOS采取的P型半包围或者沟槽两侧P柱保护栅氧的做法，更能提高芯片有效使用面积，避免占用水平方面空间，提高对栅氧的有效保护，从而提高该器件的栅氧耐压水平和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种sic功率器件及其形成方法。

技术介绍

1、sic功率半导体器件作为新一代的功率半导体器件，相比于传统的硅基器件，其具有更低的导通损耗、更快的开关频率以及更好的热特性等特点。作为功率半导体器件主流产品的mosfet和igbt在sic材料中备受青睐。硅基沟槽型igbt相对于平面型igbt芯片尺寸更小，更具有竞争力，同样地，沟槽型sic mosfet相对平面型sic mosfet具有更强的竞争力。

2、但sic由于本身的材料特性，导致沟槽型sic mosfet面临更多的技术挑战，其中一个主要问题是沟槽型sic mosfet栅氧耐压和可靠性问题。

技术实现思路

1、为了解决上述的技术问题，本专利技术提出一种sic功率器件及其形成方法，包括：sic基底；位于sic衬底内的沟槽型mosfet；还包括设置在沟槽型mosfet下方的sic衬底中的底部氧化层、屏蔽栅及屏蔽掺杂区；其中，底部氧化层，位于沟槽型mosfet控制栅底部；屏蔽栅，位于底部氧化层下方，且被底部氧化层覆盖；屏蔽掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC功率器件，其特征在于，包括SiC基底；位于SiC衬底内的沟槽型MOSFET；还包括设置在沟槽型MOSFET下方的SiC衬底中的底部氧化层、屏蔽栅及屏蔽掺杂区；其中，底部氧化层，位于沟槽型MOSFET控制栅底部；屏蔽栅，位于底部氧化层下方，且被底部氧化层覆盖；屏蔽掺杂区，位于屏蔽栅下方。

2.根据权利要求1所述的SiC功率器件，其特征在于，沟槽型MOSFET包括：底部氧化层，位于底部氧化层上的控制栅、位于控制栅外围的栅氧层，所述栅氧层和底部氧化层相连；位于控制栅两侧的第二导电类型深阱区、位于第二导电类型深阱区内的第一导电类型掺杂区，覆盖在控制栅、部分第一导电类型掺...

【技术特征摘要】

1.一种sic功率器件，其特征在于，包括sic基底；位于sic衬底内的沟槽型mosfet；还包括设置在沟槽型mosfet下方的sic衬底中的底部氧化层、屏蔽栅及屏蔽掺杂区；其中，底部氧化层，位于沟槽型mosfet控制栅底部；屏蔽栅，位于底部氧化层下方，且被底部氧化层覆盖；屏蔽掺杂区，位于屏蔽栅下方。

2.根据权利要求1所述的sic功率器件，其特征在于，沟槽型mosfet包括：底部氧化层，位于底部氧化层上的控制栅、位于控制栅外围的栅氧层，所述栅氧层和底部氧化层相连；位于控制栅两侧的第二导电类型深阱区、位于第二导电类型深阱区内的第一导电类型掺杂区，覆盖在控制栅、部分第一导电类型掺杂区及部分第二导电类型深阱区上的隔离介质层；位于第二导电类型深阱区和部分第一导电类型掺杂区上的源极接触孔。

3.根据权利要求2所述的sic功率器件，其特征在于，第二导电类型深阱区内形成有第二导电类型掺杂区，所述第二导电类型掺杂区位于第一导电类型掺杂区背离控制栅一侧，所述第二导电类型掺杂区位于所述源极接触孔覆盖的第二导电类型深阱区，且第二导电类型掺杂区的第二导电类型离子掺杂浓度大于第二导电类型深阱区内第二导电类型离子掺杂浓度。

4....

【专利技术属性】
技术研发人员：斯海国，王鹏，李翔，
申请(专利权)人：深圳腾睿微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：