具有锁存功能的漏电保护电路及对应的电器驱动电路制造技术

技术编号:38831981 阅读:18 留言:0更新日期:2023-09-17 09:51
本发明专利技术提供一种具有锁存功能的漏电保护电路,其包括漏电检测芯片、输入电平转换电路、漏电状态锁存电路、输出电平转换电路、继电器驱动电路以及漏电状态释放电路。输入电平转换电路用于将漏电动作电平转换为第一漏电锁存电平;漏电状态锁存电路用于将第一漏电锁存电平转换为第二漏电锁存电平;并使用电平锁存电容对第二漏电锁存电平的高电平状态进行锁存;输出电平转换电路用于将第二漏电锁存电平转换为漏电驱动电平;继电器驱动电路用于基于漏电驱动电平控制所述电器驱动电路的继电器开关。本发明专利技术还提供一种电器驱动电路。本发明专利技术还提供一种电器驱动电路。本发明专利技术还提供一种电器驱动电路。

【技术实现步骤摘要】
具有锁存功能的漏电保护电路及对应的电器驱动电路


[0001]本专利技术涉及电路领域,特别涉及一种具有锁存功能的漏电保护电路及对应的电器驱动电路。

技术介绍

[0002]随着技术的发展,对现有电器的安全用电要求越来越高。一般的电器均会设置具有漏电信号处理芯片的漏电保护电路来提高安全用电要求,其中漏电信号处理芯片会通过零电流互感器来检测漏电电流,当漏电电流过大时,漏电信号处理芯片的输出会超过一设定阈值,这时漏电保护电路即会输出脉冲电压驱动断路器以断开电器的用电电路。
[0003]现有的漏电保护电路的输出脉冲电压与漏电电流对应,可能会存在驱动时间短以及驱动能力弱的问题,因此无法满足用户对现有电器的安全用电要求。
[0004]故需要提供一种具有锁存功能的漏电保护电路及对应的电器驱动电路来解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供具有锁存功能的漏电保护电路及对应的电器驱动电路,以解决现有的漏电保护电路中输出脉冲电压驱动时间短以及驱动能力弱,无法满足现有电器驱动电路的安全用电要求的技术问题。
[0006]本专利技术提供一种具有锁存功能的漏电保护电路,其包括:
[0007]漏电检测芯片,用于基于设置在电器驱动电路上零电流互感器的信号生成漏电动作电平;
[0008]输入电平转换电路,用于将所述漏电动作电平转换为第一漏电锁存电平;
[0009]漏电状态锁存电路,用于将所述第一漏电锁存电平转换为第二漏电锁存电平;并基于控制信号,使用电平锁存电容对所述第二漏电锁存电平的高电平状态进行锁存;
[0010]输出电平转换电路,用于将所述第二漏电锁存电平转换为漏电驱动电平;
[0011]继电器驱动电路,用于基于所述漏电驱动电平控制所述电器驱动电路的继电器开关;以及
[0012]漏电状态释放电路,用于基于控制信号,释放所述电平锁存电容的电量,对所述电平锁存电容进行复位操作。
[0013]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述输入电平转换电路包括:
[0014]输入电平转换比较器,所述输入电平转换比较器的正向输入端输入所述漏电动作电平,所述输入电平转换比较器的反向输入端输入第一参考电平,所述输入电平转换比较器的输出端与输入电平转换NPN三极管连接,
[0015]输入电平转换NPN三极管,所述输入电平转换NPN三极管的基极与所述输入电平转换比较器的输出端连接,所述输入电平转换NPN三极管的发射极接地,所述输入电平转换
NPN三极管的集电极与驱动电源连接;以及
[0016]输入电平转换输出端,与所述输入电平转换NPN三极管的集电极连接,用于输出第一漏电锁存电平。
[0017]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述输入电平转换电路包括:
[0018]输入电平转换比较器,所述输入电平转换比较器的正向输入端输入第二参考电平,所述输入电平转换比较器的反向输入端输入所述漏电动作电平,所述输入电平转换比较器的输出端与驱动电源连接;以及
[0019]输入电平转换输出端,与所述输入电平转换比较器的输出端连接,用于输出第一漏电锁存电平。
[0020]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述漏电状态锁存电路包括:
[0021]漏电状态锁存PNP三极管,所述漏电状态锁存PNP三极管的基极输入所述第一漏电锁存电平;所述漏电状态锁存PNP三极管的发射极与驱动电源连接,所述漏电状态锁存PNP三极管的集电极与电平锁存电容连接;以及
[0022]所述电平锁存电容,第一端与所述漏电状态锁存PNP三极管的集电极连接,第二端接地。
[0023]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述漏电状态锁存电路还包括:
[0024]所述漏电状态锁存放大器,所述漏电状态锁存放大器的输入端与所述漏电状态锁存PNP三极管的集电极连接,所述漏电状态锁存放大器的输出端输出所述第二漏电锁存电平。
[0025]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述输出电平转换电路包括:
[0026]输出电平转换NPN三极管,所述输出电平转换NPN三极管的基极输入所述漏电锁存电平;所述输出电平转换NPN三极管的发射极接地;所述输出电平转换NPN三极管的集电极与驱动电源连接;
[0027]输出电平转换输出端,与所述输出电平转换NPN三极管的集电极连接,用于输出所述第二漏电驱动电平。
[0028]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述输出电平转换电路包括:
[0029]输出电平转换比较器,所述输出电平转换比较器的正向输入端与第三参考电平连接,所述输出转换比较器的负向输入端输入所述第二漏电锁存电平,所述输出电平转换比较器的输出端与驱动电源连接,且所述输出电平转换比较器的输出端输出所述漏电驱动电平。
[0030]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述继电器驱动电路包括:
[0031]与运算器,所述与运算器的第一输入端输入所述漏电驱动电平,所述与运算器的第二输入端输入PWM脉冲信号;所述与运算器的输出端与继电器驱动NPN三极管连接;
[0032]所述继电器驱动NPN三极管,所述继电器驱动NPN三极管的基极与所述运算器的输出端连接,所述继电器驱动NPN三极管的发射极接地,所述继电器驱动NPN三极管的集电极与驱动电源连接,且继电器驱动NPN三极管的集电极输出所述继电器开关的控制信号。
[0033]在本专利技术实施例所述的具有锁存功能的漏电保护电路中,所述漏电状态释放电路包括:
[0034]漏电状态释放NPN三极管,所述漏电状态释放NPN三极管的发射极接地,所述漏电状态释放NPN三极管的集电极与所述电平锁存电容的第一端连接,所述漏电状态释放NPN三极管的基极用于接收所述控制信号。
[0035]本专利技术实施例还提供一种使用上述具有锁存功能的漏电保护电路的电器驱动电路。
[0036]本专利技术相较于现有技术,其有益效果为:本专利技术提供一种具有锁存功能的漏电保护电路,其通过输入电平转换电路、漏电状态锁存电路以及输出电平转换电路的设置,对漏电锁存电平的高电平状态进行有效锁存,进而提高了输出电平转换电路输出的漏电驱动电平的驱动时间以及驱动能力;有效解决了现有的漏电保护电路中输出脉冲电压驱动时间短以及驱动能力弱,无法满足现有电器驱动电路的安全用电要求的技术问题。
附图说明
[0037]图1为本专利技术的具有锁存功能的漏电保护电路的实施例的结构示意图;
[0038]图2为本专利技术的具有锁存功能的漏电保护电路的输入电平转换电路的电路结构示意图之一;
[0039]图3为本专利技术的具有锁存功能的漏电保护电路的输入电平转换电路的电路结构示意图之二;
[0040]图4为本专利技术的具有锁存功能的漏电保护电路的漏电状态锁存电路的电路结构示意图之一;
[0041]图5为本专利技术的具有锁存功能的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有锁存功能的漏电保护电路,其特征在于,包括:漏电检测芯片,用于基于设置在电器驱动电路上零电流互感器的信号生成漏电动作电平;输入电平转换电路,用于将所述漏电动作电平转换为第一漏电锁存电平;漏电状态锁存电路,用于将所述第一漏电锁存电平转换为第二漏电锁存电平;并基于控制信号,使用电平锁存电容对所述第二漏电锁存电平的高电平状态进行锁存;输出电平转换电路,用于将所述第二漏电锁存电平转换为漏电驱动电平;继电器驱动电路,用于基于所述漏电驱动电平控制所述电器驱动电路的继电器开关;以及漏电状态释放电路,用于基于控制信号,释放所述电平锁存电容的电量,对所述电平锁存电容进行复位操作。2.根据权利要求1所述的具有锁存功能的漏电保护电路,其特征在于,所述输入电平转换电路包括:输入电平转换比较器,所述输入电平转换比较器的正向输入端输入所述漏电动作电平,所述输入电平转换比较器的反向输入端输入第一参考电平,所述输入电平转换比较器的输出端与输入电平转换NPN三极管连接,输入电平转换NPN三极管,所述输入电平转换NPN三极管的基极与所述输入电平转换比较器的输出端连接,所述输入电平转换NPN三极管的发射极接地,所述输入电平转换NPN三极管的集电极与驱动电源连接;以及输入电平转换输出端,与所述输入电平转换NPN三极管的集电极连接,用于输出第一漏电锁存电平。3.根据权利要求1所述的具有锁存功能的漏电保护电路,其特征在于,所述输入电平转换电路包括:输入电平转换比较器,所述输入电平转换比较器的正向输入端输入第二参考电平,所述输入电平转换比较器的反向输入端输入所述漏电动作电平,所述输入电平转换比较器的输出端与驱动电源连接;以及输入电平转换输出端,与所述输入电平转换比较器的输出端连接,用于输出第一漏电锁存电平。4.根据权利要求1所述的具有锁存功能的漏电保护电路,其特征在于,所述漏电状态锁存电路包括:漏电状态锁存PNP三极管,所述漏电状态锁存PNP三极管的基极输入所述第一漏电锁存电平;所述漏电状态锁存PNP三极管的发射极与驱动电源连接,所述漏电状态锁存PNP三极管的集电极与电平锁存电容连接;以及所述电平锁存电容,第一端与所述漏电状态锁存PNP三极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈秋杰丁海明孙铎
申请(专利权)人:深圳腾睿微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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